（文章來源：快科技）
NAND閃存從SLC到MLC再到TLC，可以說一步步降低了成本，提升了容量，這是它們得以普及的關(guān)鍵?，F(xiàn)在QLC閃存在這一年中發(fā)展迅猛，大有搶TLC風(fēng)頭的意味，而更渣的PLC閃存也在路上了。

所謂SLC、MLC、TLC、QLC及PLC，指的是閃存的類型，它們每個cell單元分別存放1、2、3、4、5位電荷，所以容量越來越大，但是代價就是寫入速度越來越低，P/E壽命越來越渣，QLC的P/E次數(shù)宣傳上有1000次，實際大概是幾百次，F(xiàn)LC時代弄不好要跌到100次內(nèi)了。從消費者角度來說，QLC閃存都很難接受，更別提再渣一等的PLC閃存，這壽命和速度看著不讓人放心。

但是閃存廠商對PLC閃存的研究早就開始了，隨著QLC閃存發(fā)展的第三、第四代，目前性能、容量、可靠性算是維持住底線了，研發(fā)中的FLC閃存進(jìn)入市場只是遲早的事。

從Intel之前的表態(tài)來看，他們早就規(guī)劃好FLC閃存了，好消息是其3D PLC閃存將仍舊堅守使用浮柵型結(jié)構(gòu)（Floating Gate），盡管當(dāng)前3D閃存的主流結(jié)構(gòu)是Charge Trap電荷捕獲型，但I(xiàn)ntel指出，浮柵型在讀取干擾、數(shù)據(jù)保持期上更優(yōu)秀。三星、東芝、美光、SK海力士、西數(shù)等公司的FLC閃存也是箭在弦上，只是時間早晚的事。

FLC閃存一定會被推到市場上，但是最終能不能被接受還不好說，SINA存儲網(wǎng)絡(luò)協(xié)會董事會成員J Metz認(rèn)為FLC閃存在技術(shù)上是不可避免的，但他對其市場前景表示懷疑，特別是TLC閃存等成本不斷下降的情況下。

根據(jù)J Metz的看法，阻礙FLC閃存的倒不是FLC本身缺點，而是廠商如果能在TLC或者QLC閃存上就做到需要的大容量、成本等指標(biāo)，那就沒必要去推FLC閃存，畢竟后者在技術(shù)、可靠性等方面確實需要更多投入。
（責(zé)任編輯：fqj）