4月13日，長江存儲科技有限責任公司宣布其128層QLC3DNAND閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量①。此次同時發(fā)布的還有128層512GbTLC（3bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號：X2-9060），以滿足不同應用場景的需求。

長江存儲X2-6070128LQLC1.33Tb3DNAND

長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊（Grace）表示：“作為閃存行業(yè)的新人，長江存儲用短短3年時間實現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越。這既是數(shù)千長存人汗水的凝聚，也是全球產(chǎn)業(yè)鏈上下游通力協(xié)作的成果。隨著Xtacking?2.0時代的到來，長江存儲有決心，有實力，有能力開創(chuàng)一個嶄新的商業(yè)生態(tài)，讓我們的合作伙伴可以充分發(fā)揮他們自身優(yōu)勢，達到互利共贏。”

Xtacking?2.0進一步釋放閃存潛能②

得益于Xtacking?架構(gòu)對3DNAND控制電路和存儲單元的優(yōu)化，長江存儲64層TLC產(chǎn)品在存儲密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表現(xiàn)，上市之后廣受好評。

在長江存儲128層系列產(chǎn)品中，Xtacking?已全面升級至2.0，進一步釋放3DNAND閃存潛能。在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2VVccq電壓下實現(xiàn)1.6Gbps（Gigabits/s千兆位/秒）的數(shù)據(jù)傳輸速率，為當前業(yè)界最高。由于外圍電路和存儲單元分別采用獨立的制造工藝，CMOS電路可選用更先進的制程，同時在芯片面積沒有增加的前提下Xtacking?2.0還為3DNAND帶來更佳的擴展性。未來，長江存儲將與合作伙伴攜手，構(gòu)建定制化NAND商業(yè)生態(tài)，共同推動產(chǎn)業(yè)繁榮發(fā)展。

長江存儲通過對技術創(chuàng)新的持續(xù)投入，已成功研發(fā)128層兩款產(chǎn)品，并確立了在存儲行業(yè)的技術創(chuàng)新領導力。憑借1.6Gb/s高速讀寫性能和1.33Tb高容量，長江存儲通過X2-6070再次向業(yè)界證明了Xtacking?架構(gòu)的前瞻性和成熟度，為今后3DNAND行業(yè)發(fā)展探索出一條切實可行的路徑。龔翊（Grace）強調(diào)：“我們相信，長江存儲128層系列產(chǎn)品將會為合作伙伴帶來更大的價值，具有廣闊的市場應用前景。其中，128層QLC版本將率先應用于消費級SSD，并逐步進入企業(yè)級服務器、數(shù)據(jù)中心等領域，以滿足未來5G、AI時代多元化數(shù)據(jù)存儲需求。”

X2-6070充分發(fā)揮QLC技術特點

QLC是繼TLC（3bit/cell）后3DNAND新的技術形態(tài)，具有大容量、高密度等特點，適合于讀取密集型應用。每顆X2-6070QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧，共有超過3，665億個有效的電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲單元，每個存儲單元可存儲4字位（bit）的數(shù)據(jù)，共提供1.33Tb的存儲容量。如果將記錄數(shù)據(jù)的0或1比喻成數(shù)字世界的小“人”，一顆長江存儲128層QLC芯片相當于提供3，665億個房間，每個房間住4“人”，共可容納約14，660億“人”居住，是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。

閃存和SSD領域知名市場研究公司ForwardInsights創(chuàng)始人兼首席分析師GregoryWong認為：“QLC降低了NAND閃存單位字節(jié)（Byte）的成本，更適合作為大容量存儲介質(zhì)。隨著主流消費類SSD容量邁入512GB及以上，QLCSSD未來市場增量將非常可觀。”Gregory同時表示：“與傳統(tǒng)HDD相比，QLCSSD更具性能優(yōu)勢。在企業(yè)級領域，QLCSSD將為服務器和數(shù)據(jù)中心帶來更低的讀延遲，使其更適用于AI計算，機器學習，實時分析和大數(shù)據(jù)中的讀取密集型應用。在消費類領域，QLC將率先在大容量U盤，閃存卡和SSD中普及。”

注：

①對比范圍：截至2020年4月13日，全球已公開發(fā)布的3DNANDFlash存儲芯片。

②長江存儲、YMTC，YM圖形徽標和Xtacking是長江存儲科技有限責任公司或其分子公司在中國和/或其他國家/地區(qū)的商標。

長江存儲科技有限責任公司成立于2016年7月，總部位于“江城”武漢，是一家專注于3D NAND閃存設計制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，同時也提供完整的存儲器解決方案。長江存儲為全球合作伙伴供應3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲芯片以及消費級、企業(yè)級固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案，廣泛應用于移動通信、消費數(shù)碼、計算機、服務器及數(shù)據(jù)中心等領域。

2017年10月，長江存儲通過自主研發(fā)和國際合作相結(jié)合的方式，成功設計制造了中國首款3D NAND閃存。2019年9月，搭載長江存儲自主創(chuàng)新Xtacking?架構(gòu)的64層TLC 3D NAND閃存正式量產(chǎn)。截至目前長江存儲已在武漢、上海、北京等地設有研發(fā)中心，全球共有員工5000余人，其中研發(fā)工程師約2000人。通過不懈努力和技術創(chuàng)新，長江存儲致力于成為全球領先的NAND閃存解決方案提供商。

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