5月12日消息，兆易創新今日宣布，與領先的半導體IP供應商Rambus Inc. 就RRAM （電阻式隨機存取存儲器） 技術簽署專利授權協議。同時，兆易創新還與其同Rambus 以及幾家戰略投資伙伴的合資企業——合肥睿科微（Reliance Memory）簽署了授權協議 。根據協議內容，兆易創新從Rambus和睿科微獲得180多項RRAM技術相關專利和應用，這將有助于兆易創新在新型存儲器RRAM領域的前瞻性技術布局，從而為嵌入式產品提供更豐富的存儲解決方案。

RRAM作為一種非易失性隨機存儲方式，能夠在改變電壓的前提下，通過改變電介質的電阻進行存儲。 RRAM擁有獨特物理與器件特性，可在工藝后端線（BEOL） 以列陣結構制造，其列陣結構的低電壓特性能夠有效降低MCU產品中嵌入式非易失性存儲解決方案的功耗，非常適合物聯網應用; 此外，根據學術界與行業發表的相關文獻，在平衡性能、可靠性及成本的方面，RRAM有可能成為在DRAM和Flash之間一種可行的存儲級內存（SCM）。

Rambus的大名很多DIY玩家都聽說過，當年P4時代與Intel合作的RDRAM內存技術很先進，不過最后被AMD及其他廠商力推的DDR內存擊敗，Rambus退出了實體內存領域，專做內存授權了。

這十幾年來，Intel、AMD、NVIDIA、高通、三星等公司先后都被Rambus拿下，簽訂了專利授權協議。如今中國公司也要進軍內存市場了，專利授權也是繞不過去的，只要費用公平合理，金錢換市場是必然的，畢竟美國公司在這方面積累了太長時間了。

4月27日，合肥長鑫公司跟Rambus簽署了內存授權協議，不過沒有公布內存授權的具體內容。今天，Rambus又跟兆易創新簽署了類似的協議，后者也獲得了內存專利授權，同樣沒有公布具體金額。

兆易創新是國產存儲芯片的龍頭企業，不過之前主要是在NOR市場上，近年來也在積極進軍內存市場，前兩年還跟合肥長鑫簽署了內存合作協議，共同研發19nm內存，兆易創新的創始人朱一鳴還是合肥長鑫的董事長。

不過合肥長鑫之前公布的股權結構來看，兆易創新沒有任何股份，除了部分高管重合之外，兩家公司是獨立運營的，否則也不會有兩份Rambus授權了。

根據兆易創新之前發布的公告，去年底該公司融資33.2億元，主要用于DRAM內存研發及產業化，最快2021年開始量產。

在募資公告中，兆易創新公布了這個項目的預計實施時間及整體進度安排，具體如下：

·2020年，兆易創新將啟動首款DRAM芯片產品定義，包括市場定位、產品規格及芯片設計工藝。

·2020年，兆易創新將定義首款芯片的生產職稱，并將經過驗證后的設計開展流片試樣，反復修改直至通過系統驗證。

·2021年，對首款芯片試樣進行封裝測試，并送交系統芯片商進行功能認證，并最終通過客戶驗證。

·2021年，首款芯片通過驗證之后進行小批量生產，測試成功后進行大批量生產。

·2022-2025年，進行新系列芯片研發及量產。

兆易創新是一家扎根中國，服務全球的國際化公司，兆易創新一直密切關注存儲領域的技術創新，積極進行戰略布局，開拓具有差異化的細分市場。早在2018年5月，兆易創新就攜手Rambus以及其他全球知名半導體投資機構創辦了以RRAM技術為核心業務的合資公司合肥睿科微。

兆易創新董事長朱一明先生表示：“兆易創新一直以創新為己任，多年來致力新技術革新，強化產品競爭力，重視核心專利， 此次獲得Rambus和睿科微針對RRAM技術的授權，有助于我們為客戶提供更具創新特色的存儲解決方案。”

Rambus技術合作和企業發展高級副總裁Kit Rodgers表示：“兆易創新在全球閃存領域已取得顯著的成績，我們很高興能夠將RRAM專利方案授權給兆易創新，此次授權能夠幫助其在存儲器領域開發創新型的解決方案，并加速其商用的進程。”

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