（文章來源：集邦咨詢）

根據集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）調查顯示，美國商務部工業和安全局（BIS）于5月15日公布針對華為出口管制的新規范，未來使用美國半導體相關設備的外國芯片制造商必須要特別申請核準，才可對華為、海思以及其他相關公司出貨。

雖然相關法條仍存有進一步解釋的空間，但目前觀察對于存儲器的采購（含DRAM與NAND Flash）影響有限，各原廠仍可繼續對華為出貨。但值得注意的是，美國對于華為或其他中國品牌的規范力道會持續增強，因此對于后續存儲器的供給或需求面的沖擊還需要持續觀察評估。

以存儲器的需求面來說，主要觀察重點在于禁令是否會沖擊華為的終端出貨表現（涵蓋智能手機、筆記本電腦、服務器相關以及網通產品）。集邦咨詢認為，對于目前關鍵零部件庫存量相對足夠的智能手機、筆電與服務器等產品而言，短期內的出貨沖擊較低；主要影響可能是在5G基站、網通類別產品的后續出貨動能。然而，考慮禁令仍有120天的緩沖期，加上華為先前為避免受禁制令影響，已預先拉高零部件庫存，因此集邦咨詢認為，禁令對華為終端出貨造成具體沖擊的時間點最快會落在2020年第四季以后。

集邦咨詢認為，目前所有存儲器原廠生產之DRAM、NAND Flash以及其他相關解決方案的產品設計并未針對華為、海思以及其相關公司特別研發，因此對華為等公司的出貨不受此次禁令的限制。至于美國的存儲器供貨商（美光與英特爾）也因為先前已取得特殊出貨許可，因此仍可照常對華為出貨。

不過，美國對華為及其相關公司甚至其他中國品牌的制裁力道可能會繼續增強，因此，就算存儲器的供給面順暢無虞，但終端出貨的沖擊仍將難以避免。先前在新冠肺炎疫情持續擴散的考慮下，集邦咨詢已全面下修2020年DRAM與NAND Flash均價的預估，而美國對其他中國品牌的相關制裁將使得后續價格面臨更大壓力。

另一方面，近年來中國對半導體生產自主化的急迫性快速增加，其中最重要的環節就是存儲器相關產品。目前長江存儲即將量產128層3D NAND產品，而長鑫存儲已經有19納米的DDR4產品小量問世，足以代表中國近三到五年來在內存自主研發上已得到初步成果。在美國對中國制裁力道持續增強的態勢下，中國的存儲器發展勢必會更為積極，以降低對其他國家的依賴程度。
（責任編輯：fqj）