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國家存儲器基地項目二期開工,規(guī)劃月產(chǎn)能20萬至30萬片

如意 ? 來源:觀察者網(wǎng) ? 作者:觀察者網(wǎng) ? 2020-06-23 10:10 ? 次閱讀

6月20日,紫光集團發(fā)布消息,由長江存儲實施的國家存儲器基地項目二期(土建)在武漢東湖高新區(qū)開工,規(guī)劃產(chǎn)能20萬片/月,達產(chǎn)后與一期項目合計月產(chǎn)能將達30萬片。

不容忽視的是,行業(yè)龍頭三星近期也在閃存領(lǐng)域動作頻頻。6月1日,其宣布將在韓國平澤工廠擴產(chǎn)NAND閃存芯片,同時該公司在西安的閃存項目也在持續(xù)擴大投資,計劃建成全球規(guī)模最大閃存芯片制造基地。

觀察者網(wǎng)注意到,受上述消息影響,A股早盤,光刻膠、半導(dǎo)體、國產(chǎn)芯片等板塊紛紛走強。個股方面,瑞芯微、北方華創(chuàng)、中微公司、北京君正、華特氣體、華峰測控等集成電路概念股均大幅上漲。

一期主要實現(xiàn)技術(shù)突破

紫光集團介紹,長江存儲國家存儲器基地項目由紫光集團、國家集成電路基金、湖北省科投集團和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè),計劃分兩期建設(shè)3D NAND閃存芯片工廠,總投資240億美元。

其中,項目一期于2016年底開工建設(shè),進展順利,32層、64層存儲芯片產(chǎn)品已實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)。

在開工儀式上,紫光集團、長江存儲董事長趙偉國表示,國家存儲器基地項目一期開工建設(shè)以來,從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲器芯片工廠,實現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。

在64層3D NAND閃存量產(chǎn)7個月后,長江存儲今年4月宣布新的研發(fā)進展,其跳過96層,成功研制出業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量的128層閃存。

談及量產(chǎn)時間,長江存儲當(dāng)時向觀察者網(wǎng)表示,配合前述產(chǎn)能,128層NAND閃存將于今年年底到明年上半年陸續(xù)量產(chǎn)。

西南證券6月21日分析指出,長江存儲一期主要實現(xiàn)技術(shù)突破,并建成10萬片月產(chǎn)能,計劃將于2020年底滿產(chǎn),考慮到國外廠商擴產(chǎn)情況,屆時長江存儲市全球占率將達5%左右。

“2018年長江存儲突破32層3D閃存,與國外差距3-4年;2019年其實現(xiàn)64層技術(shù)量產(chǎn),與國外差距縮小至2年;今年4月,長江存儲128層QLC 3D閃存研制成功,若128層年底實現(xiàn)量產(chǎn),則與三星、海力士、美光等國外廠商技術(shù)差距縮小至1年,一期的技術(shù)突破任務(wù)已基本完成。”該券商分析稱。

華創(chuàng)證券分析指出,存儲器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片,最能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模經(jīng)濟效益和先進制造工藝,也是中國進口金額最大的集成電路產(chǎn)品。近些年內(nèi)存、固態(tài)硬盤、顯卡價格屢現(xiàn)上漲,根源在于存儲芯片掌握在少數(shù)國外廠家手中。國產(chǎn)化將降低國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)品成本,并提升上游設(shè)備公司訂單。

6月9日,基于二季度數(shù)據(jù),SEMI(國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會)調(diào)整2021年全球晶圓廠設(shè)備開支規(guī)模的預(yù)測值,由此前預(yù)估的657億美元上調(diào)至創(chuàng)紀(jì)錄的677億美元,預(yù)計同比增長率為24%。其中,存儲器工廠的設(shè)備開支規(guī)模最大,預(yù)計達到300億美元。

前述券商統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,截至今年6月20日,國內(nèi)設(shè)備廠商在長江存儲中標(biāo)數(shù)量排名依次為:北方華創(chuàng)(中標(biāo)56臺)、屹唐(46)、中微公司(38)、盛美半導(dǎo)體(18)、華海清科(11)、精測電子(8)、沈陽拓荊(5)、中科飛測(3)、睿勵(2),覆蓋刻蝕、沉積、檢測、清洗、CMP多個領(lǐng)域。

三星、海力士紛紛擴產(chǎn)

事實上,目前全球閃存市場仍高度集中且被國外廠商壟斷。2020年一季度,三星、鎧俠(東芝)、西部數(shù)據(jù)、美光、海力士、英特爾等在全球閃存市場合計占有率超99%。

3月底,集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心DRAMeXchange)的調(diào)查顯示,雖然新冠疫情蔓延,使得2020年第一季度的終端產(chǎn)品出貨動能格外疲弱,但在閃存(NAND Flash)領(lǐng)域,由于2020年全年供給收縮,加上各大供應(yīng)商資本支出保守,第一季NAND Flash均價在淡季仍上漲約5%。

展望第二季度,該機構(gòu)指出,北美及中國市場數(shù)據(jù)中心的買方態(tài)度仍相當(dāng)積極,企業(yè)級固態(tài)硬盤(Enterprise SSD)也成為所有應(yīng)用類別中缺貨態(tài)勢最為明顯的產(chǎn)品。由于Enterprise SSD占整體NAND Flash出貨比重持續(xù)提升,因此價格的強勁表現(xiàn)也帶動第二季整體NAND Flash均價將上漲至少5%。

而隨著“宅經(jīng)濟”推動對存儲需求的增加,加之價格上漲,龍頭廠商也紛紛開始擴產(chǎn)。

6月1日,路透社報道,三星電子宣布,將擴大其在韓國平澤市(Pyeongtaek)的NAND閃存芯片生產(chǎn)能力,以押注未來對個人計算機和服務(wù)器的需求,因為新冠病毒促使更多人在家工作。

報道指出,三星計劃在明年下半年大規(guī)模生產(chǎn)該芯片,新增的產(chǎn)能將有助于滿足對5G手機和其他設(shè)備的需求。分析師預(yù)計,三星此次投資額將在7萬億韓元至8萬億韓元(約合65億美元)之間。

7個月前,三星宣布啟動西安閃存芯片(NAND)項目二期第二階段80億美元(約合人民幣563億元)投資。項目建成后將新增產(chǎn)能每月13萬片,使西安成為全球規(guī)模最大的閃存芯片制造基地。

與此同時,據(jù)DIGITIMES今年4月報道,SK海力士將在韓國M15工廠增加NAND Flash產(chǎn)能。

報道指出,之前因為市場供過于求,SK海力士把2019年NAND Flash晶圓較2018年減少10%以上,這也導(dǎo)致其產(chǎn)能爬坡速度有所減緩,不過在三星投資加速刺激下,SK海力士或也在考慮提高增產(chǎn)速度。

觀察者網(wǎng)專欄作者鐵流此前分析,由于中國企業(yè)在NAND Flash和DRAM兩種存儲芯片方面的市場占有率微乎其微,且NAND Flash和DRAM被少數(shù)國際大廠所壟斷,特別是韓國企業(yè)擁有非常高的市場份額,這直接導(dǎo)致存儲芯片價格很容易受到壟斷企業(yè)決策影響……長江存儲在64層NAND上取得突破,未來將有效緩解了在NAND上單一依賴進口供應(yīng)的局面。

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