EUV光刻機(jī)的價(jià)值 芯片廠商造不出7nm以下工藝芯片
作為半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)過(guò)程中最重要的裝備，光刻機(jī)一直牽動(dòng)人心。事實(shí)上，制程工藝越先進(jìn)就要離不開(kāi)先進(jìn)光刻機(jī)。
光刻是半導(dǎo)體芯片制造中最費(fèi)時(shí)間也是最費(fèi)成本的環(huán)節(jié)之一，而且它決定了芯片的工藝水平，常說(shuō)的XXnm工藝主要是看光刻機(jī)水平，10nm工藝之后難度越來(lái)越大，光刻機(jī)也需要升級(jí)到EUV級(jí)別。
ASML副總裁Anthony Yen日前表態(tài)，如果沒(méi)有EUV光刻機(jī)，那么芯片廠商是造不出7nm以下工藝芯片的。
目前ASML公司是唯一一個(gè)能生產(chǎn)EUV光刻機(jī)的公司，他們做出這樣的表態(tài)其實(shí)也不讓人意外，畢竟這是一臺(tái)售價(jià)高達(dá)1.2億歐元、約合10億一臺(tái)的高端設(shè)備，全球半導(dǎo)體制造廠商都要看ASML的臉色。
臺(tái)積電在第一代7nm工藝上沒(méi)有使用EUV光刻機(jī)，但是7nm之后的工藝就很難避開(kāi)EUV光刻機(jī)了，理論上可以用多重曝光的方式制造5nm級(jí)別的芯片，但是成本、良率都是個(gè)問(wèn)題，無(wú)法拒絕EUV光刻機(jī)。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
ASML
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
718瀏覽量
41258 -
EUV光刻機(jī)
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
128瀏覽量
15150
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
光刻機(jī)巨頭ASML業(yè)績(jī)暴雷，芯片迎來(lái)新一輪“寒流”？
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）作為芯片制造過(guò)程中的核心設(shè)備，光刻機(jī)決定著芯片工藝的制程。尤其是EUV光刻
納米壓印光刻技術(shù)應(yīng)用在即，能否掀起芯片制造革命？
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）提及芯片制造，首先想到的自然是光刻機(jī)和光刻技術(shù)。而眾所周知，EUV光刻機(jī)產(chǎn)能有限而且成本高昂，業(yè)界一直都在探索
組成光刻機(jī)的各個(gè)分系統(tǒng)介紹
? 本文介紹了組成光刻機(jī)的各個(gè)分系統(tǒng)。 光刻技術(shù)作為制造集成電路芯片的重要步驟，其重要性不言而喻。光刻機(jī)是實(shí)現(xiàn)這一工藝的核心設(shè)備，它的工作原
日本首臺(tái)EUV光刻機(jī)就位
據(jù)日經(jīng)亞洲 12 月 19 日?qǐng)?bào)道，Rapidus 成為日本首家獲得極紫外 (EUV) 光刻設(shè)備的半導(dǎo)體公司，已經(jīng)開(kāi)始在北海道芯片制造廠內(nèi)安裝極紫外光刻系統(tǒng)。 它將分四個(gè)階段進(jìn)行安裝，
用來(lái)提高光刻機(jī)分辨率的浸潤(rùn)式光刻技術(shù)介紹
? 本文介紹了用來(lái)提高光刻機(jī)分辨率的浸潤(rùn)式光刻技術(shù)。 芯片制造：光刻技術(shù)的演進(jìn) 過(guò)去半個(gè)多世紀(jì)，摩爾定律一直推動(dòng)著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，但當(dāng)光刻機(jī)
光刻機(jī)的工作原理和分類
? 本文介紹了光刻機(jī)在芯片制造中的角色和地位，并介紹了光刻機(jī)的工作原理和分類。? ? ? ?? 光刻機(jī)：芯片制造的關(guān)鍵角色 ? ?
今日看點(diǎn)丨 2011億元!比亞迪單季營(yíng)收首次超過(guò)特斯拉；三星將于2025年初引進(jìn)High NA EUV光刻機(jī)
1. 三星將于2025 年初引進(jìn)High NA EUV 光刻機(jī)，加快開(kāi)發(fā)1nm 芯片 ? 據(jù)報(bào)道，三星電子正準(zhǔn)備在2025年初引入其首款High NA
發(fā)表于 10-31 10:56
?827次閱讀
所謂的7nm芯片上沒(méi)有一個(gè)圖形是7nm的
最近網(wǎng)上因?yàn)?b class='flag-5'>光刻機(jī)的事情，網(wǎng)上又是一陣熱鬧。好多人又開(kāi)始討論起28nm/7nm的事情了有意無(wú)意之間，我也看了不少網(wǎng)上關(guān)于國(guó)產(chǎn)自主7nm工藝的
俄羅斯首臺(tái)光刻機(jī)問(wèn)世
的一部分，目前正在對(duì)其進(jìn)行測(cè)試，該設(shè)備可確保生產(chǎn)350nm的芯片。什帕克還指出，到2026年將獲得130nm的國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)，下一步將是開(kāi)發(fā)90nm
俄羅斯推出首臺(tái)光刻機(jī)：350nm
的芯片。Shpak表示，“我們組裝并制造了第一臺(tái)國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)。作為澤廖諾格勒技術(shù)生產(chǎn)線的一部分，目前正在對(duì)其進(jìn)行測(cè)試。”俄羅斯接下來(lái)的目標(biāo)是在2026年制造可以支持130nm工藝的
臺(tái)積電A16制程采用EUV光刻機(jī)，2026年下半年量產(chǎn)
據(jù)臺(tái)灣業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電并未為A16制程配備高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻機(jī)，而選擇利用現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)進(jìn)行生產(chǎn)。相較之下，英特爾和三星則計(jì)劃在此階段使用最新的High-N
光刻機(jī)的發(fā)展歷程及工藝流程
光刻機(jī)經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展，每次改進(jìn)和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機(jī)所能實(shí)現(xiàn)的最小工藝節(jié)點(diǎn)。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和EUV；按照工作原理依次從接觸接近式
發(fā)表于 03-21 11:31
?6438次閱讀
2024年全球與中國(guó)7nm智能座艙芯片行業(yè)總體規(guī)模、主要企業(yè)國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)占有率及排名
市場(chǎng)分析、供應(yīng)鏈分析、主要企業(yè)情況、市場(chǎng)份額、并購(gòu)、擴(kuò)張等
如果您有興趣查閱詳情和報(bào)價(jià)，請(qǐng)薇?: chenyu-youly確認(rèn)。
報(bào)告摘要
本文側(cè)重研究全球7nm智能座艙芯片總體規(guī)模及主要廠商占有率
發(fā)表于 03-16 14:52
ASML 首臺(tái)新款 EUV 光刻機(jī) Twinscan NXE:3800E 完成安裝
EUV 光刻機(jī)持續(xù)更新升級(jí)，未來(lái)目標(biāo)在 2025 年推出 NXE:4000F 機(jī)型。 上兩代 NXE 系列機(jī)型 3400C 和 3600D 分別適合 7~5、5~3 納米節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)，德媒 ComputerBase 因此預(yù)測(cè) 38
光刻機(jī)結(jié)構(gòu)及IC制造工藝工作原理
光刻機(jī)是微電子制造的關(guān)鍵設(shè)備，廣泛應(yīng)用于集成電路、平面顯示器、LED、MEMS等領(lǐng)域。在集成電路制造中，光刻機(jī)被用于制造芯片上的電路圖案。
發(fā)表于 01-29 09:37
?3562次閱讀
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論