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5G基站建設將迎來高峰,這些訊號會給半導體產業帶來哪些利好?

我快閉嘴 ? 來源:中電網 ? 作者:中電網 ? 2020-07-16 15:14 ? 次閱讀

如今,5G商用進程不斷提速,加之前段時間高層多次點名”新基建”,5G基站建設或將迎來高峰,這些訊號將會給半導體產業帶來哪些利好?作為全球知名半導體廠商,羅姆(ROHM)在5G方面的戰略布局是怎樣的?5G之下,羅姆將如何乘勢而為?

據了解,羅姆針對無線基站推出了多款解決方案,包括SiC功率元器件、MOSFETDC/DC轉換器等,助力電信運營商及設備生產商更好地完成4G到5G的平穩升級。

<針對UPS供電的電源IC>

羅姆針對UPS供電方式,提供外置FET的升降壓開關控制器“BD9035AEFV-C”、1ch同步降壓型DC/DC轉換器“BD9B304QWZ”以及“BD9F800MUX”。

BD9035AEFV-C的輸入電壓范圍為3.8V~30V,開關頻率在100kHz~600kHz,能夠在-40℃~+125℃工作溫度范圍內穩定運轉。這些優質特性讓其不僅能夠用于基站建設,還能夠應用于汽車設備、工業設備和其他電子設備。

BD9F800MUX輸入電壓范圍為4.5V~28V,開關頻率在300kHz或600kHz,最大輸出電流為8.0A,封裝尺寸為3.5mm×3.5mm×0.6mm。在基站建設方面,可用于DSPFPGA微處理器等的降壓電源。此外,也可用于液晶電視、DVD /藍光播放器、錄像機、機頂盒等消費電子設備。

BD9B304QWZ的主要優點是通過高效率實現低功耗工作。Deep-SLLM控制(升級版低負荷高效率模式)可實現80%以上的效率。同時,BD9B304QWZ是內置MOSFET的同步整流器,無需外部FET和二極管,節省安裝空間,實現了低成本。

基于上述各自的優點,BD9B304QWZ和BD9F800MUX雖然特性各不相同,但是應用范圍基本相同,可用于基站建設中DSP、FPGA、微處理器等的降壓電源,也可用于液晶電視、DVD /藍光播放器、錄像機、機頂盒等消費電子設備。

<針對HVDC供電的電源IC>

針對HVDC供電方式,羅姆提供80V/3A DC/DC 轉換器“BD9G341AEFJ-LB”等產品

BD9G341AEFJ-LB內置80V/3.5A/150mΩ的Nch功率MOSFET,采用電流模式控制,實現了高速瞬態響應和簡便的相位補償設定。除了內置過流保護、欠壓鎖定、過熱保護、過壓保護等這些基本保護功能外,還能實現了0μA待機電流和軟啟動。相比一般產品,BD9G341AEFJ-LB實現了諸多方面的突破,包括更高的工作電壓、更大的工作電流和更小的封裝尺寸等。在300kHz、Vo=5V、VCC=24V的工作條件下,當輸出電流在0~100mA范圍時,BD9G341AEFJ-LB相較于一般產品在能效上提高了8%-17.6%。

為了滿足未來包括基站電源在內的龐大的市場需求,羅姆將在DC/DC轉換器方面繼續開發相關產品。

<為5G基站帶來革新的SiC功率元器件>

當然,除了供電方式發生變化,5G基站建設對器件材料變革也有推動作用。由于高頻、高溫、抗輻射以及大功率等挑戰,以SiC功率元器件為首的高性能半導體材料將在5G建設上有重要應用。為了幫助客戶更好地應對5G基站建設過程中的上述挑戰,羅姆已經推出第三代碳化硅材料的肖特基勢壘二極管(SiC-SBD)。相較于第二代產品,第三代擁有更好的正向電壓(VF)特性和更好的反向電流(IR)特性。

得益于羅姆第三代SiC-SBD更好的VF和IR特性,客戶在設計產品的過程中可以采用更低的開啟電壓,在正向切為反向時,為了降低功耗,器件將產生更小的瞬態電流。但是,因為SiC-SBD的瞬態電流本質上不隨正向電流變化,恢復時產生的恢復電流很小,降低了系統噪聲。

相比一般產品,第三代 650V SiC-SBD表現出更好的產品性能,包括實現更高的IFSM,更低的漏電流,以及進一步降低VF等。

目前,羅姆在650V SiC-SBD方面擁有豐富的產品組合。

面對5G基站建設多樣化的需求和復雜的應用環境所帶來的挑戰,羅姆將持續保證所供應電源器件的穩定性和耐久性,助力運營商和設備廠商完成高速穩定的網絡覆蓋。
責任編輯:tzh

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