根據Omdia的一項新研究，在電動汽車和光伏應用需求的推動下，預計到2020年底，SiC MOSFET的全球市場規模將達到3.2億美元。憑借更高的擊穿電壓、更好的熱性能和更低的開關損耗，SiC MOSFET正在取代硅MOSFET和IGBT，并已成為制造更小更輕的逆變器的熱門選擇。
PI的SIC1182K和汽車級SIC118xKQSCALE-iDriver IC是單通道SiC MOSFET門極驅動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。
SCALE-2門極驅動核和其他SCALE-iDriver門極驅動器IC還支持不同SiC架構中的不同電壓，允許使用SiC MOSFET進行安全有效的設計。
為何使用SCALE門極驅動器來驅動SiC MOSFET？
可以通過外部VEE電路來調整門極電壓
≤2μs的超快速短路關斷
大輸出電流及絕緣能力
帶dv/dt反饋的動態高級有源鉗位
開關頻率可高達500 kHz
深入了解：
訪問驅動SiC MOSFET功率開關技術頁面
下載應用指南AN-1601 - 使用SCALE門極驅動器控制SiC MOSFET功率開關
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原文標題：使用SCALE門極驅動器驅動SiC MOSFET
文章出處：【微信號：Power_Integrations，微信公眾號：PI電源芯片】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
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