化合物半導體在軍事中的應用領(lǐng)域也不少，在大功率的高速交通工具也是關(guān)鍵材料，所以被各國視為戰(zhàn)略物資，半絕緣的化合物半導體甚至要拿到證明才可以出口，是相當重要的上游材料。

我國第三代半導體材料也在緊鑼密鼓的布局和謀劃，據(jù)不完全統(tǒng)計，已有15家半導體企業(yè)投資化合物半導體，可以看出第三代半導體項目在國內(nèi)已處于井噴。

士蘭微

2018年10月18日，士蘭微廈門12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線暨先進化合物半導體生產(chǎn)線在海滄動工。這是國內(nèi)首條12英寸特色工藝芯片制造生產(chǎn)線和下一代化合物生產(chǎn)線。

士蘭微電子廈門項目將建設兩條12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線，及一條先進化合物半導體器件生產(chǎn)線。其中兩條12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線總投資170億元，第一條芯片制造生產(chǎn)線總投資70億元，規(guī)劃產(chǎn)能8萬片/月，分兩期實施。第二條芯片制造生產(chǎn)線，預計總投資100億元，定位為功率半導體芯片及MEMS傳感器。項目一期預計2020年完成廠房建設及設備安裝調(diào)試，2021年實現(xiàn)通線生產(chǎn)，2022年達產(chǎn)。項目二期2022年前后啟動，2024年達產(chǎn)。

另一條先進化合物半導體器件生產(chǎn)線總投資50億元，定位為第三代功率半導體、光通訊器件、高端LED芯片。項目一期預計在2019年第一季度完成廠房建設及設備安裝調(diào)試，2019年實現(xiàn)通線生產(chǎn)，2021年達產(chǎn)；項目二期計劃2021年啟動，2024年達產(chǎn)。

康鵬

浙江康鵬半導體有限公司年產(chǎn)300萬片化合物半導體基板材料項目，由北京卜俊鵬團隊、乾照光電、福建安芯基金聯(lián)合投資，項目占地面積34.19畝，總建筑面積約3.2萬平方米，項目可實現(xiàn)年產(chǎn)4英寸砷化鎵晶片200萬片，年產(chǎn)6英寸砷化鎵晶片100萬片，年銷售額可達8億元。

康鵬半導體項目的技術(shù)運營團隊都是從事砷化鎵工作具有十年以上的成員組成，在國內(nèi)具有較高的技術(shù)水平和長期的一線生產(chǎn)經(jīng)驗。“這一項目屬于半導體材料端創(chuàng)新研發(fā)成果的產(chǎn)業(yè)化，對國產(chǎn)半導體材料的強鏈補鏈具有突破性意義，填補了國內(nèi)射頻芯片用砷化鎵襯底材料產(chǎn)業(yè)的空白。”浙江康鵬半導體有限公司董事長、首席技術(shù)專家卜俊鵬說，該項目的投產(chǎn)不僅可以助力信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展，而且對國家在該領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)自主可控具有現(xiàn)實意義。

溢泰

據(jù)了解，該化合物半導體新材料產(chǎn)業(yè)園計劃投資21億元，規(guī)劃建設年產(chǎn)240萬片4英寸光電用砷化鎵晶片、36萬片6英寸微電用砷化鎵晶片、120萬片2英寸磷化銦晶片、6萬片6英寸碳化硅晶片、120萬片2英寸鉭酸鋰晶片、化合物半導體新材料研發(fā)中心等6個子項目。

根據(jù)溢泰半導體2019年4月公布的年產(chǎn)240萬片4英寸砷化鎵拋光片項目公眾參與說明顯示，年產(chǎn)240萬片4英寸砷化鎵拋光片項目總投資2.5億元。

當前，作為半絕緣砷化鎵下游產(chǎn)業(yè)的砷化鎵集成電路業(yè)市場平均增長近年都在40%以上，砷化鎵射頻器件市場具有30%的年增長，加之衛(wèi)星通訊系統(tǒng)和車載雷達用砷化鎵單晶的潛在市場，半絕緣砷化鎵的需求前景較好。

仁奇

6月15日，太極實業(yè)發(fā)布公告稱，公司控股子公司信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設計研究院科技工程股份有限公司（“十一科技”）與江蘇仁奇科技有限公司（“江蘇仁奇”，項目業(yè)主）就江蘇仁奇發(fā)包的江蘇仁奇科技有限公司芯片產(chǎn)業(yè)園項目簽訂了《EPC總承包工程同》。公告指出，江蘇仁奇科技有限公司芯片產(chǎn)業(yè)園項目擬利用2年時間，在江蘇宿遷泗陽經(jīng)濟開發(fā)區(qū)建成一個涵蓋芯片制造、封測、研發(fā)的產(chǎn)業(yè)化基地，形成年產(chǎn)6英寸0.25um芯片線60萬片，年封測10億顆的生產(chǎn)能力。根據(jù)泗陽人民政府此前發(fā)布的公告稱，同意江蘇仁奇科技有限公司在擬定地點（江蘇泗陽經(jīng)濟開發(fā)區(qū)太湖路東側(cè)、浙江路北側(cè)）年產(chǎn)18萬片GaAs、年封測13億片集成電路項目。由此看來，江蘇任奇此次的投資布局應是瞄準化合物半導體砷化鎵領(lǐng)域。

中微科技

6月23日，四川邛崍市舉行天府新區(qū)新能源新材料產(chǎn)業(yè)功能區(qū)重大項目集中簽約儀式暨2020年下半年重點項目攻堅行動啟動大會，會上簽約的中微科技化合物半導體材料研究中心（獨角獸工場）項目總投資15億元，建筑面積約4.1萬平方米，主要以化合物半導體材料及微波射頻芯片、相控陣雷達、5G通信、衛(wèi)星通信、微波定向能應用產(chǎn)品線為主導，重點圍繞化合物半導體全產(chǎn)業(yè)鏈進行項目建設、研發(fā)、測試和產(chǎn)業(yè)化應用建設的科技創(chuàng)新平臺。

惠科

5月19日，青島市即墨區(qū)惠科6英寸晶圓半導體功率器件及第三代半導體項目舉辦封頂儀式。該項目是集功率半導體器件設計、制造、封裝測試為一體的全產(chǎn)業(yè)鏈項目。同時也是惠科電子有限公司第一個芯片生產(chǎn)廠區(qū)，投產(chǎn)后產(chǎn)品可應用在高鐵動力系統(tǒng)、汽車動力系統(tǒng)、消費及通訊電子系統(tǒng)等領(lǐng)域，月產(chǎn)芯片20萬片、WLCSP封裝10萬片，年銷售收入25億元，聚力打造國內(nèi)最大的功率器件生產(chǎn)基地，在集成電路產(chǎn)業(yè)方面是青島市具有里程碑意義的項目，對青島市發(fā)展自主可控的產(chǎn)業(yè)鏈具有更重要的意義。


英諾賽科

6月1日英諾賽科（蘇州）半導體有限公司項目主體施工已經(jīng)完成。英諾賽科寬禁帶半導體項目總投資68.55億元人民幣，注冊資本20億元，占地368.6畝，主要建設從器件設計，驅(qū)動IC設計開發(fā)，材料制造，器件制備，后段高端封測以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶半導體器件制造平臺。建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設計、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺。據(jù)規(guī)劃，項目開工后兩年內(nèi)投產(chǎn)，投產(chǎn)后三年實現(xiàn)年產(chǎn)78萬片功率控制電路及半導體電力電子器件的總目標，年銷售收入約80億元，年稅收不低于10億元。

博方嘉芯

3月3日，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司氮化鎵射頻及功率器件項目總投資25億元，占地111.35畝，于2019年11月7日簽約落地，全部達產(chǎn)后可實現(xiàn)年銷售30億元以上，可進一步推動南湖區(qū)集成電路新一代半導體產(chǎn)業(yè)。同時嘉興科技城與浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司正式簽約，共建第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院。

世紀金光

3月12日，世紀金光簽署投資協(xié)議并完成首期出資，這也標志著合肥首個第三代半導體產(chǎn)業(yè)項目正式落地。據(jù)悉，下一步，世紀金光將與合肥產(chǎn)投資本合作，在合肥高新區(qū)投資建設6英寸碳化硅單晶生長及加工項目。世紀金光是一家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導體企業(yè)，是致力于第三代半導體功能材料和功率器件研發(fā)與生產(chǎn)的國家級高新技術(shù)企業(yè)。

泰科天潤

3月29日，由泰科天潤半導體科技（北京）有限公司投資建設的6寸半導體碳化硅電力電子器件生產(chǎn)線項目正式簽約落戶九江經(jīng)開區(qū)。泰科天潤半導體科技（北京）有限公司是國內(nèi)第一家致力于第三代半導體材料碳化硅（SiC）電力電子器件制造的高新技術(shù)企業(yè)，總部坐落于中國北京中關(guān)村，在北京擁有一座完整的半導體工藝晶圓廠，可在4英寸SiC晶圓上實現(xiàn)半導體功率器件的制造工藝，并擁有目前國內(nèi)唯一一條碳化硅器件生產(chǎn)線。

中鴻新晶

4月8日，中鴻新晶總投資超百億的第三代半導體項目落戶濟南。據(jù)山東開發(fā)區(qū)官微指出，中鴻新晶第三代半導體產(chǎn)業(yè)集群項目總投資約111億元，總建設周期5年，分三期進行。資料顯示，中鴻新晶科技有限公司成立于2017年，是為第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈提供原材料和裝備解決方案的高科技企業(yè)、專業(yè)從事第三代半導體高純碳化硅微粉生產(chǎn)、碳化硅單晶爐的研發(fā)制造，碳化硅和氮化鎵芯片設計和制造的企業(yè)。

華通芯電

6月19日，上海市金山區(qū)與中國科技金融產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟線上簽約儀式舉行，華通芯電第三代化合物半導體項目正式落戶金山。據(jù)悉，該項目總投資29億元，固定資產(chǎn)投資22.7億元，計劃用地50畝，將通過第三方代建的模式，在上海金山購置土地并建設廠房和潔凈車間，項目分為兩階段實施，其產(chǎn)品將廣泛用于5G基站、雷達、微波等工業(yè)領(lǐng)域。

新微半導體

6月29日，在2020年中國（上海）自貿(mào)區(qū)臨港新片區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上，總投資80億元的新微半導體第三代化合物半導體制造平臺項目已經(jīng)簽約。該項目作為臨港新片區(qū)導入的重點產(chǎn)業(yè)項目，定位于戰(zhàn)略性材料和器件技術(shù)研發(fā)平臺和量產(chǎn)線，致力于解決國家在射頻毫米波、光電器件和電力電子器件等領(lǐng)域長期面臨的一系列“卡脖子”問題。

三安光電

7月20日，長沙三安第三代半導體項目開工活動在長沙高新區(qū)舉行。開工的長沙三安第三代半導體項目總投資160億元，總占地面積1000畝，主要建設具有自主知識產(chǎn)權(quán)的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。項目建成達產(chǎn)后將形成超百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，并帶動上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預計逾千億元。

露笑科技

7月30日，浙江紹興諸暨重大項目集中開工儀式在數(shù)字安防產(chǎn)業(yè)基地舉行。露笑科技子公司浙江露笑碳硅晶體有限公司新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項目參與了此次集中開工儀式。據(jù)悉，該項目計劃總投資6.95億元，項目主要采用碳化硅升華法長晶工藝及SiC襯底加工工藝，引進具有國際先進水平的6英寸導電晶體生長爐、4英寸高純半絕緣晶體生長爐等設備，購置多線切割機、拋光機等國產(chǎn)設備，建成后形成年產(chǎn)8.8萬片碳化硅襯底片的生產(chǎn)能力。

科友半導體

7月3日消息，科友半導體產(chǎn)學研聚集區(qū)項目在哈爾濱新區(qū)江北一體發(fā)展區(qū)正式開工建設，項目全部達產(chǎn)后，最終形成年產(chǎn)高導晶片近10萬片，高純半絕緣晶體1000公斤的產(chǎn)能；PVT-SIC晶體生長成套設備年產(chǎn)銷200臺套。目前，該公司已完成6英寸第三代半導體襯底制備，正在進行8英寸研制，有望成為國內(nèi)首家攻克8英寸第三代半導體襯底的企業(yè)，填補國內(nèi)空白。同時，還是國內(nèi)首家攻克8英寸第三代半導體裝備制造的企業(yè)。

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