日前，有媒體報道稱，據權威人士透露，“十四五”規劃之中，我國計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。一時間，資本市場聞風而動，第三代半導體概念股集體大漲。 國家重要政策大力支持第三代半導體行業，半導體板將迎來重大利好。LED產業鏈包括華燦光電、乾照光電、三安光電等都在積極布局第三代半導體。

全球風口之上的產業

據了解，第三代半導體以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、硒化鋅等寬帶半導體原料為主，更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件。 其中，氮化鎵材料廣泛應用于光電子器件，LED照明是典型的應用領域。而碳化硅則是多數LED芯片的原材料之一，因其優越的物理性能，被認為將是未來最被廣泛使用的制作半導體芯片的基礎材料。 隨著物聯網、大數據和人工智能驅動的新計算時代的發展，對半導體器件的需求日益增長，對器件可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛，第三代半導體開始逐漸受到市場的重視。 根據Omdia的《2020年SiC和GaN功率半導體報告》，到2020年底，全球SiC和GaN功率半導體的銷售收入預計達8.54億美元。未來十年將達年均兩位數增長率，到2029年銷售收入將超過50億美元。 但值得一提的是，由于對第三代半導體產業的布局較早，國際上已形成完整的覆蓋材料、器件、模塊和應用等環節的產業鏈多集中于美日歐。目前全球第三大半導體材料市場呈現出美日歐領先的格局。 數據顯示，美國占據全球碳化硅產量的70-80%；歐洲擁有完整的 SiC 襯底、外延片、器件以及應用產業鏈，日本則是設備和模塊開發方面的領先者。 其中，科銳（Cree）此前就曾表示為推進從硅(Si)向碳化硅(SiC)的產業轉型，目前正在美國紐約州Marcy建造全球最大的碳化硅(SiC)制造工廠。該工廠耗資近10億，按照最初計劃，將于2022年實現量產且將帶來25%的產能提升。

國內LED廠商的積極布局

相比起國際企業的加碼布局，中國的第三代半導體產業稍顯貧弱，在技術領先度、市場份額占比等方面較落后。但隨著第三半導體產業的重要性愈發突顯，各項支持政策也相繼出臺。 8月4日，國務院公開發布《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》強調，中國芯片自給率要在2025年達到70%。“中國半導體產業發展是非常有必要的，中國的崛起也必將大力發展半導體產業，以保證中國的電子信息產業的穩定發展。” 本次“傳聞”也據權威人士透露，我國計劃把大力支持發展半導體產業，寫入正在制定的“十四五”規劃，將在教育、科研、開發、融資、應用等各個方面，大力支持發展第三代半導體行業，以期實現產業獨立自主。 而隨著國內第三代半導體產業發展風頭正盛，國內LED企業也開始對第三代半導體領域積極布局。 6月16日，三安光電公告宣布，將在長沙投資建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發及產業化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產業鏈，投資總額160億元。7月20日，長沙三安第三代半導體項目開工。 決心實施“傳統產業+新型產業”雙輪驅動的發展戰略的露笑科技，也于8月8日與合肥市長豐縣人民政府簽署了戰略合作框架協議，共同投資建設第三代功率半導體（碳化硅）產業園，總規模預計高達100億元。 除此之外，據高工LED不完全統計，兆馳股份、華燦光電、乾照光電、士蘭微等諸多LED廠商正在布局第三代半導體產業。 其中兆馳股份副總裁嚴志榮表示，深圳具備完整的電子產業鏈，依托這一區域優勢，兆馳股份正積極進軍半導體行業，布局LED外延片和芯片。華燦光電也透露，在保持LED領域的領先地位和競爭力的同時，華燦光電持續加大產品研發投入和技術創新，積極布局第三代半導體材料與器件領域，發力GaN基電力電子器件領域。 由此看來，國家重要政策大力支持第三代半導體行業，半導體產業將迎來重大利好。在半導體國產化的趨勢下，布局第三代半導體或許已是大勢所趨。 目前第三代半導體材料氮化鎵已經成功在LED藍光芯片和激光芯片上得到了成功的商業應用，形成了較好商業效益。高工產研LED研究所（GGII）調研數據顯示，2019年全球MiniLED市場規模為15.8億元，預計2020年將同比增長140%達37.8億元。隨著技術不斷成熟及在細分市場滲透率提升，而第三代半導體或將助力 Mini /Micro LED等新興產業。