多層陶瓷電容器(MLCC)的價格在過去幾年急劇上漲，究其原因，與汽車、工業、數據中心和電信行業使用的電源數量增加有關。陶瓷電容被用在電源輸出端，用于降低輸出紋波，以及控制因為高壓擺率加載瞬變而導致的輸出電壓過沖和欠沖。輸入端則要求陶瓷電容進行解耦和過濾EMI，這是因為在高頻率下，它具備低ESR和低ESL。

為了提高工業和汽車系統的性能，需要將數據處理速度提高幾個等級，并且在微處理器、CPU、片上系統(SoC)、ASIC和FPGA上集成更多耗電器件。這些復雜的器件類型需要多條穩壓電軌：一般是內核0.8 V，DDR3和LPDDR4分別1.2 V和1.1 V，外設和輔助組件分別為5 V、3.3 V和1.8 V。降壓（降壓型）轉換器被廣泛用于調節電池或直流總線提供的電源。 例如，汽車中的高級駕駛員輔助系統(ADAS)產品組合大幅提升了陶瓷電容的使用率。隨著電信行業開始采用5G技術，也需要用到高性能電源，這也會顯著增加陶瓷電容的使用率。內核的電源電流從幾安培增加到幾十安培，且嚴格管控電源紋波、負載瞬變過沖/欠沖和電磁干擾(EMI)，這些都需要額外的電容。 更高的電源工作（開關）頻率可以降低瞬變對輸出電壓造成的影響，降低電容需求和整體解決方案的尺寸，但是更高的開關頻率往往會導致開關損耗增加，降低整體效率。能否在先進的微處理器、CPU、SoC、ASIC和FPGA需要極高的電流時，避免這種取舍并滿足瞬變要求？ ADI的單芯片 Silent Switcher2 降壓穩壓器系列幫助實現緊湊的解決方案尺寸、高電流能力和高效率，更重要的是，還具備出色的EMI性能。LTC7151S單芯片降壓穩壓器使用Silent Switcher 2架構來簡化EMI濾波器設計。谷電流模式可以降低輸出電容需求。我們來看看適合SoC的20 V輸入至1 V、15 A輸出解決方案。

01 面向SoC的20 V輸入、15 A解決方案

圖1所示為適合SoC和CPU功率應用的1 MHz、1.0 V、15 A解決方案，其中輸入一般為12 V或5 V，可能在3.1 V至20 V之間波動。只需要輸入和輸出電容、電感、幾個小型電阻和電容即會組成完整的電源。此電路易于修改，以生成其他輸出電壓，例如1.8 V、1.1 V和0.85 V，一直到0.6 V。輸出電軌的負回流（至 V–引腳）使得其能夠對負載附近的輸出電壓實施遠程反饋檢測，最大限度降低板路徑的壓降導致的反饋誤差。

圖1所示的解決方案使用LTC7151S Silent Switcher 2穩壓器，該穩壓器采用高性能集成式MOSFET，以及28引腳散熱增強型4 mm × 5 mm × 0.74 mm LQFN封裝。通過谷電流模式實施控制。內置保護功能，以最大限度減少外部保護組件的數量。

頂部開關的最短導通時間僅為20 ns（典型值），可以在極高頻率下直接降壓至內核電壓。熱管理功能支持可靠、持續地提供高達15 A的電流、20 V的輸入電壓，無散熱或氣流，因此非常適合電信、工業、交通運輸和汽車應用領域的SOC、FPGA、DSP、GPU和微處理器使用。

LTC7151S具備廣泛的輸入范圍，可以用作一級中間轉換器，支持多個下游負載點或LDO穩壓器在5 V或3.3 V時達到最高15 A。

圖1.適用于SoC和CPU的1 MHz、15 A降壓穩壓器的原理圖和效率。

02 使用最小的輸出電容，滿足嚴格的瞬變規格

一般來說，會擴大輸出電容，以滿足回路穩定性和負載瞬態響應要求。對于為處理器提供內核電壓的電源，這些要求尤其嚴格，必須出色地控制負載瞬變過沖和欠沖。例如，在負載階躍期間，輸出電容必須介入，立即提供電流來支持負載，直到反饋回路將開關電流增高到足以接管。一般來說，可以通過在輸出端安裝大量多層陶瓷電容來抑制過沖和欠沖，在快速負載瞬變期間滿足電荷存儲要求。 另外，提高開關頻率也可以改善快速回路響應，但這會增大開關損耗。 還有第三種選項：支持谷電流模式控制的穩壓器可以動態改變穩壓器的開關 TON和TOFF時間，以滿足負載瞬變需求。如此，可以大幅降低輸出電容，以滿足快速瞬變時間。圖2所示為LTC7151S Silent Switcher穩壓器立時響應4 A至12 A負載階躍和8 A/μs壓擺率之后的結果。 LTC7151S采用受控導通時間(COT)谷電流模式架構，支持開關節點在4 A至12 A負載階躍瞬變期間壓縮脈沖。在上升沿啟動約1 μs之后，輸出電壓開始恢復，過沖和欠沖則限制在46 mV峰峰值。圖2a中所示的3個100 μF陶瓷電容足以滿足典型的瞬變規格要求，如圖2b所示。圖2c顯示負載階躍期間的典型開關波形。

圖2.(a) 這種5 V輸入至1 V輸出的應用在2 MHz下運行，需要最小的輸出電容達到快速地響應(b)負載階躍，以及負載階躍期間的(c)開關波形。

03 3 MHz高效降壓型穩壓器可用于狹小空間

LTC7151S采用4 mm × 5 mm × 0.74 mm封裝，其中集成了MOSFET、驅動器和熱回路電容。讓這些組件彼此靠近可以降低寄生效應，以便快速開關這些開關，且保持很短的死區時間。開關的反并聯二極管的導通損耗也大大降低。集成式熱回路解耦電容和內置補償電路也可以幫助降低設計復雜性，最大限度減小解決方案的總體尺寸。

如前所述，頂部開關的20 ns（典型）最短間隔允許在高頻率下實現極低的占空比轉換，使得設計人員能夠利用極高頻率操作（例如3 MHz）來降低電感、輸入電容和輸出電容的大小和值。極為緊湊的解決方案適用于空間有限的應用，例如汽車和醫療應用領域的便攜式設備或儀器儀表。使用LTC7151S時，可以不使用大體積散熱組件（例如風扇和散熱器），這是因為LTC7151S支持高性能功率轉換，即使在極高頻率下也是如此。

圖3顯示在3 MHz開關頻率下運行的5 V至1 V解決方案。伊頓提供的小尺寸100 nH電感和3個100 μF/1210陶瓷電容一起，提供適用于FPGA和微處理器應用的纖薄緊湊型解決方案。效率曲線如圖3b所示。在室溫下，全負載范圍內溫度上升約15°C。

圖3.5 V輸入至1 V/15 A，fSW = 3 MHz下的穩壓器原理圖和效率。

04 Silent Switcher 2幫助實現出色的EMI性能

使用15 A應用滿足已經發布的EMI規范（例如CISPR 22/CISPR 32傳導和輻射EMI峰值限值），可能意味著多個迭代板旋轉，涉及在解決方案尺寸、總效率、可靠性和復雜性之間取舍。傳統方法通過減慢開關邊沿和/或降低開關頻率來控制EMI。這兩種方法都會產生不良的影響，例如效率下降，最短接通和關斷時間增加，以及增大解決方案尺寸。復雜、大尺寸的EMI濾波器或金屬屏蔽等強力EMI消除方案在所需的電路板空間、組件和裝配方面增加了大量成本，并使熱管理和測試復雜化。

使用15 A應用滿足已經發布的EMI規范（例如CISPR 22/CISPR 32傳導和輻射EMI峰值限值），可能意味著多個迭代板旋轉，涉及在解決方案尺寸、總效率、可靠性和復雜性之間取舍。傳統方法通過減慢開關邊沿和/或降低開關頻率來控制EMI。這兩種方法都會產生不良的影響，例如效率下降，最短接通和關斷時間增加，以及增大解決方案尺寸。復雜、大尺寸的EMI濾波器或金屬屏蔽等強力EMI消除方案在所需的電路板空間、組件和裝配方面增加了大量成本，并使熱管理和測試復雜化。

LTC7151S前端采用簡單的EMI濾波器，在EMI測試室中接受測試，通過了CISPR 22/ CISPR 32導通和輻射EMI峰值限值認證。圖4顯示1 MHz、1.2 V/15 A電路的原理圖，圖5顯示吉赫茲橫電磁波(GTEM)電池的輻射EMI CISPR 22的測試結果。

圖4.開關頻率為1 MHz的1.2 V穩壓器的原理圖。

圖5.GTEM中的輻射EMI通過CISPR 22 Class B限值測試。

結論

智能電子、自動化和傳感器在工業和汽車環境中的普及，提高了對電源數量和性能的要求。特別是低EMI，已成為更加重要的關鍵電源參數考量因素，除此以外，還包括小解決方案尺寸、高效率、熱性能、穩健性和易用性等常規要求。 LTC7151S使用ADI的Silent Switcher 2技術，尺寸緊湊，可以滿足嚴格的EMI需求。LTC7151S支持谷電流模式控制和高頻率操作，可以動態變更TON和TOFF時間，幾乎立即主動支持負載瞬變，因此可以使用更小的輸出電容和快速響應。具備集成MOSFET和熱管理性能，可以穩定可靠地從高達20 V的輸入范圍持續提供高達15 A電流。

LTC7151S

適用于低 EMI 的 Silent Switcher2 架構

VIN范圍：3.1V 至 20V

VOUT范圍：0.5V 至 5.5V

差分 VOUT遠程檢測

可調頻率：400kHz 至 3MHz

PolyPhase運行：高達 12 相

輸出追蹤和軟啟動

基準電壓源精度：±1% 過溫

電流模式操作，實現出色的線路和負載瞬態響應

精確的 1.2V 運行引腳閾值

支持強制連續/不連續模式

耐熱性能增強型 28 引腳 4mm × 5mm × 0.74mm LQFN 封裝

原文轉自亞德諾半導體

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原文標題：【世說設計】對MLCC的電源要求也太高了，我們得降降！

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