SK海力士完成業(yè)內首款多堆棧176層容量達512Gb的4D閃存
存儲芯片大廠SK海力士宣布完成了業(yè)內首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，TLC顆粒，容量達512Gb（64GB）。
據(jù)，SK海力士透露，該閃存單元架構為CTF（電荷捕獲），同時集成了PUC技術，堆疊層數(shù)達到了176層，每片晶圓可以切割更多有效的閃存硅片。除了容量增加35%，閃存單元的讀取速度也提升了20%，使用加速技術可使得傳輸速度加快33%到1.6Gbps。SK海力士將其稱之為“4D閃存”。
SK海力士預計相關產品明年年中上市，目前主控廠商已經在測試樣品，預計會在手機閃存領域首發(fā)，目標是70%的的讀速提升和35%的寫速提升，后續(xù)還會應用到消費級SSD和企業(yè)產品上。
另外，SK海力士已經表示，正在開發(fā)1Tb（128GB）容量的176層4D閃存。顯然，今后手機可以在更緊湊的空間內做到大容量ROM空間了。
編輯：hfy
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
存儲芯片
+關注
關注
11文章
908瀏覽量
43494 -
SK海力士
+關注
關注
0文章
980瀏覽量
38908
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
在近日舉行的SK AI峰會上，韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB
SK海力士調整生產策略，聚焦高端存儲技術
限的產能轉向更高端的產品線，如人工智能用存儲器及先進DRAM產品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發(fā)展高端存儲技術研發(fā)和生產有關。近日，該公司對外展示了全球首款48
英偉達向SK海力士提出提前供應HBM4芯片要求
近日，韓國SK集團會長透露了一項重要信息，即英偉達公司的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項特殊的要求。黃仁勛希望SK
英偉達加速推進HBM4需求,SK海力士等存儲巨頭競爭加劇
韓國大型財團SK集團的董事長崔泰源在周一的采訪中透露，英偉達的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求，希望其能
SK海力士引領未來:全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲技術格局
今日，半導體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術里程碑，該公司已成功在全球范圍內率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)模化生產，此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36
SK海力士開始先進人工智能芯片生產
SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生產的新階段，批量生產業(yè)界領先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內存技術上的重
SK海力士率先展示UFS 4.1通用閃存
在最近的FMS 2024峰會上，SK 海力士憑借其創(chuàng)新實力，率先向業(yè)界展示了尚未正式發(fā)布規(guī)范的UFS 4.1通用閃存新品，再次引領存儲技術的前沿。此次展示不僅彰顯了SK
SK海力士加速NAND研發(fā)，400+層閃存量產在即
韓國半導體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術的革新，據(jù)韓媒最新報道，該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND
SK海力士5層堆疊3D DRAM制造良率已達56.1%
在全球半導體技術的激烈競爭中，SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實力與創(chuàng)新能力。近日，在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，SK海力士宣布了其在3
SK海力士HBM4芯片前景看好
瑞銀集團最新報告指出，SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起，每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存（HBM）市場的領軍企業(yè)，SK海力士
SK海力士推出新一代移動端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0
今日，SK海力士公司宣布了一項革命性的技術突破，他們成功研發(fā)出了面向端側（On-Device）AI應用的全新移動端NAND閃存解決方案——“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。這款產品的推出，標志著
消息稱SK海力士測試東京電子低溫蝕刻設備
SK 海力士正在與東京電子（TEL）展開緊密合作，通過發(fā)送測試晶圓來評估后者的低溫蝕刻設備。這一舉措旨在為未來的NAND閃存生產導入新技術。在當前，增加堆疊層數(shù)已經成為提高3D NAN
SK海力士提前完成HBM4內存量產計劃至2025年
SK海力士宣布，計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產品，而16層堆疊
剛剛！SK海力士出局！
在基礎晶圓上通過硅通孔（TSV）連接多層DRAM，首批HBM3E產品均采用8層堆疊，容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向
工商網監(jiān)
評論