本期分享的科研成果來(lái)自南京大學(xué)-浙江大學(xué)聯(lián)合研制的新型能谷晶體管器件,該器件可以在完全不加電壓的情況下工作,在非常低的電流下也能夠?qū)崿F(xiàn)很大的輸出信號(hào)的調(diào)控。如此神奇的固態(tài)量子器件究竟如何工作?請(qǐng)隨小編一探究竟!
研究背景
集成電路沿摩爾定律發(fā)展近50年,目前已走到5nm工藝節(jié)點(diǎn),發(fā)展已經(jīng)減緩,其核心障礙之一是,只要有電流流過(guò),產(chǎn)生焦耳熱,功耗的極限值就不可避免。集成電路器件主要依賴電荷實(shí)現(xiàn)對(duì)信息的表達(dá)、存儲(chǔ)、傳輸和處理,降低集成電路功耗的一條理想思路是,用其他量子自由度,替代以前的電荷來(lái)表達(dá)信息,在計(jì)算中極大減小或消除電信號(hào)產(chǎn)生的焦耳熱,在更小空間中計(jì)算更多的“0”和“1”。能谷便是一種可能的解,那么何為“能谷”呢?
學(xué)界很早便在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn),“能谷”作為半導(dǎo)體材料能量-動(dòng)量色散關(guān)系中的極值點(diǎn),其量子指標(biāo)“能谷自旋”可以像電荷或電子自旋等自由度一樣表達(dá)信息,通過(guò)能谷自旋可以實(shí)現(xiàn)超過(guò)現(xiàn)有電荷或自旋控制技術(shù)的信息存儲(chǔ)能力。但由于能谷很難通過(guò)外場(chǎng)操控,目前很難利用能谷自旋制作相應(yīng)的能谷晶體管器件。該領(lǐng)域的探索與研究則被稱為能谷電子學(xué)(valleytronics)。
南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院的王肖沐、施毅課題組與浙江大學(xué)的徐楊課題組以及北京計(jì)算科學(xué)研究中心共同合作,研制出一種新型能谷晶體管,可在室溫下實(shí)現(xiàn)能谷自旋流產(chǎn)生、傳輸、探測(cè)和調(diào)控等全信息處理功能。該成果以“室溫下的能谷電子晶體管”(Room-temperature valleytronic transistor)為題發(fā)表在《自然-納米技術(shù)》(Nature Nanotechnology)雜志,博士生李泠霏和北京計(jì)算科學(xué)研究中心邵磊為文章的共同第一作者, 南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院王肖沐教授和浙江大學(xué)信息與電子工程學(xué)院徐楊教授為該論文的共同通訊作者。
基本特性
聯(lián)合研發(fā)團(tuán)隊(duì)利用不對(duì)稱等離激元納米天線中的光學(xué)手性,實(shí)現(xiàn)電磁場(chǎng)與過(guò)渡金屬硫族化合物中能谷自旋的可控相互作用,并結(jié)合材料中的手性貝瑞曲率,在器件級(jí)別上實(shí)現(xiàn)了谷信息的產(chǎn)生、傳輸、探測(cè)和開關(guān)操作。
能谷自旋晶體管對(duì)能谷信息的注入、傳輸和探測(cè)過(guò)程進(jìn)行了優(yōu)化和改進(jìn),使得能谷信息流得以在零偏置電壓下獨(dú)立于電流進(jìn)行傳輸和調(diào)控,實(shí)現(xiàn)在完全不加電壓的情況下工作,在非常低的電流下也能夠?qū)崿F(xiàn)很大的輸出信號(hào)的調(diào)控。
制備與測(cè)試
器件由過(guò)渡金屬硫族化合物二硫化鉬溝道,新月形不對(duì)稱金納米天線和四個(gè)金電極組成,制作在硅/二氧化硅襯底上(見(jiàn)下方示意圖),插圖說(shuō)明了在源極和漏極處光場(chǎng)在二硫化鉬中選擇性注入不同能谷自旋流的過(guò)程,以及硅背柵對(duì)能谷自旋流的開關(guān)作用,產(chǎn)生的能谷自旋流通過(guò)能谷霍爾效應(yīng),被橫向的霍爾電極讀出,產(chǎn)生輸出信號(hào)。
圖(a)能谷晶體管結(jié)構(gòu)示意圖和工作原理;
圖(b) 能谷自旋流在二硫化鉬中產(chǎn)生的具體原理;
圖(c)典型能谷晶體管的光學(xué)圖像
圖(a)能谷自旋晶體管的掃描霍爾電壓圖像。1550nm的激光作為"能谷自旋激發(fā)源"在一個(gè)典型的能谷自旋晶體管上掃描,并記錄該位置的能谷霍爾輸出電壓。當(dāng)激光位于源或漏電極時(shí),產(chǎn)生相反的能谷霍爾輸出信號(hào)。
圖(b)能谷霍爾輸出電壓隨偏置電壓的輸出曲線。
圖(c)能谷輸出霍爾電壓隨硫化鉬溝道電流的變化,可以看到能谷自旋流與電流無(wú)關(guān)。
圖(d)能谷晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線。僅靠光場(chǎng)激發(fā),能谷晶體管的輸出電壓可以通過(guò)柵壓實(shí)現(xiàn)開關(guān)操作。由于無(wú)偏置電壓,溝道電流非常小,整個(gè)器件展示出了極低的功耗。
應(yīng)用前景
上述研究成果有望通過(guò)類似于CMOS集成電路的構(gòu)造方式集成形成特定邏輯功能的超低功耗能谷晶體管集成電路。由于該研究首次提出了一種室溫下工作的能谷自旋的基本單元器件,這為后摩爾時(shí)代的固態(tài)量子器件的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。不過(guò)小編認(rèn)為,要實(shí)現(xiàn)具有實(shí)用價(jià)值的能谷晶體管的量產(chǎn),還需要克服許多障礙,本項(xiàng)成果更多是展示了能谷信息器件應(yīng)用于未來(lái)集成電路的一種可能的形態(tài),具體市場(chǎng)化應(yīng)用還需要很多年的持續(xù)探索。
原文標(biāo)題:科研前線 |南京大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)成功研制新型能谷晶體管器件
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