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長江存儲在3DNAND存儲工藝上去的重大突破

WSTm_UCAS2004 ? 來源:雪球 ? 作者:雪球 ? 2020-09-28 09:39 ? 次閱讀

近日美國對華為的芯片禁令正式生效了,在美國政府的持續打壓下,世界上主要的存儲芯片生產商按照美國政府的禁令對華為進行了斷供。

雖然華為在芯片領域內面臨著嚴重的困境,但是近日在芯片領域內傳出了一個好消息,有消息人士透露中國的存儲芯片企業長江存儲在芯片上取得了重大突破。

該企業實現了對192層3DNAND存儲工藝的突破,并且發布了一款消費級固態硬盤產品。該企業所取得的成就意味著中國的存儲芯片計劃已經取得了一定的效果。

在刻蝕設備領域,中國企業生產的設備已經開始進入臺積電的供應鏈中,不過在臺積電的供應鏈中美國的企業占絕大部分。

在化學機械拋光設備方面,中國的可以替代美國的設備,不過在性能上要差一些。清洗設備上中國國產的設備能夠滿足中低端需求,但是在高端設備上還面臨著較大難度。

綜合來看中國的企業所使用的設備在很大程度上依賴外國的企業,中國企業所能夠提供的設備占比比較低。

光刻機芯片制造過程中不可缺少的設備,這個設備是又貴又精密。在光刻機領域,能夠生產該設備的企業只有兩個,荷蘭的阿斯麥爾在該領域占有絕對優勢,日本的佳能只占很少的一部分。

其實在半導體技術方面,中國企業雖然在技術上都取得了很多突破。但是中國企業在該領域對美國的依賴程度很高。

以長江存儲為例,雖然取得192層3DNAND存儲工藝的突破,但是在生產設備上嚴重依賴美國公司

在芯片制造上,中國企業不僅面臨著設備問題,還面臨著人才缺失的問題。想要發展芯片產業不僅需要技術,還需要資金。

在人才方面,中國的缺口是比較大的,所以很多企業開始花大力氣從芯片制造大廠開始延攬人才了。

美國在芯片上對中國卡脖子,給中國企業的發展帶來了非常多的困難。但是也正是因為美國的打壓,促使中國在芯片領域內開始全力發展。

從世界上各大主流的存儲芯片制造廠商的進展上看,他們基本上實現了128層NAND存儲芯片的量產,產品上市的時間預計在2020年。

長江存儲在192層3DNAND存儲工藝既然已經研制成功,預計將會在明年的六月份實現量產。從目前長江存儲的水平來看,至少追趕上了世界的主流水平。

芯片的制造過程是一個非常復雜的過程,但是中國在不斷努力,雖然長江存儲所取得成就在芯片研制上是一小步,但是在中國的不斷努力之下,中國終將會在芯片領域取得突破。

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原文標題:3D存儲芯片技術重大突破!中國芯創新高

文章出處:【微信號:UCAS2004,微信公眾號:國科環宇】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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