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TVS管保護(hù)器件免受高壓瞬變的損害

454398 ? 來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) ? 作者:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) ? 2023-02-07 17:18 ? 次閱讀

來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū)

關(guān)于過電壓抑制

瞬變威脅—什么是瞬變?

電壓瞬變的定義是電能的短時(shí)激增,它們是先前存儲的電能或者通過其他方式(比如大電感負(fù)載或雷電)引入的電能的突然釋放的結(jié)果。在電氣電子電路中,這種能量可以通過控制開關(guān)動作,或通過隨機(jī)誘導(dǎo)來從外源的電路中以一種可預(yù)測的方式得到釋放。

重復(fù)性瞬變常常歸因于電動機(jī)、發(fā)電機(jī)或者反應(yīng)性電路原件的切換。而另一方面,隨機(jī)瞬變通常是由閃電和靜電放電(ESD)引起的。閃電和ESD的發(fā)生一般是不可預(yù)知的,并可能需要對精細(xì)監(jiān)測進(jìn)行精確的測算,特別是當(dāng)瞬變在電路板層面上誘發(fā)的情況下。

雷擊的指數(shù)上升時(shí)間范圍在1.2μsec到10_sec之間(基本上是10%到90%),持續(xù)時(shí)間在50_sec到1000_sec之間(峰值的50%)。另一方面,ESD是一種持續(xù)時(shí)間更短的事件。上升時(shí)間少于1.0ns也是典型特點(diǎn)。整個(gè)持續(xù)時(shí)間大約為100ns。

元件小型化導(dǎo)致對電應(yīng)力的敏感性增加。例如,微處理器具有無法應(yīng)對ESD引起的高電流的結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電路徑。此類元件在非常低的電壓環(huán)境下工作,因此電壓干擾必須加以控制,以防止設(shè)備中斷以及潛在的或?yàn)?zāi)難性故障。

如今,敏感的微處理器在范圍廣泛的器件中得到普遍應(yīng)用。從家用電器,如洗碗機(jī),到工業(yè)控制,甚至玩具中都會使用微處理器來提高功能性和效率。

現(xiàn)在大多數(shù)車輛也會采用多個(gè)電子系統(tǒng)來控制發(fā)動機(jī)、車內(nèi)溫度、剎車,或者在某些情況下,控制轉(zhuǎn)向、牽引系統(tǒng)和安全系統(tǒng)。

許多電器和汽車內(nèi)的子組件或支持組件(如電動馬達(dá)或附件)都會將整個(gè)系統(tǒng)暴露在瞬變威脅之下。

靜電放電的特點(diǎn)是非常快速的上升時(shí)間、非常高的峰值電壓和電流。這種能量是物體之間正負(fù)電荷不平衡的結(jié)果。當(dāng)雷擊發(fā)生時(shí),雷擊事件可產(chǎn)生能在附近電纜上引起大幅度瞬變的磁場。云到云的雷擊不僅會影響到架空電纜,還能影響到埋地電纜。一個(gè)即使是1英里外(1.6公里)的雷擊也會在電纜上產(chǎn)生70伏的電壓。在云對地的雷擊中所產(chǎn)生的瞬變影響更大。

電感負(fù)載的切換產(chǎn)生高能量瞬變,會隨不斷增加的重負(fù)載大幅增加。當(dāng)電感負(fù)載被切斷時(shí),崩潰的磁場被轉(zhuǎn)換成呈現(xiàn)為一個(gè)雙指數(shù)瞬變的電能。取決于不同的來源,這些瞬變的強(qiáng)度可高達(dá)數(shù)百伏和數(shù)百安,持續(xù)時(shí)間達(dá)400毫秒。典型的感應(yīng)瞬變來源包括,發(fā)電機(jī)、繼電器、馬達(dá)、變壓器等。

汽車中其他直流電動機(jī)也會導(dǎo)致類似的瞬變。例如,直流電動機(jī)電力設(shè)施,如電動鎖、電動座椅和電動車窗。這些直流電動機(jī)的不同應(yīng)用會對敏感的電子元件產(chǎn)生與外部環(huán)境中所產(chǎn)生的瞬變一樣有害的瞬變。

這些實(shí)例是電氣和電子系統(tǒng)中所常見的。由于負(fù)載的大小因應(yīng)用而各有不同,波形、持續(xù)時(shí)間、峰值電流和峰值電壓都是存在于真實(shí)世界的瞬變中的變量。一旦可以對這些變量進(jìn)行估計(jì),就可以選擇一種合適的抑制器技術(shù)。

審核編輯黃宇

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