第八屆電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)（EDICON China 2020）將于10月13-14日在國(guó)家會(huì)議中心舉辦。活動(dòng)包括百余場(chǎng)技術(shù)會(huì)議和千余種產(chǎn)品、方案展示。技術(shù)會(huì)議包括全體會(huì)議、技術(shù)報(bào)告會(huì)和贊助商研習(xí)會(huì)，另外還有三個(gè)專(zhuān)場(chǎng)會(huì)議：是德科技教育論壇、ANSYS高頻高速仿真論壇、美國(guó)認(rèn)證協(xié)會(huì)培訓(xùn)。同期同地還將聯(lián)袂舉辦“化合物半導(dǎo)體先進(jìn)應(yīng)用大會(huì)”。看看下面一百多個(gè)議題有沒(méi)有您感興趣的。

全體會(huì)議主旨演講

O-RAN或白盒子的神話與事實(shí)

5G/6G市場(chǎng)和技術(shù)概覽

5G演進(jìn)–從標(biāo)準(zhǔn)走向現(xiàn)實(shí)

是德科技教育論壇

5G中的校準(zhǔn)難題

為分析物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備高效捕獲波形

低損耗介電材料測(cè)量

信號(hào)分析基礎(chǔ)

如何找到FPGA電源軌的飄忽不定的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)電流

學(xué)習(xí)如何設(shè)計(jì)5G/6G毫米波波束賦形系統(tǒng)

電磁干擾分析和故障查找

相位噪聲應(yīng)用與測(cè)量基礎(chǔ)

網(wǎng)絡(luò)分析儀基礎(chǔ)

評(píng)估電-光-電連接系統(tǒng)的電氣性能

調(diào)制失真：PNA的殘留誤差矢量幅度

針對(duì)射頻和微波寬帶信號(hào)產(chǎn)生改進(jìn)測(cè)量完整性

5G車(chē)聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與測(cè)試

開(kāi)放射頻接入網(wǎng)的前行之路

測(cè)試EV和EVSE充電接口的一致性和互操作性

ANSYS高頻高速仿真論壇

56G SerDes仿真最佳實(shí)踐

Ansys HFSS車(chē)載雷達(dá)仿真最佳實(shí)踐

Ansys Minerva的自動(dòng)化DDR仿真管理實(shí)例

Ansys在5G天線仿真方面的關(guān)鍵技術(shù)更新

電子產(chǎn)品EMC仿真最佳實(shí)踐

美國(guó)認(rèn)證協(xié)會(huì)（ACB）培訓(xùn)

5G設(shè)備的FCC和RED要求

EMC合規(guī)測(cè)試最重要的事情

中國(guó)市場(chǎng)的無(wú)線產(chǎn)品認(rèn)證

北美和歐洲的無(wú)線產(chǎn)品認(rèn)證

化合物半導(dǎo)體先進(jìn)應(yīng)用大會(huì)（csac.compoundsemiconductorchina.net）

發(fā)展功能性襯底，助推氮化物半導(dǎo)體發(fā)展

實(shí)現(xiàn)5G的關(guān)鍵技術(shù)

用于寬禁帶半導(dǎo)體材料大規(guī)模生產(chǎn)的解決方案

InGaN量子點(diǎn)microLED技術(shù)

AlGaN基深紫外發(fā)光器件

碳化硅器件在充電樁中的應(yīng)用

GaN和SiC功率器件測(cè)試解決方案

氮化鎵功率器件：新起點(diǎn)與新機(jī)遇

Soitec公司先進(jìn)襯底技術(shù)

技術(shù)報(bào)告會(huì)

5G先進(jìn)通信

5G相比4G，在V2X的射頻、協(xié)議、應(yīng)用場(chǎng)景方面可改進(jìn)參數(shù)

SBW> 200 MHz時(shí)線性化功率放大器

毫米波波束形成設(shè)備的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

放大器設(shè)計(jì)

射頻功率放大器的效率提升

輸入-輸出波形控制的連續(xù)逆F類(lèi)功率放大器的研究

電磁兼容/電磁干擾

在暗室內(nèi)模擬電磁環(huán)境的方法

前端設(shè)計(jì)

為中端和高端智能手機(jī)提供天線靈活性和高性能

使用天線增強(qiáng)器設(shè)計(jì)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備

封裝天線：從傳導(dǎo)到OTA，以及維持校準(zhǔn)功率測(cè)量的要求

低功耗射頻與物聯(lián)網(wǎng)

智慧城市的物聯(lián)網(wǎng)和無(wú)線技術(shù)

毫米波技術(shù)

用于亞太赫茲大信號(hào)測(cè)量的功率控制和有源牽引的方法

電源完整性

IR Drop中的設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)，包括載流量和電熱混合協(xié)同設(shè)計(jì)

電源電流評(píng)估和電熱協(xié)同設(shè)計(jì)

高引腳數(shù)芯片的先進(jìn)去耦方案

雷達(dá)與天線

一種利用測(cè)向冗余解的平面雙站時(shí)差導(dǎo)航方法

用于汽車(chē)?yán)走_(dá)系統(tǒng)仿真的多射線追蹤復(fù)雜環(huán)境建模

用于物聯(lián)網(wǎng)的雷達(dá)技術(shù)

射頻與微波設(shè)計(jì)

SSB相位噪聲，概念和應(yīng)用

信號(hào)完整性

PCB測(cè)量中幾種去嵌入方法的比較

USB 3.1 Type-C連接的信號(hào)完整性和一致性測(cè)試

信號(hào)完整性測(cè)量中的校準(zhǔn)和去嵌

基于DDRx的SI/PI聯(lián)合仿真

基于階躍響應(yīng)計(jì)算的抖動(dòng)分解新方法

多芯片集成DDR顆粒的設(shè)計(jì)與仿真實(shí)踐

仿真與建模

以Virtuoso為中心的高級(jí)系統(tǒng)設(shè)計(jì)解決方案（高速和射頻設(shè)計(jì)）

智能手機(jī)設(shè)計(jì)中的射頻前端精確仿真面臨的挑戰(zhàn)

現(xiàn)代通信系統(tǒng)中天線陣列與非線性射頻前端耦合效應(yīng)的建模與仿真

納入射頻模塊后，對(duì)用于四合一服務(wù)的FTTH-GPON系統(tǒng)的物理性能進(jìn)行評(píng)估

高速串行總線的布局細(xì)節(jié)仿真和測(cè)試

測(cè)試測(cè)量

5G OTA測(cè)量系統(tǒng)與核心技術(shù)

5G信號(hào)分析儀中信道估計(jì)和跟蹤算法分析

THz混頻器和轉(zhuǎn)換器的幅度和相位測(cè)量

UWB 802.15.4/4z技術(shù)和測(cè)試挑戰(zhàn)

一種具有數(shù)字預(yù)失真功能的新型調(diào)制快速負(fù)載牽引系統(tǒng)

一種智能電視2.4G WiFi吞吐量的測(cè)試方法

下一代高速高性能測(cè)試

克服為5G無(wú)線通信配置山頂頻譜監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的困難

基于可重構(gòu)電路的電磁反演工具的仿真研究

輸出功率及其影響因素

贊助商研習(xí)會(huì)

5G功率放大器設(shè)計(jì)變化對(duì)射頻電路材料的需求

ADI新一代射頻集成收發(fā)芯片ADRV902X介紹

GaN射頻器件在5G基站中的應(yīng)用

P-1dB是什么？確定放大器性能

為5G應(yīng)用構(gòu)建功率放大器設(shè)計(jì)框架

具備深背部通孔的砷化鎵集成無(wú)源器件的制作技術(shù)

功率放大器測(cè)試：從負(fù)載牽引到調(diào)制測(cè)試

基于ADI ADRV902X的5GSmall Cell RU的參考方案

如何根據(jù)應(yīng)用評(píng)估和選擇合適的電纜組件

帶寬與無(wú)線通信系統(tǒng)

引領(lǐng)未來(lái)的GaN SiC射頻技術(shù)

新功率測(cè)量技術(shù)滿足當(dāng)今苛刻的射頻和放大器的需求

最先進(jìn)的毫米波GaN/Si MMIC

毫米波應(yīng)用的技術(shù)趨勢(shì)和基材解決方案

電子束光刻技術(shù)制作0.15/0.1μm高功率GaAs pHEMT

用Virtuoso RF解決方案集成RFIC、RF模塊設(shè)計(jì)以及簽核流程

考慮射頻輸入功率的面聲波濾波器的仿真

針對(duì)現(xiàn)代無(wú)線應(yīng)用的歐洲GaN/Si工藝

頻率高達(dá)50GHz的高效表面貼裝封裝

高效GaN多爾蒂功率放大器設(shè)計(jì)

原文標(biāo)題：3天后百余場(chǎng)會(huì)議和千余種產(chǎn)品匯聚一堂助力復(fù)工復(fù)產(chǎn)

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