10月13日消息,X-FAB硅晶圓廠與I-fuse OTP IP解決方案的創(chuàng)新者Attopsemi達(dá)成合作,以滿足5G技術(shù)的存儲器需求。兩家公司已成功將I-fuse OTP存儲器與X-FAB的XR013開放平臺代工130納米RF-SOI技術(shù)聯(lián)系起來。該認(rèn)證使客戶能夠從將緊湊(<2mm2表面積)和堅固的OTP塊納入核心XR013技術(shù)模塊中獲益,但無需進(jìn)一步或定制加工。讀取操作可在2.5V和1.8V下實現(xiàn),以實現(xiàn)MIPI兼容性。
Attopsemi董事長Shine Chung說:“我們對我們的I-fuse IP現(xiàn)在有資格納入X-FAB XR013工藝的前景感到非常興奮,我們很高興我們的OTP被X-FAB的客戶選擇用于5G應(yīng)用。得益于高可靠性、高質(zhì)量和完全可測試的IP,我們的I-fuse已被證明能夠滿足X-FAB在其先進(jìn)工藝中的嚴(yán)格要求。”
X-FAB射頻技術(shù)總監(jiān)Greg U‘Ren博士補(bǔ)充道:“與Attopsemi的緊密合作為我們的客戶使用XR013創(chuàng)造了一個高性價比的OTP存儲器解決方案,這將對我們的客戶增加其片上功能起到關(guān)鍵作用,為他們進(jìn)一步創(chuàng)新打下堅實的基礎(chǔ),并使不同地理位置的要求得到關(guān)注。”
責(zé)任編輯:tzh
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