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三安集成攜第三代HBT參加電子設計創新大會

MEMS ? 來源:MEMS ? 作者:MEMS ? 2020-10-26 09:35 ? 次閱讀

10月14日,三安集成連續第四次參加電子設計創新大會(EDICON),與通訊行業同仁共同探討行業熱門話題。本次展會,三安集成攜最新突破的第三代HBT以及ED-mode pHEMT制程工藝,為客戶呈現兩場技術交流分享會。

三安集成在砷化鎵射頻芯片制造工藝領域持續投入,不斷提高工藝水平,第三代HBT工藝可以應用于HPUE/APT PA,提供了更高的功率密度以及PAE水平,支持客戶在高頻段消費類通訊的應用需求。另外,0.1/0.15/0.25um pHEMT工藝均已實現量產,可以為客戶提供世界一流的生產能力和性能水平。在展會期間,砷化鎵射頻事業部的林義書處長就5G應用市場闡述三安集成的服務能力。

為配合客戶在射頻前端模組的設計需求,三安集成也在積極建設濾波器產業鏈,于日本成立研發中心,匯集國際尖端科研智慧,及時響應市場動態,為客戶提供最新的技術成果;三安集成在泉州南安制造基地布局了完整的濾波器供應鏈,垂直整合了研發設計,襯底材料,芯片制造和封裝測試等環節,確保穩定持續的產能供應,預計到2021年第二季度,產能可以達到120Mu/月。濾波器事業部的謝祥政經理也就表面聲波(SAW)濾波器仿真的相關議題進行了分享。

Sanan IC Stand at EDI CON China 2020

三安以近20年的化合物半導體制造經驗,專業的設計支持團隊,以及豐沛的產能,為微波射頻、功率電子以及光技術領域的客戶提供標準化及客制化的生產服務。

原文標題:三安集成持續投入砷化鎵射頻芯片,積極建設濾波器產業鏈

文章出處:【微信公眾號:MEMS】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

責任編輯:haq

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原文標題:三安集成持續投入砷化鎵射頻芯片,積極建設濾波器產業鏈

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