目前，國家2030計劃和“十四五”國家研發(fā)計劃已明確第三代半導體是重要發(fā)展方向。在10月16日，國星光電舉辦了2020第一屆國星之光論壇，而論壇的主角之一，就是第三代半導體。那么到底什么是第三代半導體呢？為什么說第三代半導體有望成為國產(chǎn)替代希望？

第三代半導體也被稱為寬帶隙半導體，主要是以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬帶隙半導體材料，其帶隙寬度大于2.2eV，是5G、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等多個“新基建”產(chǎn)業(yè)的重要材料，同時也是世界各國半導體研究領域的熱點。

與以硅（Si）材料為代表的第一代半導體材料，和以砷化鎵（GaAs）為代表的第二代半導體材料相比，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料具備「五高」特性：高光效、高功率、高電壓、高頻率、高工作溫度。

Si作為集成電路最基礎的材料，構(gòu)筑了整個信息產(chǎn)業(yè)的最底層支撐。人類對Si性能的探索已經(jīng)非常成熟，然而一些固有的缺點卻無法逾越，如光學性能、高壓高頻性能等。與此同時第三代半導體以其恰好彌補Si的不足而逐步受到半導體行業(yè)青睞，成為繼Si之后最有前景的半導體材料。

第三代半導體材料主要可應用于光電、電力電子、和微波射頻三大領域。從當前來看，碳化硅目前主要是用在650V以上的高壓功率器件領域，而氮化鎵主要是用在650V以下的中低壓功率器件領域及微波射頻和光電領域。不過未來，氮化鎵也有機會進一步往600～900V發(fā)展。

具體而言

光電方向是截至目前應用最為成熟的領域，已被驗證是一場成功的技術(shù)革命。LED從無到有，快速發(fā)展，直至現(xiàn)在發(fā)展為千億美元的規(guī)模，是一個新材料開發(fā)推動社會變革的典范。目前應用于包括顯示、背光、照明等領域，其中Micro LED與UVC LED因仍然存在技術(shù)挑戰(zhàn)，且具備新的市場想象空間，被產(chǎn)業(yè)寄予厚望。

功率器件方向廣泛用于智能電網(wǎng)、新能源汽車、軌道交通、可再生能源開發(fā)、工業(yè)電機、數(shù)據(jù)中心、家用電器、移動電子設備等國家經(jīng)濟與國民生活的方方面面，是工業(yè)體系中不可或缺的核心半導體產(chǎn)品。其中SiC 功率器件被認為未來最大的應用市場在新能源汽車，主要是功率控制單元（PCU）、逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器等方面；GaN功率器件因其高頻高效率的特點而在消費電子充電器、新能源充電樁、數(shù)據(jù)中心等領域有著較大的應用潛力。

微波射頻方向包括汽車雷達、衛(wèi)星通訊、5G基站、預警探測等應用。相較于已經(jīng)發(fā)展十多年的SiC，GaN功率器件是后進者，但它擁有類似SiC性能優(yōu)勢的寬禁帶材料，且擁有更大的成本控制潛力，目前是射頻器件最合適的材料，這在5G時代非常重要。GaN最大的拉動力也被認為是5G基站。

據(jù)Omdia《2020年SiC和GaN功率半導體報告》[1]顯示，2020年底，全球SiC和GaN功率半導體的銷售收入預計將達到8.54億美元，以未來十年年均兩位數(shù)的增長率，預計2029年將超過50億美元。

在未來十年，受到汽車、航天電子、電源、太陽光電(PV)逆變器以及工業(yè)馬達的需求驅(qū)動，以SiC和GaN為代表的新興的第三代功率半導體器件市場將以18%的速度穩(wěn)步成長。預計在2022年以前，SiC和GaN功率元件的全球銷售額將從2012年的1.43億美元大幅增加到28億美元[2]。

可以說，第三代半導體大勢所趨！

目前，我國在光電大部分領域?qū)崿F(xiàn)領跑，而在功率器件及射頻器件方面的發(fā)展還處于跟跑和并跑階段，因此，我國對第三代半導體器件的研究極其迫切，需加快其產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

第三代半導體材料主要以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為主，生產(chǎn)過程分為單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟，對應的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組等大環(huán)節(jié)。

目前，在光電領域，國星光電在外延、芯片、封裝領域均有布局，經(jīng)過多年發(fā)展，已經(jīng)成為國內(nèi)LED封裝龍頭，且在目前仍然具備技術(shù)挑戰(zhàn)和市場想象空間的Micro LED與UVC LED領域中拔得頭籌。

而基于前瞻性的戰(zhàn)略布局與人才隊伍建設，國星光電期望在國家第三代半導體的發(fā)展中能添磚加瓦，創(chuàng)造新的輝煌。

原文標題：【明微電子·市場】揭秘第三代半導體新賽道

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