串聯(lián)

在串聯(lián)時(shí)，需要注意靜態(tài)截止電壓和動態(tài)截止電壓的對稱分布。

在靜態(tài)時(shí)，由于串聯(lián)各元件的截止漏電流具有不同的制造偏差，導(dǎo)致具有最小漏電流的元件承受了最大的電壓，甚至達(dá)到擎住狀態(tài)。但只要元件具有足夠的擎住穩(wěn)定性，則無必要在線路中采用均壓電阻。只有當(dāng)截止電壓大于 1200V 的元件串聯(lián)時(shí)，一般來說才有必要外加一個(gè)并聯(lián)電阻。

假設(shè)截止漏電流不隨電壓變化，同時(shí)忽略電阻的誤差，則對于 n 個(gè)具有給定截止電壓 VR 的二極管的串聯(lián)電路，我們可以得到一個(gè)簡化的計(jì)算電阻的公式：

以上 Vm 是串聯(lián)電路中電壓的最大值，△Ir 是二極管漏電流的最大偏差，條件是運(yùn)行溫度為最大值。我們可以做一個(gè)安全的假設(shè)：

上式中，Irm 是由制造商所給定的。利用以上估計(jì)，電阻中的電流大約是二極管漏電流的六倍。

經(jīng)驗(yàn)表明，當(dāng)流經(jīng)電阻的電流約為最大截止電壓下二極管漏電流的三倍時(shí)，該電阻值便是足夠的。但即使在此條件下，電阻中仍會出現(xiàn)可觀的損耗。

原則上，動態(tài)的電壓分布不同于靜態(tài)的電壓分布。如果一個(gè)二極管 pn 結(jié)的載流子小時(shí)得比另外一個(gè)要快，那么它也就更早地承受電壓。

如果忽略電容的偏差，那么在 n 個(gè)給定截止電壓值 Vr 的二極管相串聯(lián)時(shí)，我們可以采用一個(gè)簡化的計(jì)算并聯(lián)電容的方法：

以上△QRR 是二極管存儲電量的最大偏差。我們可以做一個(gè)充分安全的假設(shè)：

條件是所有的二極管均出自同一個(gè)制造批號。△QRR 由半導(dǎo)體制造商所給出。除

了續(xù)流二極管關(guān)斷時(shí)出現(xiàn)的存儲電量之外，在電容中存儲的電量也同樣需要由正在開通的 IGBT 來接替。根據(jù)上述設(shè)計(jì)公式，我們發(fā)現(xiàn)總的存儲電量值可能會達(dá)到單個(gè)二極管的存儲電量的兩倍。

一般來說，續(xù)流二極管的串聯(lián)電流并不多見，原因還在于存在下列附件的損耗源：

1、pn 結(jié)的 n 重?cái)U(kuò)散電壓;

2、并聯(lián)電阻中的損耗；

3，需要由 IGBT 接替的附加存儲電量

4、由 RC 電路而導(dǎo)致的元件的增加。

所以在高截止電壓的二極管可以被采用時(shí)，一般不采用串聯(lián)方案。

唯一的例外是當(dāng)應(yīng)用電路要求很短的開關(guān)時(shí)間和很低的存儲電量時(shí)，這兩點(diǎn)正好是地奈亞二極管所具備的。當(dāng)然此時(shí)系統(tǒng)的通態(tài)損耗也會大大增加。

并聯(lián)

并聯(lián)并不需要附加的 RC 緩沖電路。重要的是在并聯(lián)時(shí)通態(tài)電壓的偏差應(yīng)盡可能小。

一個(gè)判斷二極管是否適合并聯(lián)的重要參數(shù)是其通態(tài)電壓對溫度的依賴性。如果通態(tài)電壓隨溫度的增加而下降，則它具有負(fù)的溫度系數(shù)。對于損耗來說，這是一個(gè)優(yōu)點(diǎn)。

如果通態(tài)電壓隨溫度的增加而增加，則溫度系數(shù)為正。

在典型的并聯(lián)應(yīng)用中，這是一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，其原因在于，較熱的二極管將承受較低電流，從而導(dǎo)致系統(tǒng)的穩(wěn)定。因?yàn)槎O管總是存在一定的制造偏差，所以在二極管并聯(lián)時(shí)，一個(gè)較大的負(fù)溫度系數(shù)（＞2mV/K）則有可能產(chǎn)生溫升失衡的危險(xiǎn)。

并聯(lián)的二極管會產(chǎn)生熱耦合

1、在多個(gè)芯片并聯(lián)的模塊中通過基片；

2、在多個(gè)模塊并聯(lián)于一塊散熱片時(shí)通過散熱器

一般對于較弱的負(fù)溫度系數(shù)來說，這類熱偶合足以避免具有最低通態(tài)電壓的二極管走向溫度失衡。但對于負(fù)溫度系數(shù)值＞2mM/K 的二極管，我們則建議降額使用，即總的額定電流應(yīng)當(dāng)小于各二極管額定電流的總和。

審核編輯 黃昊宇