結型場效應晶體管的溝道由 N 型半導體或 P 型半導體材料組成，柵極由相反的半導體類型制成。N 溝道摻雜有施主雜質，其中通過溝道的電流以電子的形式為負。P 溝道摻雜受主雜質，其中電流以空穴的形式流動為正。由于與空穴相比，電子通過導體具有更高的遷移率，因此 N 溝道 JFET 與其等效的 P 溝道類型相比具有更高的溝道導電性。

JFET的結構

輸入阻抗非常高，因為柵極結是反向偏置的，并且沒有少數載流子對流經器件的貢獻。來自 N 溝道的電荷載流子耗盡用作 JFET 的控制元件。當柵極變得更負時，來自柵極周圍較大耗盡區的多數載流子被耗盡。對于給定的源漏電壓值，這會減少電流。

常用JFET的特點：

• 快速切換
• 對于低頻操作，源漏可以互換
• 控制漏極電流的柵極電壓
• 單個多數載波
• 體積小
• 高“Z”輸入

結構與功能

FET 可以通過多種方式制造。重摻雜襯底通常用作硅器件的第二柵極。使用外延或通過將雜質擴散到襯底中或通過離子注入，可以生長有源N型區。漏極和源極之間的距離很重要，無論 FET 使用什么材料，都應保持最小距離。

該JFET被摻雜以含有正或負電荷載體的豐富，因為它是半導體材料的長通道。為了在界面處出現 PN 結，柵極端子的摻雜應該與圍繞它的溝道的摻雜相反。電荷通過 JFET 的流動是通過收縮載流通道來控制的，而花園軟管則是通過擠壓它來控制水流以減小橫截面。

N溝道和P溝道JFET的原理圖符號如下所示。P 溝道 JFET 的工作方式與 N 溝道相同，但有以下例外：

– 偏置電壓的極性需要反轉 – 由于空穴，通道電流為正

JFET 的示意圖符號

下面顯示的 JFET 橫截面圖像是一個適當偏置的 JFET，其中柵極是反向的，并構成到源極到漏極半導體板的二極管結。如果在源極和漏極之間施加電壓，由于摻雜，N 型條將在任一方向導電。反向偏置的程度控制導通。施加適度的反向偏壓可以增加耗盡區的厚度。通過使溝道變窄，增加了源漏溝道的電阻。對于低電平漏電池電壓，源漏電流可以在任一方向流動，因為源漏是可以互換的。

編輯：hfy