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650V場截止IGBT 現代廚房技術分析

電子設計 ? 來源:仙童半導體 ? 作者:仙童半導體 ? 2021-06-01 14:56 ? 次閱讀

現代廚房技術現在涉及感應烹飪,以提供更簡單的方法和更快的食物準備。由于不同制造商品牌在市場上競爭,秘訣在于感應加熱器可產生更多功率輸出,從而縮短烹飪時間。本文檔將簡要介紹 Fairchild 的新型 650 V 場截止 IGBT 如何幫助將廚房烹飪提升到一個全新的水平。

電磁爐制造商正在努力增加最大功率并減少烹飪時間,同時實現高系統效率以滿足嚴格的能源之星標準。

這些趨勢對選擇合適的 IGBT 提出了新的要求,這些 IGBT 是感應加熱系統中的關鍵功率半導體。考慮到灶具的使用壽命可能長達 10-15 年,合適的 IGBT 可以提供低功率損耗、高效和高可靠性能力,從而在灶具的使用壽命內發揮作用。

根據系統要求,FGH40T65SHDF 等 650V 場截止 (FS) 溝槽 IGBT 非常適合電磁爐和逆變技術微波爐的軟開關應用。與之前的 600V 場截止平面 IGBT 技術相比,650V FS 溝槽 IGBT 技術具有更低的傳導損耗,因為 Vce(sat) 特性降低了 24%(圖 1)。擊穿電壓額外高出 50V,可提供更大的系統設計余量和可靠性優勢。

o4YBAGC12FWAbcH_AACFdaEcEIo898.png

600V FS Planar vs. 650V Field Stop Trench IGBT Vce(sat)

最后,與上一代 600V 場截止平面 IGBT 相比,新型 650V FS 溝槽 IGBT 還具有更低的 Eoff 或尾部損耗(圖 2)。

pIYBAGC12GGAXuMXAAH4nhoFS-Q636.png

Eoff 特性比較(輸入功率:3KW 條件) 圖3 是IH Cooktop 設置條件下的損耗匯總和比較;Fsw=25kHz,(輸出功率)Pout:2.5KW。新的 650V 場截止溝槽 IGBT 將總損耗降低了 17% 以上。

圖3顯示了IH Cooktop設置條件下損失的總結和比較;Fsw=25kHz,(輸出功率)Pout:2.5KW。

新的 650V 場截止溝槽 IGBT 將總損耗降低了 17% 以上。

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新型 650V 場截止溝槽 IGBT 和 600V 場截止平面 IGBT 之間的損耗分析匯總比較

需要高能效、高度可靠的 IGBT 用于軟開關應用(如電磁爐和逆變技術微波爐)的設計人員應該考慮新的 650V 場截止溝槽 IGBT。新的場截止溝槽 IGBT 技術能夠優化開關損耗和傳導損耗之間的平衡。

編輯:hfy

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