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無(wú)線能量傳輸中eGaN? FET高效率設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)方案

電子設(shè)計(jì) ? 來(lái)源:eeweb ? 作者: Alex Lidow ? 2021-05-31 11:48 ? 次閱讀

eGaN FET 之前已經(jīng)在松散耦合的無(wú)線電力傳輸解決方案中展示了更高的效率。當(dāng)使用 ZVS D 類或 E 類放大器進(jìn)行諧振操作時(shí)會(huì)發(fā)生這種情況 [1, 2, 3, 4, 5]。然而,實(shí)用無(wú)線電力系統(tǒng)需要解決此類系統(tǒng)的便利因素,這會(huì)導(dǎo)致反射線圈阻抗隨著負(fù)載和耦合的變化而顯著偏離諧振。這些系統(tǒng)仍然需要向負(fù)載供電,因此放大器需要在很寬的阻抗范??圍內(nèi)驅(qū)動(dòng)線圈。A4WP Class 3 等標(biāo)準(zhǔn)定義了一個(gè)廣泛的線圈阻抗范圍,以解決便利因素,并可用作比較放大器性能的起點(diǎn)。

在本期 Wi GaN 中,ZVS D 類和 E 類放大器都將在 6.78 MHz 下按照 A4WP 3 類標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試,并降低阻抗范圍以確定固有的工作范圍限制。器件溫度和電壓限制等因素將決定每個(gè)放大器能夠驅(qū)動(dòng)的負(fù)載阻抗范圍的界限。

A4WP 3 類標(biāo)稱工作范圍

A4WP 3類標(biāo)準(zhǔn)定義了一個(gè)寬阻抗范圍-虛數(shù)范圍為+ 10jΩ至-150jΩ,實(shí)際范圍為1Ω至56Ω。這是必不可少的,因?yàn)榉糯笃餍枰軌蛞?800 mARMS 的標(biāo)稱電流驅(qū)動(dòng),當(dāng)提供的功率達(dá)到 16 W 時(shí),該電流會(huì)降低。整個(gè)阻抗范圍在圖 1 的史密斯圓圖中以藍(lán)色陰影區(qū)域顯示,并且是也稱為四個(gè)角。由于范圍如此之寬,因此可以旋轉(zhuǎn)阻抗范圍以提高驅(qū)動(dòng)線圈的放大器的效率和性能。在某些條件下,這種阻抗旋轉(zhuǎn)被稱為自適應(yīng)匹配,因?yàn)橛性措娐窌?huì)尋求找到最合適的線圈工作阻抗,并由藍(lán)色虛線表示(沒(méi)有特定旋轉(zhuǎn))。

鑒于 A4WP 3 類阻抗范圍如此廣泛,無(wú)線電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)的第一步是確定實(shí)際工作阻抗范圍。一旦知道,該值將確定自適應(yīng)匹配覆蓋整個(gè) 3 類范圍所需的離散步數(shù)。放大器的實(shí)際限制包括額定設(shè)備電壓限制、溫度限制,在某些情況下,還包括電源電壓限制。在此實(shí)驗(yàn)分析中,將在 28°C 的工作環(huán)境中使用 80% 的器件電壓限制和 100°C 的器件溫度限制(由紅外攝像機(jī)觀察到)。

o4YBAGC0W_yATXSBAAN-1QfbnEk333.png

高效無(wú)線功率傳輸放大器拓?fù)?/strong>

將分析兩種高效放大器拓?fù)洌?D 類 ZVS 和單端 E 類。每種放大器拓?fù)涞脑韴D和理想工作波形如圖 2 所示。

ZVS D 類拓?fù)淅梅侵C振 ZVS 諧振電路允許開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)在開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換之間自換向,從而有效地消除了 D 類器件與輸出電容 (COSS) 相關(guān)的損耗執(zhí)行。

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單器件 E 類拓?fù)淅弥C振電路 Le 和 Csh(其諧振頻率與工作頻率不同)來(lái)建立 ZVS 所需的條件。在這種設(shè)計(jì)中,輸出電容(COSS)有效地與Csh并聯(lián),因此成為建立ZVS所需的諧振電路的一部分。在某些情況下,隨著外部電容器 Csh 的值減小到零,E 類的設(shè)計(jì)將限于 COSS 的值。

設(shè)備比較

[5] 中定義的無(wú)線功率傳輸品質(zhì)因數(shù) (FOMWPT) 用于將 eGaN FET 與一流的 MOSFET 進(jìn)行比較,如圖 3 所示。高級(jí)器件將具有較低的 FOMWPT 值。從 FOMWPT 中可以清楚地看出,eGaN FET 在兩種放大器拓?fù)渲卸季哂袧撛诘膬?yōu)越性能。

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編輯:hfy

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