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通過EPC的GaN EPC2032的電路設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)

電子設(shè)計(jì) ? 來源:powerelectronicsnews ? 作者:Giovanni Di Maria ? 2021-03-23 16:19 ? 次閱讀

GaN晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有較小的尺寸,非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中,我們將使用EPC的GaN EPC2032進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。

EPC2032的特性

EPC2032 eGaN的供貨形式為帶有用于焊接的突起(參見圖1)。它的尺寸很小。以下是其一些值得注意的功能:

  • Rds(on):4毫歐(0.004歐姆);
  • Ids(max):48 A;
  • 漏源電壓(Vds):100 V;
  • Vgs:6 V;
  • 結(jié)工作溫度(Tj):-40°C至+ 150°C;
  • 很高的開關(guān)頻率;
  • 尺寸為4.6 x 2.6毫米;
  • 熱阻:0.45°C / W。

圖1 EPC2032 GaN

模擬Rds(on)和效率

我們可以首先分析飽和狀態(tài)下的Rds(on)的測量結(jié)果,然后分析功率器件的靜態(tài)效率。應(yīng)用圖如圖2所示。

圖2:GaN靜態(tài)測試的接線圖

電路的靜態(tài)工作值如下:

  • Vcc:100 V;
  • 負(fù)載電阻:5歐姆;
  • Vg:6 V;
  • 負(fù)載電流:19.98 A;

Rds(on)值為EPC2032:0.00285307歐姆(2.8毫歐)。在電路的工作條件下,仿真計(jì)算了器件的靜態(tài)電阻值,從而確認(rèn)了官方數(shù)據(jù)表中的一般功能。

我們獲得EPC2032的效率值:99.935%。

在這些條件下,即使漏極源結(jié)被20安培的電流交叉,GaN仍在工作時(shí)實(shí)際上保持低溫。實(shí)際上,功耗等于EPC2032:1.29瓦。

有趣的是,在將任何類型的負(fù)載施加到電路輸出端時(shí),其靜態(tài)效率都很高。分析1歐姆至101歐姆之間的歐姆電阻,效率百分比非常高。電阻值的掃描可以通過SPICE指令執(zhí)行:

.step參數(shù)加載1101 2

RDS(on)對溫度的依賴性

不幸的是,溫度始終會(huì)影響任何電子組件。隨著溫度的變化,GaN的工作條件也會(huì)發(fā)生變化。幸運(yùn)的是,所檢查的GaN模型使這些變化最小。通過仿真可以觀察到-55°C至+ 150°C之間的溫度。盡管在所有工作條件下DS結(jié)的電阻值都不相同,但電路的效率始終很高,大于99.7%在所有情況下。

圖3:Rds(on)與溫度的關(guān)系

EPC2032 MOSFET的Ids vs.Vds

一個(gè)非常有趣的模擬功能突出顯示了柵極不同極化時(shí)漏極電流相對于Vds電壓的趨勢。Mosfet的行為會(huì)隨著結(jié)溫的變化而極大地變化。下面的示例提供了一個(gè)典型的電路,例如上述電路,其中以下靜態(tài)參數(shù)有所不同:

Mosfet:EPC2032

  • Vds:從0 V到3 V連續(xù);
  • Vg:2 V至6 V,步長為1 V;
  • 結(jié)溫:25 V和150 V.

請記住,要改變Vds,可以使電源電壓V1多樣化或修改負(fù)載R1的電阻值。由于我們正在以1 V的步長檢查柵極電壓Vgs,因此我們將在曲線圖上觀察到的曲線是指等于2 V,3 V,4 V,5 V和6 V的五個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓。SPICE指令從在仿真軟件中進(jìn)行設(shè)置,因此提供了對電壓發(fā)生器V1和V2的掃描,如下所示:

.dc V1 0 100 1 v2 2 6 1

此外,還必須提供以下SPICE指令來分別將系統(tǒng)溫度設(shè)置為25°C和150°C:

.temp 25

或者

.temp 150

通過執(zhí)行DC仿真,該軟件將產(chǎn)生圖4所示的圖形。

圖表非常清晰,表達(dá)了一個(gè)基本概念:該組件在較低的溫度下效果更好。25°C的結(jié)溫可實(shí)現(xiàn)出色的性能和非常高的效率。在150°C的極限溫度下,即使柵極上的電壓值不同,傳輸電流也會(huì)大大降低,實(shí)際上將其值減半。

圖4:EPC2032 GaN MOSFET的特性曲線

結(jié)論

為了使用GaN,強(qiáng)烈建議查閱官方數(shù)據(jù)手冊,以避免超出制造商的限制并從設(shè)備中獲得最佳性能??梢赃M(jìn)行其他仿真示例,例如通過修改“門”電壓來控制和測量“漏極”電流,或者電路效率相對于溫度的變化。無論如何,必須考慮到,如今的GaN是極其快速,堅(jiān)固且功能強(qiáng)大的開關(guān)器件,將來它們將能夠制造性能越來越高的汽車和轉(zhuǎn)換器

編輯:hfy

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