今天要給大家分享的文章如下，這次的題目很容易讀懂，就叫DDR4通道里，過孔的stub對信號質量的影響分析。

那主要肯定是講過孔stub（殘樁）對DDR4的影響咯。首先呢作者對DDR4的信號質量做了一些前提的判定和分析，例如要求通道的插損諧振頻率點要大于5倍的時鐘頻率，按本文分析的3200Mbps來說的話，時鐘是1.6GHz，因此要求的諧振頻率點必須大于8GHz。

好，立馬進入正題，看看作者是如何分情況對DDR4通道進行分析的。他們主要對3種不同的場景進行分析，一是顆粒版本的表層走線，那肯定就是沒有過孔stub了；二是顆粒版本的內層走線，有過孔stub的情況；三是Dimm版本的內層走線，不僅有過孔stub，還包括了Dimm條連接器這個阻抗不匹配的點。下圖就是三種不同case的示意圖。

既然是詳細的研究過孔stub對信號質量的影響程度，那肯定是需要不同的過孔stub長度的比較了。于是本文做了非常非常多的疊層進行分析，過孔stub從14層的52.7mil（內層走線都以L3層出線，分析不同疊層的最長過孔stub的情況）到28層的124.7mil。幾乎涵蓋了99%的應用需求。

另外，作者還給出了所使用的過孔的一些參數情況和進行3D仿真的模型。

好，我們一起來看分析的結果吧。

首先case1，表層走線，沒有過孔stub的情況下，結果比較簡單也比較明確，在3200Mbps的速率下信號質量比較好，在-16次方的嚴格誤碼率下，眼圖仍有比較大的裕量。

那么進行case2的分析了。可以看到，過孔stub長度在73.1mil的時候是一個臨界點，這個時候眼圖剛好壓在-16次方誤碼率的mask，再往下的話就不能滿足該誤碼率的標準了。

那么case3呢，加上一個dimm條連接器之后的情況又會是如何呢？恩！是的，想到了會變差，但是，是不是沒想到差成這樣？？

可以看到在Dimm條應用的情況下，50mil以上的stub都是有風險的，過不了-16次方誤碼率的標準。

進行完眼圖的分析后，我們再來看看頻域的分析，插損情況的對比。

首先進行了case2的73mil臨界點和83mil不過的兩種情況的對比。可以看到雖然只是10mil的差別，但是從下圖紅色框標出的幾個點的損耗情況都有比較大的差異，幾乎有30dB的區別。

而對比53mil的過孔stub長度下顆粒版本和Dimm條應用的情況如下。可以看到Dimm條模式下也會有接近10dB的差異了。

最后，作者給出了在不同過孔stub情況下的成功率的預測，非常的直觀明了。

編輯：hfy