1. 2020年前三季度中國集成電路產品產量完成情況

據2020年10月19日國家統計局網站消息，2020年前三季度中國集成電路產品產量總共生產了1822億塊，同比增長14.7%，其中，9月份共生產了241億塊，同比增長16.4%。

據工信部運監局統計報道，2020年7月，中國集成電路產品產量同比增長9.0%，8月份集成電路產品產量同比增長12.1%。

2. 2020年前三季度中國集成電路產品進出口情況

據中國海關總署公布：

2020年1-9月，中國累計進口集成電路3871億塊，同比增長23.0%；

2020年1-9月，中國累計進口集成電路金額17673.2億元，同比增長16.6%；

2020年1-9月，中國累計出口集成電路1868.3億塊，同比增長18.7%；

2020年1-9月，中國累計出口集成電路金額5780.2億元，同比增長14.9%；

2020年1-9月，中國集成電路產品進出口逆差為11893.0億元（約為1703.9億美元）；

2020年1-9月，中國機電產品出口1.31萬億元，同比增長1.4%，占同期對美出口總額的60%。其中，筆記本電腦出口額為1620.9億元，同比增長14.4%，出口手機1286.9億元，同比下降3.4%；集成電路出口占機電產品出口總額的44.1%。

3. 發改委：個別地方盲目上芯片項目，風險顯現

國家發改委于10月20日召開10月份例行新聞發布會，發改委新聞發言人孟瑋出席。

孟瑋指出，國內投資集成電路產業熱情不斷高漲，2019年，我國集成電路銷售收入7562億元，同比增長15.8%，已成為全球集成電路發展增速最快的地區之一。同時一些沒經驗沒技術沒人才的三無企業也加入其中，個別地方盲目上項目，低水平重復建設風險顯現。

孟瑋表示，發改委將從四方面維護產業發展秩序：

一是加強規劃布局。按照“主體集中、區域集聚”的發展原則，加強對集成電路重大項目建設的服務和指導，有序引導和規范集成電路產業發展秩序，做好規劃布局。引導行業加強自律，避免惡性競爭。

二是完善政策體系。加快落實國發〔2020〕8號文，也就是關于新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策，抓緊出臺配套措施，進一步優化集成電路產業發展環境，規范市場秩序，提升產業創新能力和發展質量，引導產業健康發展。

三是建立防范機制。建立“早梳理、早發現、早反饋、早處置”的長效工作機制，強化風險提示，加強與銀行機構、投資基金等方面的溝通協調，降低集成電路重大項目投資風險。

四是壓實各方責任。堅持企業和金融機構自主決策、自擔責任，提高產業集中度。引導地方加強對重大項目建設的風險認識，按照“誰支持、誰負責”原則，對造成重大損失或引發重大風險的，予以通報問責。

4. 半導體產業鏈創新論壇在上海召開

10月15日，半導體產業鏈創新論壇作為IC CHINA平行論壇在上海浦東嘉里大酒店召開，論壇由中國半導體行業協會集成電路分會、封裝分會、支撐業分會承辦。論壇以“新時期、新政策、新發展”為主題，由中國半導體行業協會支撐分會秘書長石瑛、中國半導體行業協會封裝分會常務副秘書長徐冬梅共同主持。

中國半導體行業協會副理事長于燮康出席了論壇并發表了主題為《中國集成電路產業發展進入新階段》的演講，為大家介紹了中國集成電路產業發展的基本情況。于燮康指出，我國集成電路產業運行質量在不斷提高。可以說，集成電路設計業的產品檔次從低檔逐漸走向高檔，高端芯片占比不斷提升；晶圓制造業的產品附加值在不斷提高；封測業的先進封裝占比也在不斷上升。同時針對中國集成電路產業發展的新階段提出了強化頂層設計和產業集群建設、優化資源配置加大研發投入、強化應用引領應用驅動、加強知識產權保護、政策普惠分立器件共五個方面的建議。

華海清科股份有限公司常務副總經理李昆、華天科技(昆山)電子有限公司研究院院長馬書英、江蘇華海誠科新材料股份有限公司董事長韓江龍、迪思科科技（中國）有限公司產品經理束亞運、通富微電子股份有限公司封裝研究院SiP首席科學家謝建友、北京中電科電子裝備有限公司技術總監葉樂志以及默克中國負責人王美良也參加了論壇，圍繞“新時期、新政策、新發展”的主題，分別從封測技術、裝備材料等角度與現場觀眾進行了探討與分享。

隨著5G時代的來臨，新基建的需求對集成電路產業提出了更高的要求，也是集成電路產業新的機遇。本次半導體產業鏈創新論壇的召開，意在加強產業鏈的交流合作，推動我國集成電路5G新時期可持續、高質量發展。論壇得到了產業界人士高度關注，現場座無虛席，與會人士站滿了通道及入口。

5. 南京集成電路大學正式成立

2020年10月22，由南京江北新區聯合企業、高校共同成立的南京集成電路大學，在南京江北新區舉行了揭牌儀式。

南京市政協主席、集成電路產業鏈“鏈長”劉以安，南京市委常委、江北新區黨工委專職副書記羅群，南京市副市長沈劍榮等來自南京市、江北新區的主要領導以及高校、企業的代表出席活動?；顒佑赡暇┦懈笔虚L沈劍榮主持。

劉以安為南京集成電路大學揭牌，并為時龍興教授頒發南京集成電路大學校長聘書。

今年7月，國務院將集成電路設為一級學科，同時期發布了《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》，集成電路產業發展和人才培養的重要性進一步凸顯。在此背景下，南京集成電路大學應運而生。

南京集成電路大學將以面向產業人才為定位，與傳統高校取長補短，以機制創新、相互補充的方式，解決當前人才培養難點，促進地方產業發展，是一個銜接政府、高校、企業以及推進產教融合的開放平臺?；顒又?，來自高校、科研單位、企業的相關代表，與南京集成電路大學就產業人才培養合作進行簽約。

南京集成電路大學揭牌儀式的同期還舉行了產業人才培養高端論壇。

6. 首片國產6英寸碳化硅晶圓產品在上海臨港正式發布

據上海臨港官微報道，10月16日，首片國產6英寸碳化硅（SiC）MOSFET（金屬氧化物場效應晶體管）晶圓在上海臨港正式發布。

據上海瞻芯電子創始人兼總經理張永熙介紹，如果用了碳化硅MOSFET新能源汽車作電驅動的話，續航里程可以有5%到10%的提升。比如說用了碳化硅工藝器件的光伏逆變器的話，效率也可以非常大的提升尤其在能耗上面降低50%。目前，這款晶圓已經有國內10多家客戶進行了試用，其中2家已經形成了小批量出貨。

據悉，上海瞻芯電子提供以SiC功率器件、SiC/Si MOSFET驅動芯片、SiC模塊為核心的功率轉換解決方案，適用于風能逆變、光伏逆變、工業電源、新能源汽車、電機驅動、充電樁等領域。

上海瞻芯電子2017年7月17日在上海臨港正式注冊成立，開發以6英寸為主的碳化硅晶圓。2017年10月上旬完成工藝流程、器件和版圖設計，在10月到12月間完成初步工藝試驗，并且從2017年12月開始正式流片，在不到5個月內成功地在一條成熟量產的6英寸工藝生產線上完成碳化硅（SiC）MOSFET的制造流程。

7. 國聯聞泰5G通訊和半導體產業基金成立

10月18日，國聯集團與聞天下投資有限公司簽署合作協議，雙方共同發起成立起始規模達100億元的國聯聞泰5G通訊和半導體產業基金。這是繼今年8月聞泰科技超級智慧產業園項目落戶高新區以來，聞泰與無錫展開全面戰略合作的又一重磅舉措，將為無錫加快集成電路及5G產業發展、培育世界級產業集群注入新動力。

今年8月，聞泰科技投資100億元籌建無錫超級智慧產業園，建設聞泰全球第一個世界最先進水平的智慧超級工廠及研發中心。此次，無錫與聞泰再度牽手，共同發起設立國聯聞泰5G通訊和半導體產業基金，依托聞泰科技和國聯集團在半導體產業的資金、技術優勢，圍繞聞泰科技及其供應鏈，以“數字新基建”為主題重點布局符合國家戰略、突破關鍵技術、市場認可度高的高端智能制造企業。作為基金的重要合伙人，國聯集團子公司國聯資本運營有限公司將參與基金的組建和運營管理，發揮好國有資本的獨特優勢。

作為無錫集成電路產業發展的最前沿和主陣地，無錫高新區有著涵蓋芯片設計、晶圓制造、封裝測試、配套服務在內的完整產業鏈。蔣敏表示，無錫高新區作為太湖灣科創帶的核心區，在發展5G通訊和半導體上具有得天獨厚的產業鏈、創新鏈和政策鏈優勢。下階段，高新區將全面秉承“無難事、悉心辦”的理念，一如既往地當好“店小二”，為企業發展營造良好環境，實現雙方互利共贏。

8. 華潤微擬增募資50億 主攻功率半導體封測

10月19日晚，華潤微發公告稱，公司擬非公開發行股票募集資金50億元，投向功率半導體封測基地項目。

公告顯示，華潤微電子功率半導體封測基地建設項目總占地面積約100畝，規劃總建筑面積約12萬平方米。本項目預計建設期為3年，項目總投資42億元，擬投入募集資金38億元，其余所需資金通過自籌解決。本項目建成并達產后，主要用于封裝測試標準功率半導體產品、先進面板級功率產品、特色功率半導體產品，生產產品主要應用于消費電子、工業控制、汽車電子、5G、AIOT等新基建領域。

華潤微表示，項目建成后，公司在封裝測試環節可與芯片設計、晶圓制造等環節形成更好的產品與工藝匹配，有利于充分釋放內部各環節的資源優勢與協同效應，公司生產一體化比例有望進一步提升，推動公司進一步向功率半導體綜合一體化運營公司轉型。

9. 12個芯片項目落戶無錫錫山

集微網消息，10月19日，無錫錫山經濟技術開發區舉辦“‘芯’谷啟航 ‘芯’動錫山”開發區集成電路產業項目合作交流活動。

活動上簽約落戶12個芯片項目，包括華為、小米生態鏈企業瀚昕微，中興、華為戰略合作伙伴賽爾特安，京東方、小米供應商海鯨半導體及MEMS傳感器芯片項目、浪涌防護芯片項目、光通信用全集成收發芯片項目等。

會上還發布了錫山開發區“芯片10條”與1個基金—南京俱成秋實貳號創業投資合伙企業。基金規模17.91億人民幣。投資領域包括創業各階段的新型信息技術、集成電路設計制造、新材料、新能源、智能制造等先進制造行業企業。

10. 深科技投資存儲先進封測與模組制造項目

近日，深圳長城開發科技股份有限公司發布兩份重要公告，一是全資子公司沛頓科技（深圳）有限公司聯合大基金二期等設立沛頓存儲；二是擬非公開發行募資不超過17.1億元，投入沛頓存儲的存儲先進封測與模組制造項目。

根據外投資公告，深科技全資子公司沛頓科技與大基金二期、合肥經開投創以及關聯方中電聚芯于2020年10月16日簽署了《投資協議》，擬共同出資設立合肥沛頓存儲科技有限公司，作為存儲先進封測與模組制造項目的實施主體。

根據公告，沛頓存儲投資總額30.67億元，注冊資本30.60億元，其中，沛頓科技、大基金二期、合肥經開投創和中電聚芯分別現金出資17.10億元、9.50億元、3億元和1億元，并各持有沛頓存儲55.88%、31.05%、9.80%和3.27%股權。

根據2020年度非公開發行A股股票預案，深科技此次擬非公開發行股份89,328,225股（含本數），募集資金總額不超過17.1億元，扣除發行費用后擬將全部用于存儲先進封測與模組制造項目。

據披露，存儲先進封測與模組制造項目計劃總投資30.67億元，將主要建設包括DRAM存儲芯片封測、存儲模組、NAND存儲芯片封裝業務，預計全部達產后月產能分別4800萬顆、246萬條、320萬顆，建設期3年，可實現年產值28.63億元。主要為客戶提供存儲芯片封測和模組制造產能，項目建設周期3年，可實現年產值28.63億元。

深科技表示，本次非公開發行募集的資金將全部用于“存儲先進封測與模組制造項目”，為客戶提供存儲芯片封測和模組制造產能。本項目實施后，可滿足客戶較大需求的DRAM、Flash存儲芯片封測以及DRAM內存模組制造業務，有助于國內存儲器芯片封測的深度國產化。本次募投項目實施后的新增產能加上公司現有產能，將為存儲器芯片國產化提供保障。

11. 利揚芯片擬公開發行3410萬股并于科創板上市

10月22日，廣東利揚芯片測試股份有限公司披露的招股意向書顯示，該公司擬首次公開發行股票3410萬股(占發行后總股本的比例為25%）并于科創板上市，本次公開發行后公司總股本不超過13640萬股。本次發行初步詢價日期為2020年10月27日，申購日期為2020年10月30日。

另外，招股意向書顯示本次發行僅為發行人公開發行新股，發行人股東不公開發售其所持股份，即本次發行不設老股轉讓。

2017年至2019年，利揚芯片分別實現營業收入1.29億元、1.38億元、2.32億元；分別實現凈利潤1946.30萬元、1592.71萬元、6083.79萬元。

據悉，利揚芯片是國內知名的獨立第三方集成電路測試服務商，產品主要應用于通訊、計算機、消費電子、汽車電子及工控等領域，工藝涵蓋8nm、16nm、28nm等先進制程。

12. 山東有研“集成電路用大尺寸硅材料規?；a項目”通線量產

10月16日，山東有研半導體材料有限公司“集成電路用大尺寸硅材料規模化生產項目”量產通線儀式在德州舉行。

該項目由北京有研院與山東德州市政府于2018年6月簽約，2018年7月正式落戶德州經開區，2019年3月動工，總投資80億元。一期投資18億元，規劃建設8英寸硅片276萬片/年、6英寸硅片180萬片/年；300噸12-18英寸大直徑硅單晶生產線。二期建設12英寸集成電路用大硅片，預期在2021年開工建設

作為省級重點“頭號”項目，從2018年7月26日項目簽約，到山東省首根半導體級8英寸直拉單晶硅棒拉制成功，再到德州8英寸集成電路用硅片通線量產，僅僅用了兩年多時間。

據悉，二期年產360萬片12英寸硅片項目計劃明年開工建設，建成投產后，將成為我國北方最大的半導體材料生產基地,可有效輻射北京、天津、無錫、石家莊等我國重要電子信息產業基地。

13. SK海力士宣布收購英特爾閃存業務

10月20日，SK海力士在官網宣布，將收購英特爾的SSD、NAND flash、晶圓業務以及其于中國大連的產線，總價值大約10.3萬億韓元（約合90億美元）。此次交易后，將使SK海力士市占超越日商鎧俠，躍居存儲器第二的位置。

英特爾表示，被剝離的因為為非核心業務，交易將有助于其解決芯片技術困境，其特有的傲騰TM業務部門將被保留。對英特爾來說，剝離非核心業務將有助于其解決芯片技術困境。

兩家公司表示，將爭取在2021年底前取得所需的政府機關許可。在獲取相關許可后，SK hynix將通過支付第一期70億美元對價從英特爾收購NAND SSD業務（包括NAND SSD相關知識產權和員工）以及大連工廠。此后，預計在2025年3月份最終交割時，SK hynix將支付20億美元余款從英特爾收購其余相關資產，包括NAND閃存晶圓的生產及設計相關的知識產權、研發人員以及大連工廠的員工。

根據協議，英特爾將繼續在大連閃存制造工廠制造NAND晶圓，并保留制造和設計NAND閃存晶圓相關的知識產權(IP)，直至最終交割日。

SK海力士表示將依規定向中、美、韓等國家政府機關申請許可，預計在2021年年底前完成收購。

14. 聯電晉華案雙方有望以6000萬美元和解

據臺媒報道，晶圓代工大廠聯電之前被美國司法部訴訟協助晉華竊取美光的DRAM制造技術一案，雙方有望以6000萬美元進行和解，目前方案尚待法院核準。

聯電10月22日發布公告稱，聯電向美國司法部提出和解解決方案，以期在最短時間內結束本案。聯電提出的建議量刑狀書包含：請求法院處以輕便的罪名，以及原被告雙方協商的罰金美金6000萬美元。解決方案尚待法院批準。

盜竊知識產權和竊取商業機密如果被判事實成立，向來都會面臨最嚴厲的處罰。如今協商到僅營業秘密刑事案件，罰金6千萬美元，比之前預期的結果好很多。

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