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華瑞微半導體IDM芯片項目由南京華瑞微集成電路有限公司總投資30億元建設

電子工程師 ? 來源:世界半導體論壇 ? 作者:世界半導體論壇 ? 2020-11-05 09:43 ? 次閱讀

近日, 安徽滁州南譙區舉行10月份重大項目集中開工暨華瑞微半導體IDM芯片項目奠基儀式。

據南譙區政府信息,華瑞微半導體IDM芯片項目由南京華瑞微集成電路有限公司總投資30億元建設,是浦口—南譙合作產業園區首個落戶項目。這也使得南京浦口與滁州南譙產業合作進一步加強。

據滁州網此前報道,該項目主要經營半導體功率器件的研發及生產制造,項目一期總投資10億元,用地100畝,建設周期3年,建設6英寸功率器件晶圓生產線,全部達產后預計年銷售達到10億元。

此次落戶,是南譙經開區面向“長三角”招商的重要突破,是南譙經開區與南京江北新區達成戰略合作協議后取得的積極成果。

資料顯示,南京華瑞微集成電路有限公司成立于2018年5月,是一家集功率器件產品研發、生產、銷售和服務于一體的高新技術企業。華瑞微已經研發成功且量產的產品包括高壓VDMOS、低壓Trench MOS、超結MOS和SGT MOS,同時正在開展第三代半導體(SiC、GaN)功率器件的研發工作。

責任編輯:lq

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原文標題:30億元,又一個半導體IDM項目開工

文章出處:【微信號:icdaily,微信公眾號:icdaily】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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