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美光發(fā)布176層3D NAND閃存

璟琰乀 ? 來源:比特網(wǎng) ? 作者:比特網(wǎng) ? 2020-11-12 16:02 ? 次閱讀
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存儲器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲的應(yīng)用效能。

據(jù)了解,176層3D NAND閃存是美光第二代替換閘(Replacement Gate)架構(gòu),是目前全球技術(shù)最為先進的NAND節(jié)點,相較于前代3D NAND相比,美光176層3D NAND閃存在讀取及寫入延遲方面提升35%。

美光176層閃存其實是基于兩個88層疊加而成,第一批為TLC顆粒,單個Die的容量為512Gb(64GB),當然后期很可能會加入QLC。

據(jù)悉,美光176層3D NAND閃存可提供更好的服務(wù)質(zhì)量,可加速數(shù)據(jù)密集環(huán)境和工作負載,例如數(shù)據(jù)庫、人工智能引擎以及大數(shù)據(jù)分析等。

得益于新的閃存架構(gòu)和堆疊技術(shù),美光將176層閃存的厚度控制在45微米,基本上與早期的64層浮動?xùn)艠O3D NAND相當,所以,即使在一顆芯片內(nèi)封裝16個Die,做到1TB的單顆容量,厚度也不會超過1.5毫米,可以輕松放入智能手機、存儲卡。

責(zé)任編輯:haq

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