重慶郵電大學已成功研發第三代半導體氮化鎵功率芯片
據重慶郵電大學光電工程學院副教授黃義表示，目前實驗室已成功研發第三代半導體氮化鎵功率芯片，主要應用在汽車電子、消費電源、數據中心等方面，其具備體積小、效率高、用電量少等特點。電量能節省10%以上，面積是硅芯片的1/5左右，開關速度提升10倍以上。目前該項目已經到了試驗性應用階段，未來有望在各種電源節能領域和大數據中心使用。
此外，由重慶郵電大學規劃的‘重慶集成電路設計創新孵化中心’現已入駐西部（重慶）科學城。該中心將著力建設集成電路公共設計、測試分析、半導體工藝等為一體集成電路中試平臺，提供低成本、高效率的集成電路公共服務與專業技術支持。
責任編輯:pj
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