在半導體晶圓代工上,臺積電一家獨大,從10nm之后開始遙遙領先,然而三星的追趕一刻也沒放松,今年三星也量產了5nm EUV工藝。三星計劃在2年內追上臺積電,2022年將量產3nm工藝。
從2019年開始,三星啟動了一個“半導體2030計劃”,希望在2030年之前投資133萬億韓元,約合1160億美元稱為全球最大的半導體公司,其中先進邏輯工藝是重點之一,目標就是要追趕上臺積電。
在最近的幾代工藝上,三星的量產進度都落后于臺積電,包括10nm、7nm及5nm,不過5nm算是縮短了差距,今年也量產了,此前也獲得了高通、NVIDIA、IBM等客戶的8nm、7nm訂單。
但三星追趕臺積電的關鍵是在下一代的3nm上,因為這一代工藝上三星押注了GAA環繞柵極晶體管,是全球第一家導入GAA工藝以取代FinFET工藝的,而臺積電比較保守,3nm還是用FinFET,2nm上才會使用GAA工藝。
最新消息稱,三星半導體業務部門的高管日前透露說,三星計劃在2022年量產3nm工藝,而臺積電的計劃是2022年下半年量產3nm工藝,如此一來三星兩年后就要趕超臺積電了。
值得一提的是,臺積電也似乎感受到了三星的壓力,原本計劃2024年才推出2nm工藝,現在研發順利,2023年下半年就準確試產了。
責任編輯:gt
-
半導體
+關注
關注
334文章
27335瀏覽量
218397 -
臺積電
+關注
關注
44文章
5633瀏覽量
166463 -
晶圓
+關注
關注
52文章
4903瀏覽量
127960
發布評論請先 登錄
相關推薦
評論