據(jù)韓國媒體《Infostock Daily》11月18日引述消息人士報道，三星電子已決定在美國建立完全采用EUV（極紫外光）生產設備的LSI（Large－scale integrated circuit，大規(guī)模集成電路）工廠。

同一天，美國亞利桑那州鳳凰城的市議會，以9：0投票結果一致同意批準了與臺積電達成投資協(xié)議。

晶圓代工業(yè)界前兩大廠商前后腳確認、推進在美國設廠事宜，還真是值得關注。

據(jù)《Infostock Daily》消息，三星擬投資100億美元，在美國德克薩斯州奧斯汀市建立一座12吋晶圓新廠——這是三星在美國的第二座生產基地，產能為70K。臺灣聯(lián)合新聞網(wǎng)文章引述業(yè)界解讀稱，三星在美國將擴大7nm以下，甚至更先進的3nm先進制程工藝的布局，意在緊追臺積電在美國投資腳步。

韓媒稱，三星這座預計全部采用EUV生產設備的新廠，將是三星在韓國以外第一個使用EUV生產的廠區(qū)。這樣做的目的也是加快拉近與臺積電差距。這座工廠啟用后將生產非存儲芯片，以及系統(tǒng)整合芯片（system LSI）。不過，韓國媒體的報道未提及三星將在奧斯汀設立的這座新工廠是否已經通過美國政府的審查或已進入最終階段。

根據(jù)三星官方信息，今年5月，三星在韓國平澤啟動建設5nm的EUV工廠，而華城廠區(qū)則已量產5nm。在韓國本土，三星共計有六大生產基地，在美國，此前僅有在德州設有12吋廠生產65nm乃至14nm制程工藝的產品。

類比臺積電，三星也有可能可以獲利美國政府的產業(yè)補助。不過業(yè)界推測，三星要在美國設立的新廠如果確實要爭取美國補助，那么時間上可能不會很快，預料仍要一段時間，最快明年才會有新進展。

臺積電方面，依據(jù)鳳凰城與臺積電的協(xié)議，這個計劃中共計120億美元的投資項目，鳳凰城將為其提供基礎設施方面2．05億美元的市政建設資金。其中，包括6，100萬美元用于鋪設3英里的道路建設，3，700萬美元用于水力建設，以及1．07億美元用于廢水處理設施。（詳見OFweek昨日文章《臺積電美國設廠最新進展：落地鳳凰城，美方先補貼2．05億美元》）

11月20日，臺積電還公布了最新消息，其在美國的兩家子公司取得了加州圣何塞當?shù)?，423坪不動產使用權，將持續(xù)擴大在美國市場的布局。

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