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UnitedSiC基于第四代SiC FET技術(shù)的器件推出,性能取得突破性發(fā)展

牽手一起夢 ? 來源:21IC電子網(wǎng) ? 作者:佚名 ? 2020-11-25 14:24 ? 次閱讀

作為第三代半導(dǎo)體,SiC憑借著多方面更優(yōu)異的性能正在向更多應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)展,但不容回避,成本、易用性方面,傳統(tǒng)的SiC器件在某些方面仍然稍遜于硅器件,這也讓碳化硅器件取代硅器件的發(fā)展之路面臨挑戰(zhàn)。

日前,領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC(聯(lián)合碳化硅)公司,推出了基于其第四代SiC FET先進(jìn)技術(shù)平臺的四款器件。該產(chǎn)品的性能取得了突破性發(fā)展,很好地解決了易用性、成本這個工程師面臨的最大挑戰(zhàn),旨在加速碳化硅這種寬帶隙器件在汽車充電、工業(yè)充電、電信整流器、數(shù)據(jù)中心PFC直流轉(zhuǎn)換、可再生能源和儲能應(yīng)用中的廣泛應(yīng)用。

作為目前市場上首批750V SiC FET,UnitedSiC公司這四款第四代器件基于領(lǐng)先的品質(zhì)因數(shù)(FoM)實(shí)現(xiàn)了新的性能水平,從而使汽車、工業(yè)充電、電信整流器、數(shù)據(jù)中心功率因數(shù)校正(PFC)和 DC-DC轉(zhuǎn)換以及可再生能源和儲能領(lǐng)域的電源應(yīng)用都能夠從中受益。

這四款新型SiC FET包含18 mΩ和60mΩ兩種方案,具有出色的FoM,并且其單位面積通態(tài)電阻更低,本征電容也很低。在硬開關(guān)應(yīng)用中,第四代FET實(shí)現(xiàn)了極低的RDS(on)×EOSS(mΩ·μJ),因此其導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗都得到降低。在軟開關(guān)應(yīng)用中,其低RDS(on)×Coss(tr)(mΩ·nF)規(guī)格則可實(shí)現(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗和更高的頻率。這些器件不僅超越了現(xiàn)有SiC MOSFET競爭產(chǎn)品的性能(無論是在25℃低溫還是125℃高溫下工作),而且還提供了極低的體二極管VF,并具有出色的反向恢復(fù)特性,從而降低了死區(qū)損耗并提高了效率。

UnitedSiC公司FAE經(jīng)理Richard Chen表示,目前市場上同類的SiC MOSFET 電壓一般為650V,或650V以下,對于電動汽車等領(lǐng)域要求的400/500V總線電壓應(yīng)用,750V的碳化硅MOSFET能為設(shè)計(jì)人員提供更多的裕量并減少其設(shè)計(jì)約束。

另外,市場上已有的SiC MOSFET對驅(qū)動電壓的要求也有別于以前的硅器件,這讓工程師在從原來的硅器件轉(zhuǎn)向碳化硅FET時(shí),不得不去重新設(shè)計(jì),以便采用新的驅(qū)動電路

Richard Chen告訴21ic電子網(wǎng)記者,UnitedSiC的第四代SiC FET的所有器件都可以用0至+12V柵極電壓驅(qū)動,與之前的硅器件完全一樣,因此,工程師可以將它們與現(xiàn)有的SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET柵極驅(qū)動器一起使用,大大簡化了他們的設(shè)計(jì)工作。

UnitedSiC公司負(fù)責(zé)亞太區(qū)銷售的VP Liu Luwei告訴21ic電子網(wǎng)記者,雖然是成立不久的新公司,但UnitedSiC公司的業(yè)務(wù)發(fā)展迅猛,年增長率高達(dá)20-30%的雙位數(shù),遠(yuǎn)高于硅器件的平均年增長率。

從DC-DC轉(zhuǎn)換和車載充電到功率因數(shù)校正和太陽能逆變器,這些領(lǐng)域都是UnitedSiC的應(yīng)用領(lǐng)域。Liu Luwei透露,在效率和性能要求更高、同時(shí)成本不敏感的應(yīng)用上,例如:車載、快充領(lǐng)域,SiC MOSFET正在逐漸取代硅器件。

Liu Luwei表示,早在2016年,UnitedSiC就開始與中國的客戶合作,合作項(xiàng)目覆蓋了幾乎所有領(lǐng)域,包括電動汽車的OBC、DC/DC,驅(qū)動,快速充電樁,電信電源,服務(wù)器電源,太陽能,儲能以及高壓斷路器。

為了更好的為國內(nèi)用戶提供全方面的支持,很快的, UnitedSiC將會在深圳成立應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室,進(jìn)一步優(yōu)化對客戶的支持。

責(zé)任編輯:gt

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