第三代半導體全面爆發(fā)，雙循環(huán)模式推動國產(chǎn)化替代
隨著5G、新能源車的快速發(fā)展，我國第三代半導體也正面全面爆發(fā)。
據(jù)第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲透露，雙循環(huán)模式推動國產(chǎn)化替代，2020年中國SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）電力電子和微波射頻產(chǎn)值預(yù)計將約為70億元。
市場規(guī)模擴大，5G加速推進GaN射頻應(yīng)用迅猛增長，2020年中國GaN射頻器件市場規(guī)模約170億元；新能源汽車及消費電子成為突破口，2020年中國電力電子器件應(yīng)用市場規(guī)模58.2億元。
吳玲建議，探索構(gòu)建第三代半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài)，摸索“平臺+孵化器+基金+基地”以及大中小企業(yè)融通發(fā)展的新模式，加強精準的國際與區(qū)域深度合作，共同努力使全鏈條進入世界先進行列。
需要注意的是，氮化鎵的應(yīng)用范圍不只在快充、智能手機等消費類電子領(lǐng)域，還有數(shù)據(jù)中心、柔性供電等工業(yè)領(lǐng)域，以及自動駕駛、車載充電機等汽車領(lǐng)域。如，低壓氮化鎵可應(yīng)用于新一代大數(shù)據(jù)中心，以減少占地、提高功率、降低能耗。
第三代半導體另一個重要產(chǎn)品碳化硅，則將受益于電動汽車行業(yè)的快速成長而迎來爆發(fā)機會。
責任編輯：PSY
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