據(jù)彭博社報(bào)道，三星全力發(fā)展晶圓代工業(yè)務(wù)，規(guī)劃投入1160億美元（約合人民幣7608億元），目標(biāo)實(shí)現(xiàn)3納米制程2022年量產(chǎn)，與臺(tái)積電同步，是兩強(qiáng)近年先進(jìn)制程競(jìng)逐賽中，最接近的一次。業(yè)界認(rèn)為，若三星發(fā)展3納米進(jìn)程順利并提升良率，與臺(tái)積電的搶單大戰(zhàn)也將隨之引爆。

對(duì)于相關(guān)報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電17日表示，不評(píng)論競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。不過(guò)，在技術(shù)上，先前臺(tái)積電已設(shè)定的技術(shù)藍(lán)圖，目前計(jì)劃并未改變。

臺(tái)積電因先進(jìn)制程領(lǐng)先，獨(dú)攬?zhí)O果處理器代工大單，并囊括高通、聯(lián)發(fā)科、AMD、英偉達(dá)等大廠高端芯片訂單，三星雖然努力追趕，但在高階制程訂單斬獲仍有限。

業(yè)界人士指出，三星集團(tuán)近期動(dòng)作頻頻，除了上周甫發(fā)表采用自家5納米制程生產(chǎn)的5G芯片，本周又積極宣傳3納米技術(shù)藍(lán)圖，公司密集發(fā)布消息，宣示性意味濃厚。

臺(tái)積電在7納米與5納米順利量產(chǎn)至逐步放量都領(lǐng)先三星約兩年。臺(tái)積電先進(jìn)制程量產(chǎn)計(jì)劃早已底定，在持續(xù)擴(kuò)展5納米制程基礎(chǔ)上，推出增強(qiáng)版的4納米制程，預(yù)訂2021年第4季風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022年投入量產(chǎn)。同時(shí)也著手3納米研發(fā)，目標(biāo)2021年試產(chǎn)，2022年下半年量產(chǎn)。

臺(tái)積電總裁魏哲家在今年10月發(fā)布會(huì)上提到，臺(tái)積電3納米制程采用FinFET（鰭式場(chǎng)效電晶體）架構(gòu)，以提供客戶最成熟、同時(shí)效能和成本最佳的技術(shù)選項(xiàng)，看好3納米制程推出后，將具備最佳的PPA（效能、功耗及面積），并為最先進(jìn)的制程技術(shù)。

據(jù)報(bào)道，三星晶圓代工部門(mén)高層主管在一場(chǎng)未對(duì)外公開(kāi)的活動(dòng)上，對(duì)出席者表示，三星將在2022年量產(chǎn)3納米芯片。

三星這個(gè)先前未曾曝光的目標(biāo)，代表在臺(tái)積電預(yù)期將于2021年試產(chǎn)3納米、2022年投入量產(chǎn)之際，三星也努力開(kāi)始要撼動(dòng)晶圓代工產(chǎn)業(yè)，希望能爭(zhēng)取到與臺(tái)積電一樣，在2022年量產(chǎn)3納米，若成局，將是三星與臺(tái)積電近年先進(jìn)制程競(jìng)逐賽當(dāng)中，雙方最接近的一次。

報(bào)道稱，三星電子晶圓代工設(shè)計(jì)部門(mén)執(zhí)行副總裁樸在弘當(dāng)時(shí)說(shuō)，三星正與重要合作伙伴開(kāi)發(fā)初始設(shè)計(jì)工具。如果三星成功，對(duì)于該公司的遠(yuǎn)大目標(biāo)將是一大突破。三星期望借由采用環(huán)繞閘極技術(shù)（GAA）來(lái)精進(jìn)制程，該技術(shù)和臺(tái)積電3納米采用FinFET不同。

韓國(guó)仁荷大學(xué)材料科學(xué)與工程教授崔林諾表示：“三星非常迅速地追趕臺(tái)積電，并且尋求借由首度采用新技術(shù)來(lái)邁向主導(dǎo)地位。然而，如果三星無(wú)法在初期階段快速改善先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)良率，可能會(huì)虧錢(qián)。”

原文標(biāo)題：7608億！三星投入3nm芯片量產(chǎn)

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