Intel第三代可擴展至強“Ice Lake-SP”性能曝光
Intel首次采用10nm工藝的第三代可擴展至強“Ice Lake-SP”已經推遲到2021年第一季度，將會和AMD 7nm工藝、Zen3架構的的第三代霄龍正面對決，無論規格還是性能都討不到什么便宜。
B站網友“結城安穗-YuuKi_AnS”曝光了Ice Lake-SP的一顆工程樣品，隸屬于至強銀牌4300系列，14核心28線程，17MB二級緩存（每核心獨享1.25MB），21MB三級緩存（平均每核心1.5MB），基準頻率2.0GHz，最高睿頻4.0GHz，但實際運行中全核頻率只有1.8-2.0GHz，熱設計功耗165W。
雖然是一顆工程樣品，但這樣的頻率確實有點沒法看，而同樣是早期樣品的霄龍7763基準已達2.45GHz，加速則為3.55GHz。
二代可擴展至強沒有14核心，與之最接近的是12核心至強銀牌4214，頻率2.2-3.2GHz，但熱設計功耗只有85W，另外新版至強銀牌4214R頻率提至2.4-3.5GHz，熱設計功耗也不過100W。
難道10nm真的如此弱雞，頻率沒上去，功耗卻控制不住了？只能期待正式版還有大招了。
責任編輯:pj
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
intel
+關注
關注
19文章
3482瀏覽量
185929 -
頻率
+關注
關注
4文章
1496瀏覽量
59212 -
10nm
+關注
關注
1文章
164瀏覽量
29930
發布評論請先 登錄
相關推薦
第三代半導體產業高速發展
當前，第三代半導體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產業高速發展。其中，新能源汽車市場的快速發展是第三代半導體技術推進的重要動力之一，新能源汽車需要高效、高密度的功率器件來實現更長的續航里程和更優的能量管理。
第三代寬禁帶半導體:碳化硅和氮化鎵介紹
? 第三代寬禁帶功率半導體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優勢，且它們在電力電子系統和電動汽車等領域中有著重要應用。本文對其進行簡單介紹。 以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶化合物半導體
第三代半導體氮化鎵(GaN)基礎知識
第三代半導體氮化鎵（GaN）。它以其卓越的性能和廣泛的應用領域，在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導體領域的一顆“新星”——第三代半導體氮化鎵（GaN）。它以其卓越的性能
晶科能源第三代Tiger Neo系列產品的問題解答
近期發布了采用N型TOPCon技術的第三代Tiger Neo系列產品后， 關于這款極具競爭力的產品，小編挑選了大家最為關心的10個問題進行解答。
高通第三代驍龍8移動平臺解鎖沉浸式游戲體驗
隨著手游市場不斷攀升，玩家需求不斷增加，也讓智能手機支持的游戲功能越來越豐富和多樣化。作為眾多游戲手機、性能旗艦的首選平臺，第三代驍龍8移動平臺利用CPU、GPU、NPU的異構計算能力，以卓越能效
一、二、三代半導體的區別
在5G和新能源汽車等新市場需求的驅動下，第三代半導體材料有望迎來加速發展。硅基半導體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導體的優勢被放大。
發表于 04-18 10:18
?3032次閱讀
高通重磅發布第三代驍龍7+，引領AI與性能新紀元
近日，科技界掀起一陣狂潮，高通技術公司盛大發布第三代驍龍7+移動平臺，此舉不僅將終端側生成式AI技術首次引入驍龍7系，更在性能上實現飛躍，CPU性能飆升15%，GPU性能更是驚人提升4
為什么說第三代驍龍8s恰逢其時？
日前，高通舉辦新品發布會，推出了驍龍8旗艦移動平臺誕生以來的第一款新生代旗艦平臺：第三代驍龍8s，這是高通對驍龍旗艦移動平臺的一次層級擴展，同時意味著廣大消費者未來在旗艦手機市場也將會有更多豐富
德國法院裁定英特爾芯片禁售，供應鏈面臨影響
據了解，頒布這條限制銷售命令的是德國西部杜塞道夫地區的法院。對英特爾的判決涉及到其自第10代開始的處理器，包括Ice Lake、Tiger Lake和Alder
ROG游戲手機8系列搭載第三代驍龍8移動平臺
在今日舉辦的CES 2024 ROG新品發布會上，ROG游戲手機8系列正式亮相。新機全系搭載第三代驍龍8移動平臺，并在屏幕、設計、性能及影像等方面帶來全新升級，打造體驗更全面的游戲旗艦手機。
中國第三代自主超導量子計算機“本源悟空”上線運行
1月6日上午9時，中國第三代自主超導量子計算機“本源悟空”，在本源量子計算科技（合肥）股份有限公司（簡稱本源量子）正式上線運行。圖為中國第三代自主超導量子計算機“本源悟空”該量子計算機搭載72位自主
第三代半導體龍頭涌現，全鏈布局從國產化發展到加速出海
第三代半導體以此特有的性能優勢，在半導體照明、新能源汽車、新一代移動通信、新能源并網、高速軌道交通等領域具有廣闊的應用前景。2020年9月，第三代半導體被寫入“十四五”規劃，在技術、市
第三代半導體的發展機遇與挑戰
芯聯集成已全力挺進第三代半導體市場，自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術的研究開發與產能建設。短短兩年間，芯聯集成便已成功實現技術創新的三次重大飛躍，器件性能與國際頂級企業齊肩，并且已穩定實現6英寸5000片/
工商網監
評論