根據2020年二季度Nand Flash市場排名，三星占據31%，處于領先地位，緊跟其后的是鎧俠，占比達17%。排名第三、第四、第五、分別是西數、美光、SK海力士。以下是DRAMeXchange統計數據：

電子發燒友對目前市場主要的Nand Flash廠商及其產品進行梳理，以下是具體內容：

三星 1、三星SSD 980 PRO 三星電子推出首款消費類PCIe 4.0 NVMe SSD：三星SSD 980 PRO， 980 PRO采用三星1XX層 TLC NAND閃存，以及容量分別為512MB和1GB的DRAM緩存，通過內部設計，可充分發揮PCIe Gen4的潛力。數據顯示，三星SSD 980 PRO順序讀取速度最高可達7000MB/s，順序寫入速度最高可達5000MB/s。

2、870 QVO SATA SSD 三星推出了其第二代QLC閃存驅動器870 QVO SATA SSD， 870 QVO分別提供同類最佳的順序讀取和寫入速度，分別高達560 MB/s和530 MB/s，借助該驅動器的Intelligent TurboWrite技術，它可以使用大型可變SLC緩沖器保持最高性能 3、eUFS 3.1 三星電子宣布已經開始批量生產用于智能手機的512GB eUFS 3.1，其寫入速度為512GB eUFS 3.0的三倍，打破了智能手機存儲中1GB/s的閾值。

三星eUFS 3.1連續寫入速度超過1,200MB/s，是基于SATA SSD (540MB/s)的兩倍以上，是UHS-I microSD卡（90MB/s）的十倍以上。 KIOXIA 1、第六代企業SAS SSD 隨著其第六代企業SAS SSD系列的推出， 專為現代IT基礎設施設計的24G SAS將其上一代的數據吞吐率提高了一倍，同時搭載了新功能和增強功能，以達到新的應用性能水平。 PM6系列采用鎧俠的96層BiCS FLASH 3D TLC閃存，可提供業界領先的高達4,300MB/s（4,101MiB/s）的SAS SSD順序讀取性能，比上一代提高了2倍以上。鎧俠的新驅動器容量高達30.72TB，使其成為業界容量最高的2.5英寸SAS SSD。

2、BiCS FLASH

鎧俠開發具有112層垂直堆疊結構的第五代BiCS FLASH三維(3D)閃存。新產品具有512 Gb（64千兆字節）容量并采用TLC技術。 鎧俠創新的112層堆疊工藝技術與先進的電路和制造工藝技術相結合，與96層堆疊工藝相比，將存儲單元陣列密度提高約20%。因此，每片硅晶圓可以制造的存儲容量更高，從而也降低了每位的成本（Bit-cost）。此外，它將接口速度提高50%，并提供更高的寫性能和更短的讀取延遲。 西部數據 1、SN550 NVMe SSD Western Digital設計的控件和固件搭配最新的 3D NAND，可始終如一地提供優化的性能。

2、iNAND MC EU521 西部數據宣布率先基于UFS 3.1規范協議推出iNAND MC EU521嵌入式閃存產品，新增多項功能，并進一步提高速度、容量、降低功耗，再加上11.5x13x1.0mm小型封裝尺寸。西部數據表示，iNAND MC EU521將在3月份上市，采用主流的96層3D NAND，并充分利用UFS 3.1高帶寬以及SLC NAND緩存，可提供最高800MB/s的順序寫入速度。

美光 美光的下一代 M500 固態硬盤采用 Micron 20 nm MLC NAND 閃存、SATA 6 Gb/s 接口，具有行業標準 512 字節分區支持功能、熱插拔功能以及功耗極低的器件休眠模式，并滿足 ATA-8 ACS2 指令集規范要求。 SK海力士 Intel 突然宣布以 90 億美元（約 601 億）的價格將旗下的 NAND 閃存業務出售給了 SK 海力士 ，后者有可能成長為新的全球第二大閃存公司，SK海力士推出Gold P31系列SSD新品，是全球首個基于128層NAND閃存的消費者SSD。Gold P31采用的是128層TLC，PCIe NVMe Gen3接口，讀取速度最高達3500MB/s，寫入速度最高達3200MB/s，以滿足長時間游戲的游戲玩家以及對性能和穩定性有較高要求的專業創作者和設計師。 英特爾 Intel基于144層3D QLC閃存Arbordale Plus，容量將比Intel目前的96層產品提升50%。

長江存儲 128層QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070研發成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。

長江存儲表示，X2-6070是業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存，擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。 每顆X2-6070 QLC閃存芯片共提供1.33Tb的存儲容量。而在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps（Gigabits/s千兆位/秒）的數據傳輸速率。 旺宏 Macronix在2020年下半年生產48層3D NAND存儲器。公司計劃在2021年和2022年分別推出96層3D NAND和192層3D NAND。目前，該公司用于制造NAND的最先進技術是自2019年2月開始使用的19納米平面技術，這款NAND Flash的第一個客戶將是任天堂。

華邦 1、QspiNAND Flash

華邦提供了一系列相容于SPI NOR接口的QspiNAND產品，華邦的QspiNAND系列產品內建了ECC的功能，而且也能提供了連續好”塊”的QspiNAND，這些都能讓使用者并不需要額外的控制器。 2、OctalNAND Flash 全球首款采用x8 Octal接口的NAND Flash—華邦OctalNAND Flash產品可望提供車用電子與工業制造商高容量的儲存內存產品，華邦電子首款采用全新接口的NAND產品，1Gb W35N01JW，連續讀取速度最高可達每秒240MB， W35N-JW OctalNAND Flash采用華邦通過驗證的46nm SLC NAND制程，提供卓越的數據完整性，且數據保存期更可達10年以上。此產品寫入／抹除次數(Program/Erase Cycle)可達10萬次以上，可符合關鍵任務型車用與工業應用所需的高耐用性與高可靠性。 兆易創新 GD5F4GM5系列采用串行SPI接口，引腳少、封裝尺寸小，相比于上一代NAND產品，大大提升了讀寫速度，最高時鐘頻率達到120MHz，數據吞吐量可達480Mbit/s，支持1.8V/3.3V供電電壓，能夠滿足客戶對不同供電電壓的需求；同時提供WSON8、TFBGA24等多種封裝選擇。

北京紫光存儲 北京紫光存儲Raw NAND顆粒是符合業界標準的閃存產品，適用于各類固態存儲解決方案。Raw NAND顆粒需要搭配閃存控制器使用。全系采用業界領先的3D TLC閃存芯片。支持ONFI 4.0，最高讀寫支持667MT/s。采用業界領先的3D TLC閃存芯片，相比2D閃存芯片單位面積下容量大幅提升。 北京君正 公司Flash產品線包括了目前全球主流的NOR FLASH存儲芯片和NAND FLASH存儲芯片，其中NAND FLASH存儲芯片主攻1G-4G大容量規格。 ISSI 系一家原納斯達克上市公司，于 2015年末被北京矽成以7.8億美元私有化收購，之后北京君完成對北京矽成100%股權收購。ISSI Introduces SLC NAND高性能4Gb SLC NAND主要用于嵌入式市場，能夠滿足工業、醫療，主干通訊和車規等級產品的要求，具備在極端環境下穩定工作、節能降耗等特點。 東芯 東芯串行NAND Flash產品為單顆粒芯片設計的串行通信方案，引腳少和封裝尺寸小，且在同一顆粒上集成了存儲陣列和控制器，帶有內部ECC模塊。使其在滿足數據傳輸效率的同時，既節約了空間，提升了穩定性，也讓其在成本上也極具競爭力，且提升了性價比。產品分為3.3V/1.8V兩種電壓，不僅能滿足常規對功耗不敏感的有源器件，也使其在目前日益普及的移動互聯網及物聯網設備中，有足夠的發揮空間。產品擁有多種封裝，可更靈活的滿足很多應用場景，比如常規的光貓，路由器，網絡攝像監控，物聯網及智能音箱等。

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