從大規(guī)模商業(yè)應(yīng)用和技術(shù)發(fā)展來(lái)看，基于光子元器件和光子集成技術(shù)的光通信經(jīng)歷了從國(guó)家級(jí)骨干網(wǎng)、光纖到戶、設(shè)備間和板級(jí)光纖互聯(lián)直至模塊級(jí)光互聯(lián)的長(zhǎng)期演進(jìn)之路。隨著超高速、超寬帶、低功耗、超短時(shí)等通信發(fā)展要求的不斷提升，如5G和6G移動(dòng)通信，天地一體化信息網(wǎng)絡(luò)，光、電融合成為重大技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，核心技術(shù)的發(fā)展開始聚焦于芯片級(jí)的光電集成。

歷史上，1972年美國(guó)加州理工學(xué)院的Yariv教授等人提出光電集成的概念，并率先于1978年研制出世界上第一個(gè)僅由一個(gè)短波長(zhǎng)（850nm）GaAs激光二極管和一個(gè)GaAs耿氏二極管構(gòu)成的光電集成單片。在過(guò)去40余年的時(shí)間里，伴隨著光子集成技術(shù)的發(fā)展與成熟，將多個(gè)光子器件與電子器件集成在一個(gè)模塊甚至單塊芯片的技術(shù)已逐步實(shí)現(xiàn)。隨著未來(lái)網(wǎng)絡(luò)通信更新?lián)Q代速度的加快，應(yīng)用需求與光電器件性能、尺寸、成本等之間的矛盾將日趨明顯，光電集成技術(shù)作為解決該矛盾的最主要手段，將日益成為國(guó)內(nèi)外光電領(lǐng)域的發(fā)展趨勢(shì)和爭(zhēng)相研究的熱點(diǎn)。

一、光電集成技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀與進(jìn)展

經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展，光電子技術(shù)和產(chǎn)業(yè)取得了巨大的成就。光電子對(duì)于國(guó)家社會(huì)與經(jīng)濟(jì)發(fā)展的支撐作用已經(jīng)成為各國(guó)共識(shí)。例如，美國(guó)國(guó)家科學(xué)委員會(huì)（National Academies）在提交給白宮的白皮書《Optics and Photonics： Essential Technologies for Our Nation》中強(qiáng)調(diào)“光子學(xué)是重拾美國(guó)競(jìng)爭(zhēng)力和維護(hù)國(guó)家安全的關(guān)鍵”；歐洲21世紀(jì)光子咨詢專家組提交的《Towards 2020-Photonics Driving Economic Growth in Europe》中明確指出“奔向2020的光子學(xué)將成為歐洲經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的重要支撐”。光電子作為前沿科學(xué)研究中的重要組成部分，一直以來(lái)備受各國(guó)重視。許多國(guó)家紛紛設(shè)立了各種光電子研究計(jì)劃，例如美國(guó)的UHPC、EPIC、UNIC、POEM等；歐盟的HELIOS、PhotonFAB、ERA-NET-PLUS等；以及日本的First Program、TIA等。

光電集成技術(shù)針對(duì)前沿進(jìn)展、應(yīng)用需求和信息處理的不同階段，形成了不同的學(xué)科分類，如針對(duì)寬帶光通信技術(shù)的需求形成了高速光電子信息學(xué)科；針對(duì)在微納尺度上實(shí)現(xiàn)各種新型功能材料和器件發(fā)展形成了微納光子學(xué)和超高分辨成像及顯示學(xué)科；針對(duì)半導(dǎo)體照明和紫外光探測(cè)日益增長(zhǎng)的需求，形成了寬禁帶半導(dǎo)體光電子學(xué)科。另外，目前單元器件技術(shù)基本成熟，但是沒有一種材料體系可以成為唯一的光子集成材料體系，多種材料體系并存將成為未來(lái)很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)光電子集成技術(shù)的狀態(tài)。

下面針對(duì)典型的光電子器件與集成技術(shù)分別進(jìn)行闡述。

（一）光通信及信息處理功能集成芯片

面對(duì)光通信和信息處理所面臨的技術(shù)瓶頸，光通信及信息處理功能集成芯片的設(shè)計(jì)、制備、封裝以及應(yīng)用技術(shù)都取得了較大的進(jìn)展。主要研究現(xiàn)狀與進(jìn)展如下所述：

功能材料： 近年來(lái)，二維原子晶體、拓?fù)浣^緣體等一系列新材料領(lǐng)域的突破，為探索新原理、新結(jié)構(gòu)信息功能器件提供了發(fā)展機(jī)遇。掌握了半導(dǎo)體新材料與新原理器件技術(shù)，就搶占了下一代信息技術(shù)的制高點(diǎn)。抓住新型信息功能材料所帶來(lái)的機(jī)遇，探索新結(jié)構(gòu)、新原理器件，將為信息技術(shù)的新發(fā)展奠定基礎(chǔ)。

集成技術(shù)： 光子集成是突破信息系統(tǒng)面臨的“速率”、“功耗”、“智能化”等瓶頸的必由之路，目前單元器件技術(shù)基本成熟，如何實(shí)現(xiàn)多材料體系、多種功能器件的系統(tǒng)集成是亟待研究解決的難題。此外，面向?qū)拵ЬW(wǎng)絡(luò)、大數(shù)據(jù)和5G通信，需重點(diǎn)解決制備工藝兼容性、模場(chǎng)匹配、光模式交叉耦合等關(guān)鍵科學(xué)和技術(shù)。

系統(tǒng)應(yīng)用： 從西方各國(guó)在光通信領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)看，Pbit/s級(jí)超大容量超長(zhǎng)距離光傳輸、數(shù)據(jù)中心光互連、片上光網(wǎng)絡(luò)、硅基多材料混合的光電融合集成芯片和器件、大容量空間光傳輸?shù)染蔀閲?guó)際熱點(diǎn)問(wèn)題。未來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)將主要體現(xiàn)在“下一代超大容量光傳輸和光接入”、“高密度、高帶寬、低延遲、低功耗的新一代數(shù)據(jù)中心光互連”、“新型可見光通信”和“空天地一體化光傳輸”等多種平臺(tái)建設(shè)。

（二）超高分辨成像及顯示芯片技術(shù)

近十年來(lái)，國(guó)際上開始大力發(fā)展微納光子學(xué)及其技術(shù)，使光電子技術(shù)與納米技術(shù)相結(jié)合，對(duì)現(xiàn)有的光電子技術(shù)進(jìn)行升級(jí)改造。從基礎(chǔ)理論、微納結(jié)構(gòu)的功能型器件到集成的微納光子學(xué)系統(tǒng)應(yīng)用以及高分辨實(shí)時(shí)獲得圖像技術(shù)，微納光子學(xué)與光電子器件集成領(lǐng)域涌現(xiàn)出大量的創(chuàng)新性原理、手段與技術(shù)，并有望在微納尺度上實(shí)現(xiàn)各種新型功能器件，為新一代儀器技術(shù)開創(chuàng)新的平臺(tái)。

基礎(chǔ)理論： 當(dāng)微納結(jié)構(gòu)的特征尺寸達(dá)到納米甚至原子尺度時(shí)，宏觀Maxwell方程組中的物質(zhì)參數(shù)會(huì)發(fā)生變化，產(chǎn)生各種特殊光學(xué)效應(yīng)，例如光場(chǎng)局域化突破衍射極限、電磁場(chǎng)增強(qiáng)、輻射增強(qiáng)、吸收/透射/反射增強(qiáng)、非線性效應(yīng)增強(qiáng)、慢光效應(yīng)、深亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)等效介質(zhì)效應(yīng)等。這些特殊光學(xué)效應(yīng)難以采用傳統(tǒng)的光學(xué)理論解釋，需要具體考慮不同結(jié)構(gòu)中的不同物理過(guò)程。明確這些特殊光學(xué)效應(yīng)的物理機(jī)制將為微納光子器件的設(shè)計(jì)提供理論指導(dǎo)。同時(shí)，微納光子結(jié)構(gòu)中，由于光場(chǎng)強(qiáng)烈的局域效應(yīng)，使得光場(chǎng)與其他物理場(chǎng)的耦合增強(qiáng)。光、機(jī)、電、熱等多物理場(chǎng)之間的復(fù)雜耦合，也需要發(fā)展相應(yīng)的理論和算法加以求解。目前國(guó)際上已能處理一些多物理場(chǎng)的耦合問(wèn)題，但是遠(yuǎn)未達(dá)到徹底解決問(wèn)題的程度。

功能器件： 微納光子學(xué)的功能器件能夠在微納尺度實(shí)現(xiàn)光的產(chǎn)生、傳輸、調(diào)控、探測(cè)和傳感等，具有尺寸小、速度快和克服傳統(tǒng)衍射極限等優(yōu)點(diǎn)。目前基于納米光子波導(dǎo)、光子晶體、表面等離激元以及人工電磁超材料的微納光電子新型功能器件，能夠調(diào)控微納尺度下的光場(chǎng)，產(chǎn)生奇異電磁響應(yīng)和色散特性，并已用來(lái)初步實(shí)現(xiàn)微納尺度的集成光源、全光交換器、光開關(guān)、光調(diào)制器等。在基于砷化鎵、磷化銦、氮化鎵等無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料的光電子器件基礎(chǔ)上，進(jìn)一步發(fā)展新型復(fù)合納米光電材料和多種異質(zhì)光電材料的微納加工技術(shù)和集成技術(shù)，是目前國(guó)際研究熱點(diǎn)。此外，采用有機(jī)半導(dǎo)體材料的功能型器件，如OLED、有機(jī)薄膜太陽(yáng)能電池（OSC）、有機(jī)薄膜晶體管（OTFT）等，也獲得了學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的廣泛關(guān)注。

系統(tǒng)應(yīng)用： 通過(guò)微納結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)可以有效提高光電能源的轉(zhuǎn)換效率，并應(yīng)用在太陽(yáng)能電池的光伏轉(zhuǎn)換效率提升方面；通過(guò)亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)組合而成的人工復(fù)合介質(zhì)，可以產(chǎn)生電磁隱身、光學(xué)欺騙等新穎物理現(xiàn)象，在光信號(hào)的探測(cè)與反探測(cè)方面有重要應(yīng)用；具有納米分辨的光學(xué)顯微成像技術(shù)，在生物醫(yī)學(xué)成像、信息存儲(chǔ)、精密光刻、材料分析等領(lǐng)域有很重要應(yīng)用；利用無(wú)源納米結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)高靈敏度的生物傳感器，目前廣泛應(yīng)用在生物醫(yī)學(xué)檢測(cè)、疾病早期診斷方面；基于微納光子芯片系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)集成型的超高精度頻率（時(shí)間）標(biāo)準(zhǔn)，滿足小型衛(wèi)星、導(dǎo)彈和便攜設(shè)備的需求；基于納米結(jié)構(gòu)的光波導(dǎo)、微納光子超材料，可以實(shí)現(xiàn)多種3D顯示效果，為裸眼3D顯示系統(tǒng)的發(fā)展提供了新思路；基于微納結(jié)構(gòu)的光場(chǎng)時(shí)空調(diào)控，可以開發(fā)包括光子軌道角動(dòng)量（OAM）一維模式空間和光束橫截面二維橫向模式空間復(fù)用（MDM）等新的復(fù)用維度，具有再次大幅度增加光信息傳輸容量的潛力；基于飛秒激光實(shí)現(xiàn)的微納加工系統(tǒng)，可以制作復(fù)雜構(gòu)型三維微納光學(xué)結(jié)構(gòu)，為復(fù)雜光電子芯片集成提供了可能。

（三）寬禁帶半導(dǎo)體光電子器件及集成技術(shù)

寬禁帶半導(dǎo)體紫外探測(cè)器作為前沿技術(shù)，近十年來(lái)一直是國(guó)際化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域競(jìng)相研究和開發(fā)的熱點(diǎn)，其中常規(guī)類型的紫外探測(cè)器已經(jīng)趨于成熟。

紫外探測(cè)： 西方主要國(guó)家一直非常重視對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體紫外雪崩光電探測(cè)器的研究，多年來(lái)投入了大量研究資源開展相應(yīng)研究，并已涌現(xiàn)出許多先進(jìn)成果。我國(guó)對(duì)SiC基紫外探測(cè)器的研究雖然起步較晚，但是在寬禁帶半導(dǎo)體紫外APD領(lǐng)域的研究水平與國(guó)際先進(jìn)水平差距并不大。寬禁帶半導(dǎo)體襯底和外延技術(shù)、寬禁帶半導(dǎo)體光電器件設(shè)計(jì)和微加工技術(shù)、紫外單光子探測(cè)器的封裝、測(cè)試和電路配套技術(shù)等對(duì)于實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)和裝備應(yīng)用，推動(dòng)信息技術(shù)的發(fā)展，保障國(guó)家安全等方面具有重要作用。

半導(dǎo)體照明： 近十年來(lái)全球LED的市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，美國(guó)、日本、歐洲處于世界領(lǐng)先地位，掌握了絕大多數(shù)的關(guān)鍵技術(shù)和核心專利。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體照明芯片技術(shù)的發(fā)展相對(duì)國(guó)外起步較晚，技術(shù)水平離國(guó)際領(lǐng)先者還存在一定距離，但近年來(lái)國(guó)內(nèi)照明級(jí)LED芯片技術(shù)的研究、開發(fā)以及產(chǎn)業(yè)化工作亦取得了長(zhǎng)足進(jìn)步。

量子器件： 目前，國(guó)際上的前沿?zé)狳c(diǎn)是研究基于III-V族及III族氮化物半導(dǎo)體量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的單光子光源，同時(shí)還攜帶自旋或偏振特性。如何實(shí)現(xiàn)尺寸可控、排列有序的III-V族半導(dǎo)體量子點(diǎn)生長(zhǎng)，一直是業(yè)內(nèi)研究的熱點(diǎn)。光定向傳輸領(lǐng)域目前主要研究采用深紫外光刻、電子束光刻（EBL）、納米壓印等技術(shù)加工III-V或III族氮化物半導(dǎo)體模板制備光學(xué)設(shè)計(jì)的周期陣列結(jié)構(gòu)。

二、光電集成技術(shù)工藝技術(shù)途徑

光電集成實(shí)現(xiàn)的基礎(chǔ)和關(guān)鍵仍是光子集成。目前光子集成的材料主要包括：鈮酸鋰（LiNbO3）、絕緣體上硅（SOI）、二氧化硅/氮化硅（SiO2/SiNx）、光學(xué)玻璃、聚合物以及III-V族化合半導(dǎo)體材料等。鈮酸鋰電光調(diào)制性能好，主要用于制作高速光調(diào)制器，但無(wú)法實(shí)現(xiàn)激光的發(fā)射和光電探測(cè)。玻璃波導(dǎo)傳輸和耦合損耗較低，成本低廉，是目前光波導(dǎo)和光分路器的主要材料。聚合物材料的優(yōu)點(diǎn)是熱光系數(shù)較高，可用于制作熱光調(diào)制器件，大幅降低功耗，但與半導(dǎo)體材料的工藝兼容性較差。目前，對(duì)于光子集成相關(guān)技術(shù)研究最多、爭(zhēng)論比較集中的主要是以下兩大類：一類是基于III-V族InP材料的光子集成技術(shù)，另一類是以硅基材料為基礎(chǔ)的硅光子集成。前者制備的光電器件性能優(yōu)異，后者硅CMOS工藝成熟，更適合大規(guī)模生產(chǎn)。

（一）InP基光子集成技術(shù)

InP基各類光電子器件工藝技術(shù)相對(duì)成熟，在InP材料襯底上通過(guò)一定的方式改變量子阱的能帶結(jié)構(gòu)就能實(shí)現(xiàn)具有不同功能的光電子器件的集成。目前改變量子阱能帶結(jié)構(gòu)的材料生長(zhǎng)技術(shù)主要有量子阱混雜技術(shù)、對(duì)接生長(zhǎng)技術(shù)、同一有源區(qū)法、選區(qū)外延技術(shù)等。為獲得高性能光子集成芯片，同時(shí)盡量降低成本，可將這幾種技術(shù)混合使用。其中，華中科技大學(xué)的國(guó)偉華等人采用量子阱混雜技術(shù)實(shí)現(xiàn)無(wú)源、有源光電器件的片上光子集成，制備了InP基的單片集成光學(xué)相控陣列。該單片光子集成電路集成了激光器、分束器、移相器、半導(dǎo)體光放大器、探測(cè)器等元件，實(shí)現(xiàn)了5°×10°的二維波束偏轉(zhuǎn)掃描。

（二）硅光子集成

硅光子集成按材料和制造工藝又可分為單片集成和混合集成。硅光子單片集成是通過(guò)在同一硅晶圓上利用Si CMOS制造技術(shù)，集成多個(gè)相同或不同功能的硅基光子器件，實(shí)現(xiàn)同一芯片上一種或多種光信號(hào)的傳輸處理。但是部分硅基有源光電器件（尤其是硅基激光器）由于材料自身特性，性能尚未達(dá)到最優(yōu)，進(jìn)而產(chǎn)生了混合集成技術(shù)。

混合集成通常將由不同材料體系（如III-V族半導(dǎo)體材料、有機(jī)聚合物、鈮酸鋰等）構(gòu)成的具有不同功能的光電器件芯片通過(guò)粘接互連或鍵合等方法集成在硅襯底或其它基板上。其中，硅光子混合集成實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段有多種，包括直接對(duì)準(zhǔn)耦合、光柵垂直耦合、苯并環(huán)丁烯（BCB）膠鍵合等，幾種集成方式各有優(yōu)缺點(diǎn)。其中比利時(shí)根特大學(xué)的G.Roelkens等人為了在SOI光波導(dǎo)上實(shí)現(xiàn)與III-V族光電器件的異構(gòu)集成，采用了一種特殊的固化膠（DVS-BCB）來(lái)實(shí)現(xiàn)III-V族器件（如激光器等）與硅基光波導(dǎo)的對(duì)準(zhǔn)和固定。通過(guò)測(cè)試表明，上下層芯片間的BCB膠厚度僅為45nm左右，并且能夠保證耦合工藝的精確度與集成工藝的穩(wěn)定性。

（三）光電集成

光子集成技術(shù)的不斷發(fā)展使得大規(guī)模光電集成技術(shù)成為可能。光電集成技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)主要包括以下三個(gè)方面：一是高速與高性能（低噪聲、高寬帶、大動(dòng)態(tài)范圍），可以滿足終端用戶對(duì)于高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨?；二是陣列化大?guī)模集成，可以滿足骨干網(wǎng)對(duì)于大幅提速的需求；三是多功能信號(hào)處理，將波形產(chǎn)生、數(shù)據(jù)判斷、時(shí)鐘恢復(fù)、寬帶管理、信道監(jiān)測(cè)以及微波信號(hào)的產(chǎn)生/發(fā)射/探測(cè)等復(fù)雜信號(hào)處理功能進(jìn)行單片集成。而光電集成的關(guān)鍵技術(shù)無(wú)疑是光子集成器件與高速微電子器件的集成技術(shù)。鑒于光電集成技術(shù)的復(fù)雜性，目前國(guó)內(nèi)外主要采用的光電集成技術(shù)整體思路比較一致，均采用了將光子層與電子層功能相對(duì)獨(dú)立地進(jìn)行集成，光信號(hào)與電信號(hào)獨(dú)立或分層傳輸，層與層之間通過(guò)異構(gòu)或異質(zhì)互連技術(shù)實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的電學(xué)互連。光子層與光子集成的相關(guān)技術(shù)類似，電子層通常采用標(biāo)準(zhǔn)硅CMOS工藝，也只有硅基材料能夠做到超大規(guī)模集成電路的大規(guī)模、低成本制造。依據(jù)用于集成的光電器件的種類與實(shí)現(xiàn)方式的不同，光電集成可以分為單片光電集成和混合光電集成兩類。前者是在全硅襯底上實(shí)現(xiàn)光器件與電器件的制備與集成，后者是在硅基襯底上通過(guò)硅通孔（Through Silicon Via，TSV）或其它三維異構(gòu)/異質(zhì)集成技術(shù)實(shí)現(xiàn)與其它多種光電器件集成。

1、單片光電集成

近年來(lái)硅基光子器件發(fā)展迅速，如光開關(guān)、調(diào)制器、微環(huán)濾波器等，基于硅工藝的單元器件設(shè)計(jì)與制備技術(shù)已經(jīng)相對(duì)成熟。通過(guò)將這些光子器件與傳統(tǒng)CMOS工藝進(jìn)行合理設(shè)計(jì)和有機(jī)整合，便可實(shí)現(xiàn)在傳統(tǒng)CMOS工藝平臺(tái)上同時(shí)進(jìn)行硅光子器件制作，進(jìn)而形成一個(gè)具有一定功能的單片集成光電系統(tǒng)。但目前光電集成技術(shù)仍需解決亞微米量級(jí)的刻蝕技術(shù)、光子器件與電子器件之間的工藝相容性、熱隔離和電隔離、光源的集成化、光傳輸損耗與耦合效率、光邏輯器件等一系列問(wèn)題。美國(guó)Luxtera公司作為目前硅單片光電集成領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，采用0.13μm標(biāo)準(zhǔn)SOI CMOS工藝實(shí)現(xiàn)了光子芯片與傳統(tǒng)微電子芯片的單片設(shè)計(jì)與集成制造，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)數(shù)字邏輯芯片同光芯片的集成。其推出的世界上第一款基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS制造工藝的單片光電集成芯片，標(biāo)志著未來(lái)光電集成芯片向更小尺寸、更低功耗和成本方向發(fā)展成為可能。

2、混合光電集成

混合光電集成是國(guó)內(nèi)外研究最多的光電集成方案。對(duì)于系統(tǒng)集成來(lái)說(shuō)，尤其對(duì)于核心激光器，InP等III-V族材料是更好的技術(shù)選擇，但缺點(diǎn)是成本高，因此必須將其與大量的硅技術(shù)結(jié)合起來(lái)，在保證性能的同時(shí)降低成本。在具體技術(shù)實(shí)現(xiàn)途徑上，以美國(guó)Aurrion公司為例，其通過(guò)將激光器、探測(cè)器、CMOS處理等有源芯片分別以不同功能芯片組的形式通過(guò)光互連和電互連鍵合到通用的硅無(wú)源光學(xué)轉(zhuǎn)接板上。這樣做的好處是各芯片組可獨(dú)立制作、工藝相對(duì)簡(jiǎn)單、實(shí)現(xiàn)容易，但集成度相對(duì)較低。美國(guó)MIT和荷蘭COBRA研究所等從事光電集成研究的高校和研究機(jī)構(gòu)紛紛提出基于TSV互連等三維集成工藝的光電集成技術(shù)方案，即基于SOI的光子集成層與CMOS電路層通過(guò)TSV技術(shù)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)集成。兩者在設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)以及前后工序制作工藝上能否相互兼容，從而保證電互連、光互連以及光耦合的低插入損耗，這是實(shí)現(xiàn)混合光電集成的關(guān)鍵，也是光電集成未來(lái)的主要發(fā)展方向。

三、光電集成技術(shù)發(fā)展展望

后摩爾時(shí)代，多種優(yōu)勢(shì)技術(shù)的融合是大勢(shì)，也是后摩爾時(shí)代的主要解決方案。光電集成技術(shù)集中并發(fā)展了光學(xué)和微電子學(xué)的固有技術(shù)優(yōu)勢(shì)，是光子集成技術(shù)發(fā)展到一定程度之后的必然趨勢(shì)，已經(jīng)成為后摩爾時(shí)代大數(shù)據(jù)傳輸?shù)暮诵募夹g(shù)，并將成為繼微電子集成電路技術(shù)之后再次推動(dòng)人類科學(xué)技術(shù)的革命。光電集成技術(shù)具有寬帶、高速、高可靠、抗電磁干擾、體積小、重量輕等優(yōu)點(diǎn)，將被廣泛用于光纖通信、信息處理、傳感技術(shù)、自動(dòng)控制、光電對(duì)抗、光子計(jì)算等高技術(shù)領(lǐng)域，并有望在未來(lái)更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)揮主導(dǎo)性作用。
責(zé)任編輯:tzh