對于存儲器，大家都有所了解，比如我們每天使用的手機內就具備存儲器。為增進大家對存儲器的認識，本文將對只讀存儲器的種類予以介紹，并對相變存儲器、存儲器生命周期、技術進行對比。如果你對存儲器相關內容具有興趣，不妨繼續往下閱讀哦。

一、只讀存儲器種類

（一）ROM

只讀內存（Read-Only Memory）是一種只能讀取資料的內存。在制造過程中，將資料以一特制光罩（mask）燒錄于線路中，其資料內容在寫入后就不能更改，所以有時又稱為“光罩式只讀內存”（mask ROM）。此內存的制造成本較低，常用于電腦中的開機啟動。

（二）可編程只讀存儲器

可編程只讀存儲器（英文：Programmable ROM，簡稱：PROM）一般可編程一次。PROM存儲器出廠時各個存儲單元皆為1，或皆為0。用戶使用時，再使用編程的方法使PROM存儲所需要的數據。

PROM需要用電和光照的方法來編寫與存放的程序和信息。但僅僅只能編寫一次，第一次寫入的信息就被永久性地保存起來。例如，雙極性PROM有兩種結構：一種是熔絲燒斷型，一種是PN結擊穿型。它們只能進行一次性改寫，一旦編程完畢，其內容便是永久性的。由于可靠性差，又是一次性編程，目前較少使用。

（三）可編程可擦除只讀存儲器

可編程可擦除只讀存儲器（英文：Erasable Programmable Read Only Memory，簡稱：EPROM）可多次編程。這是一種便于用戶根據需要來寫入，并能把已寫入的內容擦去后再改寫，即是一種多次改寫的ROM。由于能夠改寫，因此能對寫入的信息進行校正，在修改錯誤后再重新寫入。

擦除遠存儲內容的方法可以采用以下方法：電的方法（稱電可改寫ROM）或用紫外線照射的方法（稱光可改寫ROM）。光可改寫ROM可利用高電壓將資料編程寫入，抹除時將線路曝光于紫外線下，則資料可被清空，并且可重復使用。通常在封裝外殼上會預留一個石英透明窗以方便曝光。

（四）一次編程只讀內存

一次編程只讀內存（One Time Programmable Read Only Memory，OPTROM）之寫入原理同EPROM，但是為了節省成本，編程寫入之后就不再抹除，因此不設置透明窗。

（五）電子可擦除可編程只讀存儲器

電子可擦除可編程只讀存儲器（英文：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，簡稱：EPROM）之運作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。

（六）閃速存儲器

閃速存儲器（英文：Flash memory）是英特爾公司90年代中期發明的一種高密度、非易失性的讀/寫半導體存儲器它既有EEPROM的特點，又有RAM的特點，因而是一種全新的存儲結構。

二、相變存儲器、存儲器技術生命周期以與技術比較

如果植基于NAND快閃存儲器技術的固態硬碟目前在很多應用領域中尚處于早期的推廣階段，那么 相變存儲器則處于此存儲器技術推廣應用曲線的更早階段。當*價一項技術時，工程師十分看重成本和價格。但當工程師思考一項新技術如何能提升正在開發的系統的效能時，會首先關注的是可靠度和效能，然后才會考慮成本的問題。故比較相變存儲器與DRAM和NAND快閃存儲器時，應該特別注意讀寫延時決定存儲器效能，耐讀寫能力是衡量存儲器可靠度的指標。

寫入延時和耐寫能力-相變存儲器次于DRAM，但是明顯快于NAND;讀取延時和耐讀能力–相變存儲器接近DRAM的速度，明顯優于 NAND;成本–就 SLC 相變存儲器、DRAM和SLC NAND快閃存儲器裸片（300mm晶圓）的理論成本比較報告，NAND最便宜。相變存儲器成本大約是NAND的1.2倍，DRAM成本大約是NAND的1.4倍。由此可見相變存儲器明顯優于DRAM，然而不能像NAND一樣便宜，不過在這些技術中，很多技術的制程屏蔽總數量正趨于相同。

與SLC NAND相比，DRAM成本大約高40%，而相變存儲器成本大約高20%。決定是否應用一項新的儲存技術時，一般會應用以下經驗法則：替代技術的成本應為現有技術的1/8到1/10。因此單從成本角度考量，相變存儲器作為NAND快閃存儲器替代技術的理由仍并不充分。

但可靠度為相變存儲器 勝出關鍵，許多NAND快閃存儲器技術的可攜式產品，如MP3播放器和隨身碟。在正常使用的狀況，這些設備需要寫存儲器10到100次，但尚未達到千次以上。透過最先進的微影技術，這些裝置應用中的NAND快閃存儲器技術可把成本降至極低的水平。而無線通訊、運算裝置和固態硬碟等高端應用也使用NAND快閃存儲器，但是這些應用具備各別不同的使用條件和要求。某項技術可能是 MP3 播放器的理想選擇，但在企業級服務器上的應用卻可能受限。

對于任何一種非揮發性浮動閘極存儲器（non-volitile floating gate memory device），讀寫存儲器次數越多，失效次數也隨之增加，資料儲存期限也會縮短。相變存儲器有趣的特性之一即是保存期限與耐讀寫次數無關，意即不管讀取相變存儲器存儲器一百萬次還是1次，都不會改變資料儲存的期限。這項特性深刻地影響此技術的使用與管理。資料儲存期限在許多嚴苛的應用中都極為重要，而恒憶已證實相變存儲器的資料儲存期限可長達10年。

另一方面，由于失效一般發生在寫入的操作過程中，因此當相變存儲器寫入資料時，如果寫入驗證機制顯示該單元無數據，該資料則會立即被重寫到另一個儲存單元。這也是運用相變存儲器簡化系統級設計的優化功能。故相變存儲器是適于無線應用的低功耗存儲器，目前新一代智能手機用戶，對于手機有三個基本要求：快速開機（instent on）、使用簡便且電池使用時間長，以及優異的多媒體、游戲和上網功能。

相變存儲器具備優異的讀取延時特性，意即其代碼執行能力符合新一代無線用戶的需求。相變存儲器能儲存大量的資料和代碼，并具有承受百萬次的讀寫能力。憑借相變存儲器非揮發性存儲器技術的特性，除能簡化無線設備的電源管理設計，同時還有助于徹底解決效能與電池使用時間難以平衡的困擾。以整合了LPDDR2存儲器控制器的微處理器平臺為例，系統設計人員利用相變存儲器的低功耗特性而能僅使用一個非揮發性存儲器，進而簡化了手機架構。

責任編輯 LK