三星部署擴(kuò)展EUV光刻工藝，爭(zhēng)取提高性能
繼SK海力士日前宣布在M14和建設(shè)中的M16工廠均引入EUV光刻機(jī)后，三星也坐不住了。
按照三星的說(shuō)法，自2014年以來(lái)，EUV光刻參與的晶圓超過(guò)了400萬(wàn)片，公司積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，也比其它廠商掌握更多訣竅，領(lǐng)先對(duì)手1到2年。
據(jù)悉，三星的1z nm DRAM第三代內(nèi)存已經(jīng)用上了一層EUV，第四代1a nm將增加到4層。EUV光刻機(jī)的參與可以減少多重曝光工藝，提供工藝精度，從而可以減少生產(chǎn)時(shí)間、降低成本，并提高性能。
盡管SK海力士、美光等也在嘗試EUV，但層數(shù)過(guò)少對(duì)效率提升并不明顯，也就是單位成本高，畢竟EUV光刻機(jī)買一臺(tái)要10億元。三星這方面倒是有優(yōu)勢(shì)，因?yàn)樽约哼€有晶圓廠，“東方不亮西方亮”光刻機(jī)的利用率很高。
責(zé)編AJX
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15865瀏覽量
181040 -
晶圓
+關(guān)注
關(guān)注
52文章
4922瀏覽量
128042 -
EUV光刻機(jī)
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
128瀏覽量
15127
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
日本首臺(tái)EUV光刻機(jī)就位
據(jù)日經(jīng)亞洲 12 月 19 日?qǐng)?bào)道，Rapidus 成為日本首家獲得極紫外 (EUV) 光刻設(shè)備的半導(dǎo)體公司，已經(jīng)開(kāi)始在北海道芯片制造廠內(nèi)安裝極紫外光刻系統(tǒng)。 它將分四個(gè)階段進(jìn)行安裝，設(shè)備安裝預(yù)計(jì)在
三星減少NAND生產(chǎn)光刻膠使用量
近日，據(jù)相關(guān)報(bào)道，三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破，成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據(jù)悉，三星已經(jīng)制定了未來(lái)NAND閃存的生產(chǎn)路線圖，并計(jì)劃在這一生產(chǎn)過(guò)
今日看點(diǎn)丨 2011億元!比亞迪單季營(yíng)收首次超過(guò)特斯拉；三星將于2025年初引進(jìn)High NA EUV光刻機(jī)
1. 三星將于2025 年初引進(jìn)High NA EUV 光刻機(jī)，加快開(kāi)發(fā)1nm 芯片 ? 據(jù)報(bào)道，三星電子正準(zhǔn)備在2025年初引入其首款High NA
發(fā)表于 10-31 10:56
?817次閱讀
簡(jiǎn)述光刻工藝的三個(gè)主要步驟
“ 光刻作為半導(dǎo)體中的關(guān)鍵工藝，其中包括3大步驟的工藝：涂膠、曝光、顯影。三個(gè)步驟有一個(gè)異常，整個(gè)光刻工藝都需要返工處理，因此現(xiàn)場(chǎng)異常的處理
光刻工藝中分辨率增強(qiáng)技術(shù)詳解
分辨率增強(qiáng)及技術(shù)(Resolution Enhancement Technique, RET)實(shí)際上就是根據(jù)已有的掩膜版設(shè)計(jì)圖形，通過(guò)模擬計(jì)算確定最佳光照條件，以實(shí)現(xiàn)最大共同工藝窗口(Common Process Window)，這部分工作一般是在新光刻工藝研發(fā)的早期進(jìn)行
光刻工藝的基本知識(shí)
在萬(wàn)物互聯(lián)，AI革命興起的今天，半導(dǎo)體芯片已成為推動(dòng)現(xiàn)代社會(huì)進(jìn)步的心臟。而光刻(Lithography)技術(shù)，作為先進(jìn)制造中最為精細(xì)和關(guān)鍵的工藝，不管是半導(dǎo)體芯片、MEMS器件，還是微納光學(xué)元件都離不開(kāi)光刻工藝的參與，其重要性不
貼片電容首選三星，性能穩(wěn)定又可靠
的電氣性能。這主要得益于三星先進(jìn)的生產(chǎn)工藝和嚴(yán)格的質(zhì)量控制體系，確保了產(chǎn)品的高品質(zhì)。 2、可靠性高：三星貼片電容的可靠性非常高，能夠滿足長(zhǎng)時(shí)間、高負(fù)荷的工作需求。其優(yōu)秀的耐高溫、耐濕等
三星電機(jī)向AMD供應(yīng)高性能FCBGA基板
在全球數(shù)字化轉(zhuǎn)型的浪潮中，超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心作為支撐云計(jì)算、大數(shù)據(jù)及人工智能等關(guān)鍵技術(shù)的基石，正以前所未有的速度發(fā)展。為了滿足這一領(lǐng)域?qū)Ω?b class='flag-5'>高性能、更低延遲及更高可靠性的需求，三星電子旗下的三星電機(jī)近日
三星公布最新工藝路線圖
： 1. **新節(jié)點(diǎn)和技術(shù)進(jìn)展**：三星宣布了兩個(gè)新的尖端節(jié)點(diǎn)——SF2Z 和 SF4U。SF2Z 是一種2nm工藝，采用背面電源輸送網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）技術(shù)，這種技術(shù)將電源軌置于晶圓背面，以提高功率、
Rapidus對(duì)首代工藝中0.33NA EUV解決方案表示滿意，未采用高NA EUV光刻機(jī)
在全球四大先進(jìn)制程代工巨頭（包括臺(tái)積電、三星電子、英特爾以及Rapidus）中，只有英特爾明確表示將使用High NA EUV光刻機(jī)進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。
臺(tái)積電A16制程采用EUV光刻機(jī)，2026年下半年量產(chǎn)
據(jù)臺(tái)灣業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電并未為A16制程配備高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻機(jī)，而選擇利用現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)進(jìn)行生產(chǎn)。相較之下，英特爾和三星
三星擬應(yīng)用金屬氧化物抗蝕劑（MOR）于DRAM EUV光刻工藝
據(jù)悉，MOR作為被廣泛看好的下一代光刻膠（PR）解決方案，有望替代現(xiàn)今先進(jìn)芯片光刻工藝中的化學(xué)放大膠（CAR）。然而，CAR在提升PR分辨率、增強(qiáng)抗蝕能力及降低線邊緣粗糙度上的表現(xiàn)已無(wú)法滿足當(dāng)前晶圓制造的產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
三星清空ASML股份，11年盈利超16倍
根據(jù)資料顯示，在2012年，為了支持ASML EUV光刻機(jī)的研發(fā)與商用，并獲得EUV光刻機(jī)的優(yōu)先供應(yīng)，在2012年，英特爾、臺(tái)積電、三星均斥
三星第二代3nm工藝開(kāi)始試產(chǎn)!
據(jù)報(bào)道，三星預(yù)計(jì)在未來(lái)6個(gè)月時(shí)間內(nèi)，讓SF3的工藝良率提高到60%以上。三星SF3工藝會(huì)率先應(yīng)用到可穿戴設(shè)備處理器上，
三星Exynos 2400芯片采用FOWLP技術(shù)，提高性能與散熱能力
據(jù)最新消息，三星的Exynos 2400芯片將采用扇出式晶圓級(jí)封裝（FOWLP）技術(shù)。這種封裝技術(shù)使得Exynos 2400在性能和散熱能力方面有了顯著提升。
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論