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LLC為何要工作在感性區(qū)域?

電源研發(fā)精英圈 ? 來源:電源研發(fā)精英圈 ? 作者:電源研發(fā)精英圈 ? 2020-12-07 14:51 ? 次閱讀

1、 LLC 為何要工作在感性區(qū)域?

任何一個(gè)網(wǎng)絡(luò)都是呈現(xiàn)感性、容性和純阻性三種狀態(tài),對于 LLC 網(wǎng)絡(luò)而言同樣存在以上三種狀態(tài),根據(jù)輸入及負(fù)載變化由容性‐阻性‐感性而變化;如下圖所示為 LLC 等效模型。

工作在純阻性區(qū)域是我們理想的工作狀態(tài),因?yàn)樽栊跃W(wǎng)絡(luò)的品質(zhì)因素最高,網(wǎng)絡(luò)特性最好;

工作在容性區(qū)域的話電流超前于電壓,對于前級開關(guān)管而言容易實(shí)現(xiàn) ZCS 關(guān)斷,這個(gè)區(qū)域比較適合 IGBT;工作在感性區(qū)域的話電壓超前于電流,對于前級開關(guān)管而言容易實(shí)現(xiàn) ZVS開通,這個(gè)區(qū)域比較適合 MOSFET

對于中小功率電源而言普遍使用 MOSFET,因此常規(guī) LLC 拓?fù)?a target="_blank">開關(guān)電源選擇工作于感性區(qū)域。

2、 ZVS1 和 ZVS2 各有什么優(yōu)缺點(diǎn),如何選擇?

LLC 網(wǎng)絡(luò)存在兩個(gè)電感一個(gè)電容, 也就是說存在兩個(gè)諧振點(diǎn), 一個(gè)是 Lr 和 Cr 的諧振點(diǎn),另一個(gè)諧振點(diǎn)由 Lm, Cr 以及負(fù)載條件決定。負(fù)載加重,諧振頻率將會(huì)升高。如下圖,

LLC 增益曲線圖

在整個(gè)感性區(qū)域都能實(shí)現(xiàn) ZVS,在 ZVS1 區(qū)不能實(shí)現(xiàn)次級整流管的 ZCS 關(guān)斷,存在反向恢復(fù)問題;在 ZVS2 區(qū)可以實(shí)現(xiàn)次級整流管的 ZCS 關(guān)斷,不存在反向恢復(fù)問題。因此對于選擇網(wǎng)絡(luò)工作于 ZVS1 還是 ZVS2 區(qū)域有不同看法。從理論上來講工作于 ZVS2區(qū)域效率高于 ZVS1 區(qū);總之越接近于諧振點(diǎn)(增益為 1)的工作點(diǎn)效率越高,同是兼顧短路性能等問題,建議工作點(diǎn)選擇略大于諧振點(diǎn)(基于 LLC 短路問題靠增加頻率來提高網(wǎng)絡(luò)的等效阻抗來保護(hù)這一特性)。

3、 LLC 初級 MOSFET 是 ZVS 關(guān)斷還是 ZCS 關(guān)斷?

LLC 工作在感性區(qū)域,因此開通是 ZVS,但關(guān)斷即不是 ZVS 也不是 ZCS,是硬開關(guān)的,關(guān)斷損耗不可避免,但對于 MOSFET 而言,開通損耗相對關(guān)斷損耗大很多,對于 LLC 的 ZVS 而言是指開通時(shí)刻的 ZVS,因此可以大大降低開關(guān)損耗。

4、為何計(jì)算 LLC 匝比的時(shí)候要用母線電壓的一半?

我們計(jì)算反激或者正激電路時(shí)都是使用母線電壓來設(shè)計(jì)匝比, 但是 LLC 為何只使用母線電壓的一半來計(jì)算匝比?在 LLC 上管開通的半個(gè)周期內(nèi)母線給 LLC 網(wǎng)絡(luò)輸入能量,這個(gè)能量一部分直接傳遞給輸出,另一部分儲(chǔ)存在網(wǎng)絡(luò)內(nèi),在下管開通的半個(gè)周期內(nèi),依靠諧振電容和諧振電感輸出能量。所以只有上半個(gè)周期母線給網(wǎng)絡(luò)輸入了能量, 即時(shí)間的利用率是一半,等效于輸入電壓的利用率為 1/2。

5、 LLC 分體諧振電容有什么優(yōu)缺點(diǎn)?

LLC 半橋諧振電路中,根據(jù)這個(gè)諧振電容的不同聯(lián)結(jié)方式,典型 LLC 諧振電路有兩種連接方式,不同之處在于 LLC 諧振腔的連接,左圖采用單諧振電容(Cr),其輸入電流紋波和電流有效值較高,但布線簡單,成本相對較低;右圖采用分體諧振電容(C1, C2),其輸入電流紋波和電流有效值較低, C1 和 C2 上分別只流過一半的有效值電流,且電容量僅為左圖單諧振電容的一半。比較而言,分體諧振優(yōu)勢不大。

6、 LLC 獨(dú)立諧振電感和集成諧振電感各有什么優(yōu)缺點(diǎn)?

先說說集成諧振電感的方式,這種方式是利用變壓器初級漏感來做諧振電感的,優(yōu)點(diǎn)是體積小,成本低,缺點(diǎn)是漏感很難控制,和你的變壓器繞法,初級匝數(shù)存在著緊密的聯(lián)系,因此諧振參數(shù)不好調(diào)節(jié),性能難做到最優(yōu);獨(dú)立諧振電感的方式是通過外置一個(gè)諧振電感, 同時(shí)控制主變壓器的漏感在很小的范圍內(nèi),這樣做的優(yōu)點(diǎn)是容易調(diào)節(jié)諧振電感與勵(lì)磁電感低比例,優(yōu)化起來更靈活,容易調(diào)節(jié)到一個(gè)理想狀態(tài),缺點(diǎn)是增加了一個(gè)諧振電感增加體積,布線難度和成本;因此一般功率較小的電源都更愿意使用集成諧振電感,成本相對較低,性能要求不是很苛刻;功率大的更愿意使用外置諧振電感,性能容易優(yōu)化。

7、 LLC 的開關(guān)管能否直接并聯(lián)?

彌勒電容(Cgd)對于 MOSFET 而言是寄生于柵極和漏極之間的電容,對于硬開關(guān)電路而言,驅(qū)動(dòng)電流對 Cgs 和 Cgd 充電,并且開始開通,而在開通過程中, Vds 電壓下降,所以Cgd 開始放電,故此時(shí)需較大的驅(qū)動(dòng)電流要對 Cgd 充電,這會(huì)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電壓波形出現(xiàn)一個(gè)短暫的平臺(tái),所謂的米勒平臺(tái)。關(guān)斷的時(shí)候, DS 電壓急劇上升, DG 電容會(huì)流過電流對 GS 電容充電,引起二次導(dǎo)通。要消除開通時(shí)刻的彌勒效應(yīng),在開關(guān)管即將開通的時(shí)刻 DS 電壓為零,即 ZVS。

對于 LLC 而言,開關(guān)管是 ZVS 開通的,因此對于功率稍大的可以直接并聯(lián)開關(guān)管,不存在彌勒效應(yīng)或者說將彌勒效應(yīng)降到最低。

8、 LLC 的諧振電容和輸出功率有什么關(guān)系?

這里使用一個(gè)公式說明吧,

很顯然,功率越大需要的諧振電容容量越大。

9、LLC 是否適合做恒流輸出?

PWM 的控制器輸出電壓可調(diào)節(jié)范圍可以做到很寬,只要供電正常,IC 就能做到輸出電壓范圍很寬的電源,這對于做恒流款電源而言具有很大優(yōu)勢;LLC 是 PFM 控制方式的,只能通過更改頻率實(shí)現(xiàn)輸出電壓的變化,由增益曲線圖可以知道增益變化范圍相對很小,要實(shí)現(xiàn)寬電壓范圍的輸出特性不好實(shí)現(xiàn),輸出電壓越低,工作頻率越高,從而開關(guān)損耗,磁芯損耗都會(huì)加劇,因此到了一定程度下只能通過限制 IC 的最高工作頻率而通過跳周期方式來降低增益,這樣就增加了環(huán)路調(diào)節(jié)的難度,跳周期紋波不好控制,性能也不是最優(yōu),因此 LLC 不適合太寬范圍的恒流輸出。

10、滿足 ZVS 的兩個(gè)必要條件是什么?

ZVS前提就是電壓超前于電流,所以要滿足LLC整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)都處于感性區(qū)域,這個(gè)最基本的一個(gè)條件,還有一個(gè)條件往往被忽視。

要實(shí)現(xiàn)開關(guān)管的ZVS, 勵(lì)磁電感峰值電流im 必須在死區(qū)時(shí)間內(nèi)讓即將開通開關(guān)管的結(jié)電容放電, 直至電量放完, 電壓降到零。而已關(guān)斷的開關(guān)管則同時(shí)將其結(jié)電容充電到輸入電壓。因此, 兩個(gè)功率開關(guān)管要實(shí)現(xiàn)ZVS, 應(yīng)滿足如下的勵(lì)磁電感峰值電流Ipk 與死區(qū)時(shí)間的關(guān)系:

其中, Vin 為輸入總線電壓, Cj 為MOSFET 的結(jié)電容(此處忽略電路布局的雜散電容), tdead為死區(qū)時(shí)間

當(dāng)電路工作于諧振頻率,諧振網(wǎng)絡(luò)電流為如圖所示的正弦波。其中im 為勵(lì)磁電流。在每半個(gè)開關(guān)周期結(jié)束時(shí),勵(lì)磁電流達(dá)到最大值,與諧振網(wǎng)絡(luò)電流ir 相等。

勵(lì)磁電感峰值電流可以得到:

其中Vo 為輸出電壓, T 為開關(guān)周期, Lm 為勵(lì)磁電感。到Lm 的值應(yīng)滿足:

由不等式得到的最大的勵(lì)磁電感Lm 可以保證開關(guān)管的ZVS,然而,小的Lm將增大MOSFET的開關(guān)損耗。由于這個(gè)被動(dòng)Lm負(fù)載,可以保證在任何負(fù)載情況下都能工作在零電壓開關(guān)狀態(tài)下。

責(zé)任編輯:lq

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