三星電子正在研發(fā)第七代V-NAND,預(yù)計明年批量生產(chǎn)
12月7日，韓國半導(dǎo)體公司SK海力士表示，近期已成功研發(fā)出基于三層存儲單元（TLC）的176層512Gb（千兆位）NAND閃存。
據(jù)韓聯(lián)社12月7日報道，SK海力士介紹，第三代4D NAND閃存達(dá)到業(yè)界最高水平，比上一代128層產(chǎn)品提高了35%以上生產(chǎn)率，增強了產(chǎn)品成本競爭力。另外，SK海力士新產(chǎn)品的讀取速度比上一代加快20%，數(shù)據(jù)傳輸速度達(dá)到每秒1.6Gb，提高了33%。
上月，SK海力士于向控制器企業(yè)提供了NAND樣品，計劃明年6月左右批量生產(chǎn)，并依次推出消費者級SSD、企業(yè)級SSD等產(chǎn)品，擴大各應(yīng)用領(lǐng)域的市場。另一方面，韓國的三星電子也正在研發(fā)第七代V-NAND，預(yù)計明年批量生產(chǎn)。
責(zé)任編輯:tzh
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
334文章
27432瀏覽量
219259 -
控制器
+關(guān)注
關(guān)注
112文章
16382瀏覽量
178303 -
NAND
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1683瀏覽量
136193
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
三星半導(dǎo)體亮相第七屆進博會
今年是三星連續(xù)第七年參加中國國際進口博覽會（進博會）。在本次展會上，三星半導(dǎo)體部門帶來了面向智能汽車、消費電子、人工智能等多個領(lǐng)域的創(chuàng)新半導(dǎo)體技術(shù)，全面展示了其技術(shù)實力和創(chuàng)新能力。
三星首推第八代V-NAND車載SSD，引領(lǐng)汽車存儲新紀(jì)元
三星電子在車載存儲技術(shù)領(lǐng)域邁出了重要一步，正式宣布成功研發(fā)出業(yè)界首款基于其先進第八代V-NAND技術(shù)的PCIe 4.0車載SSD——AM9C
三星QLC第九代V-NAND量產(chǎn)啟動,引領(lǐng)AI時代數(shù)據(jù)存儲新紀(jì)元
三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代產(chǎn)品，集成了多項前沿技術(shù)突破，標(biāo)志著數(shù)據(jù)存儲性能與容量
三星電子量產(chǎn)1TB QLC第九代V-NAND
三星電子今日宣布了一項重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅
三星電子加速推進HBM4研發(fā)，預(yù)計明年底量產(chǎn)
三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新之路上再邁堅實一步，據(jù)業(yè)界消息透露，該公司計劃于今年年底正式啟動第6代高帶寬存儲器（HBM4）的流片工作。這一舉措標(biāo)志著三星
利用SLC技術(shù)改善熱導(dǎo)率，增強IGBT模塊功率密度
第七代工業(yè)IGBT模塊已成功開發(fā)用于650V和1200V級，以滿足高效率、高功率密度和高可靠性等重要電力電子系統(tǒng)要求。與低損耗第七代芯片組結(jié)
三星第9代V-NAND采用鉬金屬布線技術(shù)
據(jù)韓國媒體最新報道，三星電子在其第9代V-NAND閃存技術(shù)中實現(xiàn)了重大突破，首次在“金屬布線”工藝中引入了鉬（Mo）技術(shù)。這一創(chuàng)新標(biāo)志著三星
任天堂Switch 2將大幅依靠三星供應(yīng)鏈
據(jù)悉，Switch 2游戲機可能搭載由三星代工廠生產(chǎn)的SoC（英偉達(dá)Tegra T239芯片，采用三星7LPH工藝節(jié)點）。此外，任天堂還計劃采用三星第五
三星第九代V-NAND 1TB TLC量產(chǎn)，密度提升逾50%
第九代V-NAND采用雙堆疊設(shè)計，將旗艦版V8閃存原先的236層進一步增加至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計算設(shè)備領(lǐng)域。
三星宣布量產(chǎn)第九代V-NAND芯片，位密度提升50%
在技術(shù)層面，第九代V-NAND無疑展現(xiàn)出了三星的卓越技術(shù)實力。它采用了雙重堆疊技術(shù)，在原有的旗艦V8閃存236層的基礎(chǔ)上，再次實現(xiàn)了技術(shù)上的重大突破，堆疊層數(shù)飆升至驚人的290層。
三星宣布量產(chǎn)第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品，采用290層雙重堆疊技術(shù)
作為九代V-NAND的核心技術(shù)，雙重堆疊技術(shù)使旗艦V8閃存的層數(shù)從236層增至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計算領(lǐng)域。據(jù)了解，三星計劃于
三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)
近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場的卓越地位。
三星量產(chǎn)第九代V-NAND閃存芯片，突破最高堆疊層數(shù)紀(jì)錄
三星公司預(yù)計將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND
三星即將量產(chǎn)290層V-NAND閃存
據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
三星九代V-NAND閃存或月底量產(chǎn)，堆疊層數(shù)將達(dá)290層
據(jù)韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達(dá)290層，但IT之家此前曾報道過，三星在學(xué)術(shù)會議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其IO接口速度可達(dá)3.2GB/s。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論