11月20日,據韓每消息,三星確定在美國德州奧斯汀新建采用極紫外光(EUV)技術的半導體工廠,項目總投資規模約100億美元!
據報導,據三星以及相關行業人士近日透露,三星電子將在德州奧斯汀建立晶圓廠,并使用EUV光刻機臺,生產非記憶體半導體與系統LSI產品,投資規模預估100億美元,月產能約7萬片。
為了搶攻在2030年成為非記憶體半導體龍頭地位,南韓砸大錢向ASML買進EUV機臺,三星集團副會長李在镕日前也親赴ASML在荷蘭總部,希望能向該公司趕緊拉貨,為的就是希望能在先進制程上打敗臺積電。
韓媒曾報導,三星還進攻客制化系統單芯片(SoC) 團隊,讓旗下系統LSI部門成立「 Custom SoC 」客制化單芯片團隊,與全球各大ICT廠商建立緊密合作關系。
據悉,三星啟動了一個“半導體2030計劃”,希望在2030年之前投資133萬億韓元,約合1160億美元成為全球最大的半導體公司,其中先進邏輯工藝是重點之一,目標就是要追趕上臺積電。在最近的幾代工藝上,三星的量產進度都落后于臺積電,包括10nm、7nm及5nm,不過5nm算是縮短了差距,今年也量產了,此前也獲得了高通、NVIDIA、IBM等客戶的8nm、7nm訂單。
但三星追趕臺積電的關鍵是在下一代的3nm上,因為這一代工藝上三星押注了GAA環繞柵極晶體管,是全球第一家導入GAA工藝以取代FinFET工藝的,而臺積電比較保守,3nm還是用FinFET,2nm上才會使用GAA工藝。
責任編輯:lq
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原文標題:重磅!三星在美國建EUV工廠!
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