今天舉辦的2020內(nèi)存存儲日活動上，Intel一口氣發(fā)布了六款全新的內(nèi)存、存儲新產(chǎn)品，首先來看面向數(shù)據(jù)中心市場的SSD D7-P5510、SSD D5-P5316，同時全球首發(fā)144層堆疊的QLC NAND閃存，都支持PCIe 4.0。

Intel雖然已經(jīng)將NAND閃存業(yè)務(wù)和工廠賣給SK海力士，但是交易并未完成，Intel既有路線圖也會繼續(xù)執(zhí)行，同時交易也不涉及傲騰技術(shù)和產(chǎn)品，Intel會持續(xù)推進。

2016年，Intel推出了第一代32層堆疊TLC閃存，次年翻番到64層并進化為TLC顆粒，存儲密度提高了133％，2019年來到96層，存儲密度提高約50％，而如今的144層再次將存儲密度提高了約50％。

僅僅5年的時間，Intel就將閃存存儲密度增加了超過4倍，單位成本自然也是成倍降低。

雖然很多人對QLC不屑一顧（就像當初對TLC），不過Intel強調(diào)，如今的QLC閃存已經(jīng)在平均故障間隔時間、平均溫度、質(zhì)保壽命、不可修復錯誤率（UBER）、數(shù)據(jù)持久性等質(zhì)量與可靠性指標上看齊TLC，并且兼容同樣的集成電路設(shè)計，大大簡化升級換代。

而最新的144層堆疊對比兩年前的64層堆疊，可靠性、最大寫入量已經(jīng)提升4倍，讀取負載QoS提升最多50％，底層寫入性能提升最多40％。

回到產(chǎn)品層面，SSD D7-P5510主要針對云存儲應用，采用15m 2.5英寸U.2形態(tài)，容量3.84TB、7.68TB，持續(xù)讀寫性能最高7000MB/s、4194MB/s，比上代（D7-P4510）提升118％、35％，4K隨機讀寫性能最高930K IOPS、190K IOPS，比上代提升45％、41％，混合隨機讀寫性能400K IOPS，比上代提升50％，讀寫延遲86us、16us，比上代提升14％。

另外，它支持每天一次全盤寫入（上代0.85次），而且特別值得一提的是，TRIM恢復時間從超過30秒縮短到不足0.1秒，也就是暫停讀寫的幾乎一瞬間，就能恢復滿血狀態(tài)。

技術(shù)特性方面支持改進的健康監(jiān)控與管理、動態(tài)多重命名空間、針對云負載優(yōu)化的新算法、端到端數(shù)據(jù)保護、意外掉電保護、企業(yè)級安全等。

以下是和競品PCIe 4.0 SSD的對比，看看就好。

SSD D5-P5316則有U.2 15mm、E1.L兩種形態(tài)，后者最大容量可達驚人的30.72TB，主要面向熱存儲而優(yōu)化。

它的持續(xù)讀取性能最高為6.8GB/s，比上代（D5-P4326）提升2倍多，4K隨機讀取最高800K IOPS，比上代提升38％，但未公布寫入性能。

壽命方面，支持3000次編程/擦寫循環(huán)，30.72TB型號的終身最大寫入量為18940TB，是上代的4倍多。

利用該SSD，數(shù)據(jù)中心廠商可以在1U服務(wù)器內(nèi)實現(xiàn)405TB（U.2）或者1PB（E1.L）的總存儲容量，從而大大降低TCO成本。

Intel SSD D7-P5510將在本季度出貨，SSD D5-P5316明年上半年出貨，價格均未公開。
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