在今年的內(nèi)存與存儲日活動上,Intel不但推出了基于144層QLC NAND閃存的企業(yè)級SSD D7-P5510/D5-P5316、消費級SSD 670p,基于新一代傲騰介質(zhì)的企業(yè)級SSD P5800X、混合式SSD H20,還帶來了新一代傲騰持久內(nèi)存(PMem)的消息。
傲騰持久內(nèi)存條的誕生并非為了取代傳統(tǒng)DRAM DDR系列內(nèi)存,現(xiàn)在不會未來也不會,而是聯(lián)合傲騰SSD,共同作為DRAM DDR內(nèi)存條與NAND閃存固態(tài)盤之間的橋梁,填補(bǔ)二者之間在容量、性能上的空檔,構(gòu)成一個完整的存儲體系。
其中,傲騰持久內(nèi)存通過雙倍數(shù)據(jù)速率總線連接CPU,能夠以DRAM內(nèi)存的速度直接加載和存儲訪問,同時兼具非易失性,融合了DRAM內(nèi)存、NAND存儲的最佳特性。
今年6月份,Intel發(fā)布了第二代傲騰持久內(nèi)存PMem 200系列,繼續(xù)兼容DDR4 DIMM形態(tài),單條容量128/256/512GB,熱設(shè)計功耗分別為15/18/18W(比上代降低約3W),內(nèi)存可選1866/2133/2400/266MHz,帶寬比上代提升25%,數(shù)據(jù)訪問速度比NAND閃存高出225倍。
第二代傲騰持久內(nèi)存主要搭檔第三代可擴(kuò)展至強(qiáng)(已發(fā)布的Copper Lake和將發(fā)布的Ice Lake),每路六通道12條插槽,可以安裝最多6條,再加上6條DDR4內(nèi)存,單路系統(tǒng)內(nèi)存總?cè)萘烤涂梢赃_(dá)到驚人的6TB。
Intel現(xiàn)在宣布,即將推出代號“Crow Pass”的第三代傲騰持久內(nèi)存,全球第一個引入DDR總線,將在代號“Sapphire Rapids”的未來可擴(kuò)展志強(qiáng)平臺中提供。
Intel沒有披露第三代傲騰持久內(nèi)存的具體特性,不過此前已宣布,Sapphire Rapids(第四代可擴(kuò)展至強(qiáng))平臺將在2021年下半年出貨,基于10nm SuperFin工藝,并引入DDR5內(nèi)存、PCIe 5.0總線、CXL 1.1異構(gòu)互聯(lián)協(xié)議、AMX先進(jìn)矩陣擴(kuò)展加速指令集。
這么來看,第三代傲騰內(nèi)存條將兼容DDR5 DIMM形態(tài),并與之聯(lián)手。
根據(jù)傳聞,Sapphire Rapids將會擁有全新的Golden Cove CPU架構(gòu),最多56核心112線程(不排除60核心120線程),MCM多芯片封裝設(shè)計,同時集成HBM2e高帶寬內(nèi)存,最大容量64GB,最高帶寬1TB/s,提供最多80條PCIe 4.0,最高支持八通道DDR5-4800,熱設(shè)計功耗最高400W。
責(zé)編AJX
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