擴大產能的背后要素

在中美貿易戰火持續延燒的情況下，其實不少射頻元件設計商客戶都希望穩懋能分散產能風險，因此投資臺灣成了首選。

而且既可避開貿易戰風險，又能就近獲得穩懋的各種服務與支援。

著眼于未來幾年5G網絡逐漸成熟，5G手機滲透率逐年上升，將進一步帶動5G PA的需求提升。

隨著全球智能手機業者繼臉部等生物識別技術之后，進一步接入3D傳感技術于AR應用上，發展前景可期，也讓穩懋對于未來化合物半導體代工需求持續抱持樂觀期待。

5G設備的需求讓化合物半導體應用猛增

5G對于設備性能和功率效率提出了更高的要求，特別是在基站端，基站數量和單個基站成本雙雙上漲，這將會帶來市場空間的巨大增長。

2021年全球5G宏基站PA和濾波器市場將達到243．1億元人民幣，年均復合增長率CAGR為162．31％；

2021年全球4G和5G小基站射頻器件市場將達到21．54億元人民幣，CAGR為140．61％。

由于基站越來越多地用到了新技術，這對相應產業鏈提出了更多需求。預計到2022年，4G／ 5G基礎用的射頻半導體市場規模將達到16億美元。

其中，MIMO PA的年復合增長率將達到135％，射頻前端模塊的年復合增長率將達到 119％。

基站用PA、RF市場空間巨大，但其性能和功率效率問題亟待解決。在這樣的背景下，新工藝技術替代傳統工藝早已被提上了議事日程。

蘋果擴大自研范圍與穩懋擴大合作

進入5G、甚至6G時代，射頻元件因肩負無線通訊品質的重責大任，且攸關用戶體驗，因此蘋果才會想要取回主導權。

蘋果將自行設計射頻射頻組件，不再依賴博通、Qorvo等供貨，而是設計完成后，交由砷化鎵半導體巨頭穩懋代工，這有點類似于M1、A系列處理器在蘋果設計后，交給臺積電代工的模式。

穩懋目前在全球功率放大器市占高達七成，市面上幾乎射頻元件設計商都是穩懋的客戶，而穩懋目前月產能4．1萬片，也遙遙領先業界競爭對手，遂成為蘋果積極合作的主要對象。

穩懋在5G手機導入初期就已取得高于市場平均的市場占有率表現，可以理解為是非蘋手機的5GPA主要都來自穩懋，顯示穩懋在5G手機PA的代工龍頭的穩固地位已經創建。

穩懋今年無預警宣布大手筆斥資850億元新臺幣擴產，產能全數開出后，月產能更可達到目前的三倍多，直接從4．1萬片擴增到了14萬至15萬片。

穩懋正在全球5G發展的浪頭上，據需占領全球砷化鎵市場，穩懋因而宣布斥資850億元在高雄南科園區大擴產，借此加速邁向下一個黃金成長期。

此外，穩懋半導體已經加入SpaceX星鏈計劃的供應商團隊，穩懋將會為星鏈計劃提供功率放大器。穩懋半導體將會隨著星鏈計劃的推進持續受益，得到更好的發展。

GCS聯合投產瞄準高端射頻前端應用

GCS高端化合物半導體制造項目由美國GCS公司、武岳峰資本、臺灣晶元光電股份有限公司、無錫卓勝微電子等投資，總投資100億元。

GCS高端化合物半導體制造項目預計今年年底投產，目前項目一期正在對晶品光電（常州）有限公司的現有空置廠房4000平方米場地進行裝修改造，預計今年底能夠投產。

項目通過建設化合物半導體及微機電系統生產線，用于高端射頻前端應用及光電子應用的半導體制造。

宏捷科明年擴產增幅最大

宏捷科今年以來由于臺灣地區IC設計客戶Wi－Fi6產品拉貨需求強勁，以及大陸地區IC設計客戶轉單效應持續發揮。

因而增加4G PA委外予宏捷科代工，甚至連5G PA也有部分開始轉單，使營收占比再度明顯回升，帶動宏捷科今年前11個月營收31．96億元、年增65％。

宏捷科因應美系射頻元件客戶轉單持續、切入美系及中系5GPA客戶、Wi－Fi6需求持續，明年1月新廠將新增5千片月產能，預計開出后即可填滿，并計劃再啟動擴產。

整體明年新廠合計將開出1．2萬片月產能，將較目前約1萬片月產能高一倍以上；宏捷科原本規畫明年擴產5千片月產能，如今擴產規劃提前、規模提升，顯示接單需求增加。

穩懋在今年3月加碼砷化鎵代工二哥宏捷科，并持股1．06％，成為后者前十大股東。

硅芯片大廠環球晶與宏捷科的策略私募入股，集成上下游產業鏈的能力完成互補，加快開發腳步以及瓶頸，打團戰比單打獨斗，更快可獲取市場。

中美晶宣布斥資34．965億新臺幣參與臺灣砷化鎵代工廠宏捷科私募案，將持有宏捷科22．53％股權成為大股東。

看準氮化鎵代工是下一個重要征程

今年以來，氮化鎵器件不僅隨著5G建設的快速發展而大規模出貨，而且在手機充電器領域也獲得了OPPO、小米、華為等眾多手機品牌的青睞，市場應用正在加速擴張。

在晶圓代工產能方面，臺灣砷化鎵晶圓代工龍頭穩懋已開始提供6英寸GaN－on－SiC晶圓代工服務，應用瞄準高功率PA及天線；

而美國砷化鎵晶圓代工廠商環宇也擁有4英寸GaN－on－SiC高功率PA產能，且6英寸GaN－on－SiC晶圓代工技術已通過認證。

國內方面，三安集成已經推出了氮化鎵E－HEMT工藝的晶圓代工；海威華芯也開始提供6英寸GaN－on－SiC晶圓代工服務，應用以射頻工藝為主，功率GAN器件代工也在研發中。

結尾：

未來氮化鎵等化合物半導體材料元件不管是應用于車用充電樁、消費3C產品快充的功率元件、或是射頻、基地臺用微波通訊元件，應用量能沖刺可期。

化合物半導體代工市場也將隨之增長，包括臺積電、漢磊、世界先進等晶圓代工廠以及穩懋、宏捷科、環宇、三安集成、海威華芯等砷化鎵代工廠也將開啟新的征程。

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