硅晶棒的生產一般主要包括幾個工序：晶棒成長、晶棒裁切與檢測、外徑研磨。以下是一種生產方式所涉及到的工序細節(jié)：

一、晶棒成長工序

1）融化

將塊狀的高純度復晶硅置于石英坩鍋內，加熱到其熔點1420°C以上，使其完全融化。

2）頸部成長

待硅融漿的溫度穩(wěn)定之后，將晶種慢慢插入其中，接著將晶種慢慢往上提升，使其直徑縮小到一定尺寸，維持此直徑并拉長100至200毫米，以消除晶種內的晶粒排列取向差異。

3）晶冠成長

頸部成長完成后，慢慢降低提升速度和溫度，使頸部直徑逐漸加大到所需尺寸（如5、6、8、12吋等）。

4）晶體成長

不斷調整提升速度和融煉溫度，維持固定的晶棒直徑，只到晶棒長度達到預定值。

5）尾部成長

當晶棒長度達到預定值后再逐漸加快提升速度并提高融煉溫度，使晶棒直徑逐漸變小，以避免因熱應力造成排差和滑移等現(xiàn)象產生，最終使晶棒與液面完全分離。到此即得到一根完整的晶棒。

二、晶棒裁切與檢測

將長成的晶棒去掉直徑偏小的頭、尾部分，并對尺寸進行檢測，以決定下步加工的工藝參數(shù)。

三、外徑研磨

由于在晶棒成長過程中，其外徑尺寸和圓度均有一定偏差，其外園柱面也凹凸不平，所以必須對外徑進行修整、研磨，使其尺寸、形狀誤差均小于允許偏差。

硅晶棒的五種工藝詳解

硅晶棒的切斷，滾磨，腐蝕工藝介紹。

1、切斷

切斷的目的：沿著垂直于晶體生長的方向，切除硅棒的頭（硅單晶的籽晶和放肩部分），尾部以及外形尺寸小于規(guī)格要求的無用部分，將硅晶棒切成數(shù)段，同時，對硅棒切取樣片，檢測其電阻率，氧碳含量，晶體缺陷等相關質量參數(shù)。

2、滾磨

無論是采用直拉法或是區(qū)熔法生長的硅單晶棒，一般是按＜100 ＞或＜111 ＞晶向生長的。通過滾磨加工，使其表面整形達到基本的直徑和直徑公差要求，并確定其定位面的位置及其基本尺寸。

3、腐蝕

為了去除磨削加工過程中的表面機械損傷和沾污，有利于后道工序的加工，就要對其表面進行化學腐蝕處理。

一份來自瓦克化學的、申請?zhí)枮镃N201110424941．4（授權公告號：CN102555087B）的發(fā)明專利，介紹了一種細硅棒的方法。

截圖自瓦克化學在中國國家知識產權局網站上的專利文件

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審核編輯：符乾江