最近Techinsights舉辦了一場關于存儲技術的網絡研討會，Jeongdong Choe博士介紹了他對最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲器技術的觀察與分析。

以下概述了討論的相關主題。

DRAM

三星，美光和SK hynix等主要DRAM廠商已經生產出縮小至15 nm設計規則（D ／ R）的DRAM單元。現在，他們正在開發n ＋ 1和n ＋ 2世代，即所謂的1a（或1α）和1b（或1β），這意味著采用EUV的DRAM單元D ／ R可能能夠進一步縮小至12nm以下。由于圖形化，漏電流和感測裕度的挑戰，單元尺寸微縮的速度越來越慢。

Graphic DRAM和高帶寬內存（例如GDDR6（X）和HBM2（E））采用20 nm或10 nm級的DRAM技術節點。

通過在模塊中添加低功耗DRAM芯片，智能手機上的相機模塊實現了三顆芯片的堆疊。

在先進的DRAM產品中可以看到一些創新，例如高k介電材料，柱形電容器，凹槽溝道LV晶體管和HKMG外圍晶體管。

展望DRAM技術趨勢和研發路線圖，DRAM微縮將在未來10多年中持續進行。

NAND

隨著主要NAND制造商爭相增加3D NAND堆疊層的數量，他們都已經推出了自己的96L或128L 3D NAND芯片。三星128L V－NAND（V6），KIOXIA和Western Digital Company（WDC）96L BiCS4，Intel ／ Micron 96L ／ 128L和176L FG CuA以及SK hynix 128L 4D NAND PUC產品已投放市場。我們將討論該領域中許多創新的變化。

除了存儲密度之外，3D NAND還應用于高速SSD，例如三星Z－SSD和具有多plane的并行KIOXIA XL－FLASH。

SK hynix已達到147層垂直存儲單元堆疊；我們將探討他們的解決方案以及美光的解決方案。

嵌入式和新興存儲技術

盡管Micron的X100 SSD目前僅可用于附加卡（AIC），但Intel不僅將XPoint內存應用程序擴展到常規SSD，而且還擴展到了Intel Optane非易失內存。

Everspin已經發布許多新型pMTJ MRAM產品（第三代，1GB ／芯片基于 28nm工藝），Avalanche／Renesas（40納米）和三星／索尼（28FDS）。Dialog（先前為Adesto）的第二代ReRAM（CBRAM）產品也已上市。

技術路線圖

本演示文稿中還包括Techinsights對當前和將來的DRAM，NAND和新興／嵌入式存儲器技術分析，趨勢和路線圖，這些內容通常僅供我們的存儲器用戶使用。

審核編輯：符乾江