根據韓國媒體《Etnews》報導指出,目前全球3大DRAM存儲器中尚未明確表示采用EUV極紫外光刻機的美商美光(Micron),因日前招聘網站開始征求EUV工程師,揭露美光也在進行EUV運用于DRAM先進制程,準備與韓國三星、SK海力士競爭。
報導指出,美光招聘敘述是“企業內部開發EUV應用技術,并管理新EUV系統,以及與EUV設備制造商阿斯麥(ASML)溝通”,工作地點就在美光總部美國愛達荷州。美光已開始生產第3代10納米級(1z)DRAM存儲器,預計2021上半年開始大量生產第4代10納米級(1a)DRAM存儲器。
與競爭對手三星、SK海力士不同的是,美光不打算將EUV技術運用在第4代10納米級DRAM存儲器,而是未來第7代10納米級(1d)DRAM存儲器。
存儲器與CPU邏輯制程一樣,近年面臨制程微縮的問題。如果使用EUV光刻技術,可減少多重曝光過程,提供更細微的制程精度與良率,進一步減少產品生產時間并降低成本,還可提高效能。
不過,EUV光刻設備每部單價近1.5億歐元,初期投資成本較深紫外光光刻設備(DUV)高許多,因此會讓廠商考慮再三。美光先前就是因成本考量,加上采用DUV設備打造的DRAM符合市場需求,因此時程落后三星及SK海力士。
目前三星已在第3代10納米級DRAM存儲器生產導入EUV技術,且還預計2021年發表第4代10納米級的DRAM存儲器生產增加EUV技術。至于SK海力士則將在2021年量產第4代10納米級DRAM存儲器導入EUV技術,目前SK海力士也分批導入EUV設備,預計在京畿道利川市的新DRAM工廠建立EUV技術產線。
相較兩家競爭對手已導入或正導入EUV技術,美光顯然落后。外界解讀這次美光招聘EUV工程人員,目的在于先研究EUV運作技術,以在未來正式推出相關技術的產品。因市場預期存儲器市場將逐漸迎接正循環周期,美光也藉此儲備未來市場競爭的最佳能量。
責任編輯:tzh
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