美國美光科技開始提速EUV DRAM。加入到三星電子、SK海力士等全球第一、第二EUV廠商選擇的EUV陣營后，后續EUV競爭或將更為激烈。

根據韓媒etnews報道，美光科技通過多個網站開始招聘EUV設備開發負責工程師。美光的公告顯示：招聘負責美光EUV設備Scaner技術開發，管理EUV系統和與ASML的溝通的人才。工作地點為美光總部美國愛達荷州（Idaho）的博伊西（Boise）。

美光是繼三星電子和SK海力士之后，以20%的全球市占率排第三的DRAM廠商。本月初時美光臺灣DRAM工廠還因停電一小時導致工廠停產。截止到3季度時較好業績備受業界矚目。且在Nand Flash領域，也率先發布了全球首款176層產品。

公司與其他DRAM廠商一樣，投產10納米級3代（1z）產品作為新品。計劃明年上半年量產4代（1a）DRAM。

但與三星電子、SK海力士不同，并無計劃在1a DRAM產品上使用EUV技術。

最近EUV制程備受被稱之為IT設備大腦的集成芯片領域的青睞，短期內有望滲透至DRAM其他層。但相比ArF制程，技術難度仍高、且設備運營費用也相對更高。

而根據美光公開的資訊顯示，考慮到費用和成本、技術限制等原因，次次時代DRAM ‘1-β’產品前并無計劃采用EUV制程。

美光副總裁Scott DeBoer表示過：會分析多方面因素后，從1-δ （10納米7代）產品開始導入EUV制程。

本次的招聘公告顯示出公司將通過招聘精通于EUV技術的專家累計技術，以確保在最佳時機導入EUV制程的戰略。

未來美光正式跨入EUV DRAM量產市場后，Memory市場中3家競爭將更為激烈。

在DRAM市場占比40%，排名第一的三星已經通過1z產品上導入EUV技術宣示技術領先差距，且計劃在明年上市的1a產品EUV制程比重也是業界關注的焦點。

而SK海力士也正忙于明年導入1a DRAM的EUV制程。SK海力士計劃明年在京畿道黎川新DRAM工廠M16中搬入新EUV系統，為EUV技術量產而努力。
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