***（Mask Aligner） 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的***是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。Photolithography（光刻） 意思是用光來制作一個圖形（工藝）；在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“復制”到硅片上的過程。

***一般根據操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動：

A 手動：指的是對準的調節方式，是通過手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了；

B 半自動：指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧；

C 自動： 指的是 從基板的上載下載，曝光時長和循環都是通過程序控制，自動***主要是滿足工廠對于處理量的需要。

曝光系統最核心的部件之一是紫外光源， 常見光源分為：

可見光：g線：436nm

紫外光（UV），i線：365nm

深紫外光（DUV），KrF 準分子激光：248 nm， ArF 準分子激光：193 nm

極紫外光（EUV），10 ～ 15 nm

對光源系統的要求：

a．有適當的波長。波長越短，可曝光的特征尺寸就越小；［波長越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對于精度控制要求越高。］

b．有足夠的能量。能量越大，曝光時間就越短；

c．曝光能量必須均勻地分布在曝光區。［一般采用光的均勻度或者叫不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布］

常用的紫外光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經過濾光后使用其中的g線（436 nm）或i線（365 nm）。對于波長更短的深紫外光光源，可以使用準分子激光。例如KrF準分子激光（248 nm）、ArF準分子激光（193 nm）和F2準分子激光（157 nm）等。曝光系統的功能主要有：平滑衍射效應、實現均勻照明、濾光和冷光處理、實現強光照明和光強調節等。

***的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。

分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。

對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。

曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。

曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區域，光源有汞燈，準分子激光器等。

最后推薦一款應用在紫外***中的紫外線探測器，從國外引進的紫外光電二極管 － SG01D－C18， SiC具有極其特別的優點，能承受高強度的輻射，對可見光幾乎不敏感，產生的暗電流低，響應速度快，這些特性使得SiC成為能夠抑制可見光用來制作半導體紫外線探測器很好的材料。SiC探測器可以長期工作在高達170℃的溫度中，溫度系數低（＜0．1％／K）并且噪音低，能夠有效的監測到很低的輻射強度（需配置相應的放大器）。

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